[發(fā)明專利]半導(dǎo)體激光裝置及其制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710339449.4 | 申請(qǐng)日： | 2017-05-15 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN107394578B | 公開（公告）日： | 2019-09-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 北嶋久義 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 羅姆股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01S5/024 | 分類號(hào)： | H01S5/024 |
| 代理公司： | 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287 | 代理人： | 章蕾 |
| 地址： | 日本國京都府京*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 激光 裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體激光裝置，包括：
襯底；
第一導(dǎo)電型的披覆層，積層在襯底上；
活性層，積層在所述第一導(dǎo)電型的披覆層上；
第二導(dǎo)電型的披覆層，積層在所述活性層上；及
多個(gè)波導(dǎo)構(gòu)造，形成在所述第二導(dǎo)電型的披覆層上，且具有俯視喇叭形狀的隆起緣；
在相互相鄰的所述波導(dǎo)構(gòu)造之間形成有分?jǐn)鄻?gòu)造，該分?jǐn)鄻?gòu)造包括：槽，分?jǐn)嗨龌钚詫樱患吧岵牧希畛湓谠摬壑校揖哂斜劝龅谝粚?dǎo)電型的披覆層、所述活性層及所述第二導(dǎo)電型的披覆層的半導(dǎo)體層的熱導(dǎo)率高的熱導(dǎo)率；
從與襯底表面垂直的方向俯視且沿所述槽的延伸方向上，所述分?jǐn)鄻?gòu)造的長度比所述波導(dǎo)構(gòu)造的長度短。
2.一種半導(dǎo)體激光裝置，包括：
襯底；
第一導(dǎo)電型的披覆層，積層在襯底上；
活性層，積層在所述第一導(dǎo)電型的披覆層上；
第二導(dǎo)電型的披覆層，積層在所述活性層上；及
至少10個(gè)波導(dǎo)構(gòu)造，形成在所述第二導(dǎo)電型的披覆層上，且具有俯視喇叭形狀的隆起緣；
在相互相鄰的所述波導(dǎo)構(gòu)造之間形成有分?jǐn)鄻?gòu)造，該分?jǐn)鄻?gòu)造包括：槽，分?jǐn)嗨龌钚詫樱患吧岵牧希畛湓谠摬壑校揖哂斜劝龅谝粚?dǎo)電型的披覆層、所述活性層及所述第二導(dǎo)電型的披覆層的半導(dǎo)體層的熱導(dǎo)率高的熱導(dǎo)率；
從與襯底表面垂直的方向俯視且沿所述槽的延伸方向上，所述分?jǐn)鄻?gòu)造的長度比所述波導(dǎo)構(gòu)造的長度短。
3.一種半導(dǎo)體激光裝置，包括：
襯底；
第一導(dǎo)電型的披覆層，積層在襯底上；
活性層，積層在所述第一導(dǎo)電型的披覆層上；
第二導(dǎo)電型的披覆層，積層在所述活性層上；
蝕刻終止層，積層在所述第二導(dǎo)電型的披覆層上；及
多個(gè)波導(dǎo)構(gòu)造，形成在所述蝕刻終止層上，且具有俯視喇叭形狀的隆起緣；
在相互相鄰的所述波導(dǎo)構(gòu)造之間形成有分?jǐn)鄻?gòu)造，該分?jǐn)鄻?gòu)造包括：槽，分?jǐn)嗨龌钚詫樱患吧岵牧希畛湓谠摬壑校揖哂斜劝龅谝粚?dǎo)電型的披覆層、所述活性層及所述第二導(dǎo)電型的披覆層的半導(dǎo)體層的熱導(dǎo)率高的熱導(dǎo)率。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體激光裝置，其中所述蝕刻終止層包含對(duì)所述波導(dǎo)構(gòu)造具有蝕刻選擇比的半導(dǎo)體材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體激光裝置，其中所述分?jǐn)鄻?gòu)造的所述槽具有分?jǐn)嗨龅诙?dǎo)電型的披覆層及所述活性層并到達(dá)至所述第一導(dǎo)電型的披覆層的深度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體激光裝置，其中所述分?jǐn)鄻?gòu)造的所述槽分?jǐn)嗨龅诙?dǎo)電型的披覆層、所述活性層及所述第一導(dǎo)電型的披覆層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體激光裝置，其中所述分?jǐn)鄻?gòu)造的所述槽在相互相鄰的所述波導(dǎo)構(gòu)造之間，以沿所述波導(dǎo)構(gòu)造延伸，且其寬度根據(jù)所述波導(dǎo)構(gòu)造之間的間隔而變化的方式形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體激光裝置，其中所述分?jǐn)鄻?gòu)造在相互相鄰的所述波導(dǎo)構(gòu)造之間，在所述波導(dǎo)構(gòu)造的長度方向上間斷性地形成有多個(gè)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體激光裝置，其中所述波導(dǎo)構(gòu)造具有側(cè)面部垂直豎立的垂直隆起緣。
10.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體激光裝置，其中所述波導(dǎo)構(gòu)造包括：第二導(dǎo)電型的隆起緣披覆層，積層在所述第二導(dǎo)電型的披覆層上；及接觸層，積層在所述隆起緣披覆層上。
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