[發(fā)明專利]存儲器及其形成方法、半導體器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710340261.1
• 申請日: 2017-05-15
• 公開（公告）號: CN108878366B
• 公開（公告）日: 2021-03-09
• 發(fā)明（設計）人: 不公告發(fā)明人
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L21/8242
• 分類號: H01L21/8242;H01L27/108
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 智云

1.一種存儲器的形成方法，其特征在于，包括：

提供一襯底，所述襯底上定義有多個相對第一方向傾斜延伸的有源區(qū)，所述有源區(qū)上形成有位線接觸區(qū)和位于所述位線接觸區(qū)兩側的存儲節(jié)點接觸區(qū)，多個所述有源區(qū)呈陣列式排布且多個所述位線接觸區(qū)交錯排布；

形成位線接觸在所述位線接觸區(qū)上，以及形成多條位線在所述襯底上，所述位線沿所述第一方向延伸，在同一直線上排布的所述位線接觸連接至同一位線上，所述位線和所述位線接觸的高度大于所述襯底的高度，以使所述位線和所述位線接觸共同界定出在所述襯底的表面上的多個第一開口，所述位線和所述位線接觸的側壁的組合構成所述第一開口的側壁；

形成第一隔離側墻在所述第一開口的側壁上，在兩條相鄰的所述位線之間，相鄰的所述位線接觸的側壁的所述第一隔離側墻相互連接，以構成瓶頸封閉，所述瓶頸封閉、在相鄰的所述位線和所述位線接觸的側壁上的所述第一隔離側墻共同界定出第二開口，所述第二開口限定在所述第一開口中并暴露出所述存儲節(jié)點接觸區(qū)；以及，

填充接觸材料在所述第二開口中，以構成存儲節(jié)點接觸。

2.如權利要求1所述的存儲器的形成方法，其特征在于，所述第一隔離側墻的形成步驟包括：

沉積隔離材料層在所述襯底上，所述隔離材料層覆蓋所述位線和所述位線接觸的頂部，并覆蓋所述第一開口的側壁和底部；以及，

執(zhí)行回刻蝕工藝，去除在所述位線和所述位線接觸頂部的所述隔離材料層，以及局部去除在所述第一開口底部的所述隔離材料層，以形成所述第一隔離側墻在所述第一開口的側壁上。

3.如權利要求2所述的存儲器的形成方法，其特征在于，相鄰的兩條所述位線中，兩個相鄰的所述位線接觸之間的最小間隔距離小于等于2倍的所述隔離材料層的沉積厚度，所述隔離材料層的沉積厚度為所述隔離材料層在回刻蝕工藝之前沿平行于所述襯底表面方向的尺寸。

4.如權利要求2所述的存儲器的形成方法，其特征在于，兩條相鄰的所述位線中，兩個相鄰的所述位線接觸之間的最小間隔距離大于2倍的所述隔離材料層的厚度，所述隔離材料層的沉積厚度為所述隔離材料層在回刻蝕工藝之前沿平行于所述襯底表面方向的尺寸。

5.如權利要求4所述的存儲器的形成方法，其特征在于，至少執(zhí)行兩次所述隔離材料層的沉積步驟，使兩條相鄰的所述位線中兩個相鄰的所述位線接觸之間填滿所述隔離材料層。

6.如權利要求1至5任一項所述的存儲器的形成方法，其特征在于，在形成所述位線之前，還包括：

形成字線在所述襯底中；以及，

形成絕緣層在所述襯底上，所述絕緣層覆蓋所述字線。

7.如權利要求6所述的存儲器的形成方法，其特征在于，所述位線接觸和所述位線的形成步驟包括：

形成第一掩膜層在所述絕緣層上，所述第一掩膜層中形成有多個凹槽對應所述位線和所述位線接觸，所述凹槽包括第一凹槽和與第二凹槽，所述第一凹槽和所述第二凹槽沿所述第一方向相互連通，所述第一凹槽暴露出所述位線接觸區(qū)上的絕緣層，所述第二凹槽暴露出相鄰的所述位線接觸區(qū)之間的絕緣層；

形成第二掩膜層在所述第一掩膜層上，以覆蓋所述第二凹槽并暴露出所述第一凹槽；

以所述第二掩膜層為掩膜刻蝕暴露出的所述絕緣層，使所述位線接觸區(qū)暴露出；

去除所述第二掩膜層并填充導電材料在所述凹槽中，位于所述凹槽中的所述導電材料構成所述位線的導電層，位于所述第一凹槽中的所述導電材料構成所述位線接觸的導電層；

去除所述第一掩膜層，暴露出所述位線接觸和所述位線的側壁以共同界定出所述第一開口，并通過所述第一開口暴露出所述存儲節(jié)點接觸區(qū)上的絕緣層；以及，

去除所述存儲節(jié)點接觸區(qū)上的絕緣層，暴露出所述存儲節(jié)點接觸區(qū)。

8.如權利要求7所述的存儲器的形成方法，其特征在于，所述第一凹槽平行于所述襯底表面的截面的形狀為矩形，兩個相鄰的所述凹槽中兩個相鄰的第一凹槽的矩形頂角相對。