[發明專利]形成取代接觸窗的方法及導電結構

有效

• 申請號: 201710342032.3
• 申請日: 2017-05-16
• 公開（公告）號: CN108231662B
• 公開（公告）日: 2022-02-11
• 發明（設計）人: 楊育佳;蔡騰群;奧野泰利
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

本揭露描述一種形成取代接觸窗的方法。舉例而言，取代接觸窗可包含具有一或多個第一側壁表面及頂表面的金屬。形成第一介電質，其中第一介電質是鄰接金屬的一或多個第一側壁表面。形成第二介電質在第一介電質及金屬的頂表面上。形成開口在第二介電質內。金屬氧化物結構可選擇性地成長在金屬的頂表面上，其中金屬氧化物結構具有一或多個第二側壁表面。形成一或多個間隙壁，其中前述間隙壁是鄰接金屬氧化物結構的一或多個第二側壁表面。再者，移除金屬氧化物結構。

技術領域

本揭露是關于一種取代接觸窗，特別是關于一種形成取代接觸窗的方法及導電結構。

背景技術

具有縮小的臨界尺寸(critical dimensions，CDs)的金屬線及具有緊密的節距(pitch)的設計(例如高密度圖案)對黃光微影制程施加嚴格的對準要求，且在晶片制造過程中，增加黃光微影重疊誤差(overlay error)的風險。黃光微影重疊誤差可導致接觸窗對接觸窗的未對準。此未對準將損及晶片的電子特性及效能。

發明內容

本揭露的一態樣為一種形成取代接觸窗的方法，其是包含形成具有頂表面的第一金屬在第一介電質內。形成具有一或多個側壁表面的金屬氧化物結構在第一金屬的上方。形成一或多個間隙壁鄰接金屬氧化物結構的一或多個側壁表面。再者，形成第二介電質鄰接一或多個間隙壁，第二介電質是覆蓋第一介電質的暴露部分。形成開口在金屬氧化物結構內，以暴露出該第一金屬的該頂表面的一部分。

本揭露的另一態樣為一種形成取代接觸窗的方法，其是包含形成具有暴露的頂表面的第一金屬在第一介電質內。形成自組裝單分子層在第一介電質上，以暴露出第一金屬的頂表面。成長包含一或多個第一側壁表面的金屬氧化物結構在第一金屬上。移除自組裝單分子層，并形成一或多個間隙壁鄰接于金屬氧化物結構的一或多個第一側壁表面。形成第二介電質鄰接于一或多個間隙壁。再者，第二介電質覆蓋第一介電質。移除金屬氧化物結構，以暴露出第一金屬的頂表面的部分。

本揭露的另一態樣為一種形成取代接觸窗的方法，其是包含沉積具有暴露的頂表面的金屬在第一介電質內。形成具有一或多個側壁表面的金屬氧化物結構在金屬的上方。形成第二介電質。第二介電質鄰接金屬氧化物結構，并覆蓋第一介電質。移除金屬氧化物結構，以暴露出金屬的頂表面。移除金屬氧化物結構是利用選擇性蝕刻制程。

本揭露的再一態樣為一種導電結構，其是包含被第一介電質包圍的第一導電結構、形成在第一介電質上的第二介電質、嵌入第二介電質內且被分開的一對間隙壁以及嵌入第二介電質內且形成在第一導電結構的頂表面上的第二導電結構。第一導電結構具有第一寬度。此對間隙壁的每一個間隙壁是插入在第二導電結構的側壁及第二介電質之間。

本揭露的一態樣為一種導電結構，其是包含被第一介電質包圍的第一導電結構、形成在第一導電結構上的第二導電結構、在第二導電結構的每一側壁上的間隙壁以及形成在第一介電質上并鄰接間隙壁的第二介電質。第一導電結構的多個側壁邊緣是與第二導電結構的多個側壁邊緣對齊。間隙壁與第一導電結構不重疊。

本揭露的另一態樣為一種導電結構，其是包含被第一介電質包圍的第一導電結構、第二導電結構以及形成在第一介電質上的第二介電質。第二導電結構包含底部部分及頂部部分，其頂部部分比底部部分更寬，底部部分與第一導電結構實體接觸，且底部部分的寬度與第一導電結構的寬度實質相等。第二介電質包圍第二導電結構的多個側壁。

附圖說明

根據以下詳細說明并配合附圖閱讀，使本揭露的態樣獲致較佳的理解。需注意的是，如同業界的標準作法，許多特征并不是按照比例繪示的。事實上，為了進行清楚討論，許多特征的尺寸可以經過任意縮放。

圖1是繪示根據本揭露一些實施例的被介電層側向環繞的金屬區域的等角視圖；

圖2至圖8是繪示根據本揭露一些實施例的在一系列制程步驟后的部分制作的取代接觸窗的剖面視圖；

圖9是繪示根據本揭露一些實施例的取代接觸窗的剖面視圖；