[發(fā)明專利]OLED器件制造方法、OLED器件及顯示面板在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710338338.1 | 申請日: | 2017-05-15 |
| 公開(公告)號: | CN107146808A | 公開(公告)日: | 2017-09-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李曉虎 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京律智知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11438 | 代理人: | 王輝,闞梓瑄 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | oled 器件 制造 方法 顯示 面板 | ||
1.一種OLED器件制造方法,其特征在于,包括:
在襯底上形成第一電極層;
在所述第一電極層上與像素界定層對應(yīng)的位置處形成一層或多層無機膜;
通過刻蝕方式調(diào)整所述一層或多層無機膜的刻蝕角,使得在形成第一有機層時所述第一有機層在所述刻蝕角處發(fā)生斷裂;
在所述無機膜上形成所述像素界定層;
在所述第一電極層、所述無機膜以及所述像素界定層上形成所述第一有機層;以及
在所述第一有機層上依次形成發(fā)光層、第二有機層以及第二電極層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED器件制造方法,其特征在于,所述無機膜為氮化硅膜或氧化硅膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED器件制造方法,其特征在于,使得在形成第一有機層時所述第一有機層在所述刻蝕角處發(fā)生斷裂包括:
在所述第一有機層包括空穴注入層和空穴傳輸層時,使得在形成所述空穴注入層時所述空穴注入層在所述刻蝕角處發(fā)生斷裂。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED器件制造方法,其特征在于,所述OLED器件制造方法還包括:
對所述像素界定層進行曝光以形成多個開口和多個像素間隔體。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的OLED器件制造方法,其特征在于,所述刻蝕角的角度為90度或負角度。
6.一種OLED器件,其特征在于,包括:
襯底;
第一電極層,設(shè)置在所述襯底上;
一層或多層無機膜,設(shè)置在所述第一電極層上,所述無機膜具有預(yù)設(shè)刻蝕角;
像素界定層,設(shè)置在所述一層或多層無機膜上;
第一有機層,設(shè)置在所述第一電極層、所述無機膜以及所述像素界定層上,并且所述第一有機層在所述無機膜的所述預(yù)設(shè)刻蝕角處發(fā)生斷裂;
依次設(shè)置在所述第一有機層上的發(fā)光層、第二有機層以及第二電極層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的OLED器件,其特征在于,所述無機膜為氮化硅膜或氧化硅膜。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的OLED器件,其特征在于,所述預(yù)設(shè)刻蝕角的角度為90度或負角度。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的OLED器件,其特征在于,所述第一電極層為氧化銦錫/銀/氧化銦錫復合層。
10.一種顯示面板,其特征在于,包括根據(jù)權(quán)利要求6至9中任一項所述的OLED器件。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





