[發明專利]形成取代接觸窗的方法及導電結構

有效

• 申請號: 201710342032.3
• 申請日: 2017-05-16
• 公開（公告）號: CN108231662B
• 公開（公告）日: 2022-02-11
• 發明（設計）人: 楊育佳;蔡騰群;奧野泰利
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

1.一種形成取代接觸窗的方法，其特征在于，該方法包含：

形成一第一金屬在一第一介電質內，其中該第一金屬包含一頂表面，該頂表面具有一第一寬度；

形成一金屬氧化物結構在該第一金屬的該頂表面上方，其中該金屬氧化物結構具有多個側壁表面；

多個間隙壁，其中所述多個間隙壁鄰接該金屬氧化物結構的所述多個側壁表面，其中形成所述多個間隙壁包括在該金屬氧化物結構和該第一介電質的曝露表面上沉積一毯覆式間隙壁層，以及對該毯覆式間隙壁層執行方向性回蝕制程；

形成一第二介電質，其中該第二介電質鄰接該多個間隙壁，以覆蓋該第一介電質的多個暴露部分；以及

形成一開口在所述多個間隙壁之間，其中該開口包含一第二寬度，且該第二寬度等于該第一寬度。

2.根據權利要求1所述的形成取代接觸窗的方法，其特征在于，該金屬氧化物結構包含二氧化鉿(HfO₂)、二氧化鋯(ZrO₂)、氧化鋁(Al₂O₃)、二氧化鈰(CeO₂)、二氧化鈦(TiO₂)或氮氧化鋁(AlON)。

3.根據權利要求1所述的形成取代接觸窗的方法，其特征在于，該形成該開口在所述多個間隙壁之間的步驟包含以一選擇性干式蝕刻制程，蝕刻該金屬氧化物結構。

4.根據權利要求1所述的形成取代接觸窗的方法，其特征在于，該形成該開口在所述多個間隙壁之間的步驟包含以一選擇性濕式蝕刻制程，蝕刻該金屬氧化物結構。

5.根據權利要求1所述的形成取代接觸窗的方法，其特征在于，該方法還包含：

沉積一或多層的一堆疊在該開口中，其中該開口在該第一金屬的該頂表面及該多個間隙壁上；以及

沉積一第二金屬在該堆疊上，以填充該開口。

6.根據權利要求5所述的形成取代接觸窗的方法，其特征在于，該第一金屬及該第二金屬包含相同金屬或不同金屬。

7.根據權利要求1所述的形成取代接觸窗的方法，其特征在于，該形成金屬氧化物結構的步驟包含以一區域選擇原子層沉積制程，選擇性地成長該金屬氧化物結構。

8.根據權利要求1所述的形成取代接觸窗的方法，其特征在于，該形成金屬氧化物結構的步驟包含以一區域選擇化學氣相沉積制程，成長該金屬氧化物結構。

9.根據權利要求1所述的形成取代接觸窗的方法，其特征在于，該金屬氧化物結構的該多個側壁表面為垂直。

10.一種形成取代接觸窗的方法，其特征在于，該方法包含：

形成一第一金屬在一第一介電質內，其中該第一金屬包含暴露的一頂表面，該頂表面具有一第一寬度；

形成一自組裝單分子層在該第一介電質上，以暴露出該第一金屬的該頂表面；

成長一金屬氧化物結構在該第一金屬上，其中該金屬氧化物結構具有多個第一側壁表面；

移除該自組裝單分子層；

形成多個間隙壁鄰接于該金屬氧化物結構的多個第一側壁表面，其中形成所述多個間隙壁包括在該金屬氧化物結構和該第一介電質的曝露表面上沉積一毯覆式間隙壁層，以及對該毯覆式間隙壁層執行方向性回蝕制程；

形成一第二介電質鄰接于所述多個間隙壁，其中該第二介電質覆蓋該第一介電質；以及

移除該金屬氧化物結構以在所述多個間隙壁之間形成一開口，其中該開口具有一第二寬度，且該第二寬度等于該第一寬度。

11.根據權利要求10所述的形成取代接觸窗的方法，其特征在于，該自組裝單分子層包含硅烷。

12.根據權利要求10所述的形成取代接觸窗的方法，其特征在于，該自組裝單分子層包含十八烷基三氯硅烷。