[發明專利]存儲器及其形成方法、半導體器件

有效

• 申請號: 201710340261.1
• 申請日: 2017-05-15
• 公開（公告）號: CN108878366B
• 公開（公告）日: 2021-03-09
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L21/8242
• 分類號: H01L21/8242;H01L27/108
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 智云

本發明提供了一種存儲器及其形成方法、半導體器件，利用所形成的位線和位線接觸，在其側壁上形成第一隔離側墻；并使相鄰的兩條所述位線中，最相鄰的兩個所述位線接觸上的第一隔離側墻相互連接，以構成一瓶頸封閉，通過隔離側墻和瓶頸封閉所構成的開口能夠自對準的定義出存儲節點接觸的形成區域，因此，在形成存儲節點接觸時僅需在開口中填充接觸材料即可，而不需要利用光刻工藝。從而，可減少光刻工藝的執行次數，有效簡化了工藝流程，并且還可避免光刻工藝窗口的限制，有利于降低存儲器的制備難度。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，特別涉及一種存儲器及其形成方法，以及一種半導體器件。

背景技術

存儲器通常包括存儲電容器以及連接到所述存儲元件的存儲晶體管，所述存儲電容器用來存儲代表存儲信息的電荷。所述存儲晶體管中形成有源區、漏區和柵極，所述柵極控制所述源區和漏區之間的電流流動，所述源區用于構成位線接觸區，以連接至位線，所述漏區用于構成存儲節點接觸區，以連接至存儲電容器。

其中，在所述位線接觸區上需形成一位線接觸，進而通過所述位線接觸連接至所述位線，以及，在存儲節點接觸區上需形成一存儲節點接觸，進而通過所述存儲節點接觸連接至所述存儲電容器。在實際的存儲器的制備過程中，所述位線接觸和所述存儲節點接觸的形成方法，通常包括：首先，利用光刻工藝和蝕刻工藝形成接觸孔；接著，在所述接觸孔中填充導電材料以分別形成位線接觸和存儲節點接觸。

例如，在公開號為CN101055871A的專利申請文件中公開了一種存儲器，其位線接觸部的形成方法包括：首先，在襯底上形成絕緣層；接著，對所述絕緣層執行光刻工藝和蝕刻工藝，以形成接觸孔，所述接觸孔的中心位置與第一單元接觸部(對應位線接觸部的區域)的中心位置重合，以暴露出所述第一單元接觸部；接著，在所述接觸孔中填充導電材料，以構成所述位線接觸。以及，在該專利申請中，所述存儲節點接觸部的形成方法包括：首先，在襯底上形成絕緣層；接著，對所述絕緣層執行光刻工藝和蝕刻工藝，以形成接觸孔，所述接觸孔的中心位置與第二單元接觸部(對應存儲節點接觸部的區域)的中心位置不重合，以暴露出所述第二單元接觸部；接著，在所述接觸孔中填充導電材料，以構成所述存儲節點接觸部。

由此可見，在形成位線接觸和存儲節點接觸時需利用多次光刻工藝形成。退一步講，在上述專利申請中，即使位線接觸和存儲節點接觸是利用同一道光刻工藝和蝕刻工藝形成接觸孔的，然而，由于對應位線接觸的接觸孔和對應存儲節點接觸的接觸孔之間距離較近，以及為避免所形成的接觸孔相互接壤，一方面需使所形成的接觸孔的尺寸控制在較小的范圍內，另一方面還需嚴格控制光刻過程中的位移偏差，以在考慮后續位線的排布位置的基礎上，確保通過所述接觸孔能夠暴露出第一單元接觸部和第二單元接觸部。

因此，在現有的位線接觸和存儲節點接觸的形成方法中，其制備工藝較為繁雜，并且其光刻工藝窗口較小，增加了存儲器的制備難度。

發明內容

本發明的目的在于提供一種存儲器及其形成方法，以簡化存儲器的形成工藝。

為此，本發明提供了一種存儲器的形成方法包括：

提供一襯底，所述襯底上定義有多個相對第一方向傾斜延伸的有源區，所述有源區上形成有位線接觸區和位于所述位線接觸區兩側的存儲節點接觸區，多個所述有源區呈陣列式排布且多個所述位線接觸區交錯排布；

形成位線接觸在所述位線接觸區上，以及形成多條位線在所述襯底上，所述位線沿第一方向延伸，在同一直線上排布的位線接觸連接至同一位線上，所述位線和所述位線接觸的高度大于襯底的高度以使所述位線和所述位線接觸在所述襯底的表面上構成多個第一開口，所述位線和所述位線接觸的側壁構成所述第一開口的側壁；

形成第一隔離側墻在所述第一開口的側壁上，相鄰的兩條所述位線中，最相鄰的兩個所述位線接觸上的第一隔離側墻相互連接，以構成一瓶頸封閉，所述瓶頸封閉和所述第一隔離側墻限定出一第二開口，所述第二開口暴露出所述存儲節點接觸區；以及，