[發明專利]半導體器件及其制造方法

在審

• 申請號: 201710337969.1
• 申請日: 2017-05-15
• 公開（公告）號: CN107464815A
• 公開（公告）日: 2017-12-12
• 發明（設計）人: 三原龍善
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L27/11568
• 分類號: H01L27/11568;H01L27/11573;H01L29/423;H01L29/66;H01L29/78;H01L21/28
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所11256
• 代理人: 李輝,張昊

1.一種半導體器件，包括：

半導體襯底，具有第一區域和第二區域；

多個第一突出物，形成在所述第一區域中，被第一元件隔離部分環繞，并且由所述半導體襯底從所述第一元件隔離部分的頂面突出的部分形成；

多個第二突出物，形成在所述第二區域中，被第二元件隔離部分環繞，并且由所述半導體襯底從所述第二元件隔離部分的頂面突出的部分形成；

第一晶體管和第二晶體管，形成在所述第一突出物之上，在所述第一突出物延伸的方向上彼此相鄰；以及

第三晶體管，形成在所述第二突出物之上，

其中所述第一晶體管包括：

第一絕緣膜，形成在所述第一突出物的頂面上且具有第一厚度，

第二絕緣膜，形成在所述第一突出物的側壁上并具有薄于所述第一厚度的第二厚度，和

第一柵電極，分別經由所述第一絕緣膜和所述第二絕緣膜形成在所述第一突出物的頂面和側壁之上，

其中所述第二晶體管包括：

第三絕緣膜，形成在所述第一突出物的頂面上且具有第三厚度，

第四絕緣膜，形成在第三突出物的側壁上且具有薄于所述第三厚度的第四厚度，和

第二柵電極，分別經由所述第三絕緣膜和所述第四絕緣膜形成在所述第一突出物的頂面和側壁之上，并且

其中所述第三晶體管包括：

第五絕緣膜，形成在所述第二突出物的頂面上并具有第五厚度；和

第三柵電極，經由所述第五絕緣膜形成在所述第二突出物的頂面和側壁之上。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中由在所述第一突出物的頂面之上順次形成第一氧化硅膜和第一氮化硅膜的第一多層膜形成所述第一絕緣膜，并且

其中由在所述第一突出物的頂面之上順次形成第二氧化硅膜和第二氮化硅膜的第二多層膜以及在所述第二多層膜之上順次形成第三氧化硅膜、第一電荷存儲膜和第四氧化物膜的第三多層膜的堆疊膜形成所述第三絕緣膜。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，

其中由第五氧化硅膜形成所述第二絕緣膜，并且

其中由所述第三多層膜形成所述第四絕緣膜。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中由在所述第一突出物的頂面之上順次形成第六氧化硅膜和第三氮化硅膜的第四多層膜形成所述第一絕緣膜，并且

其中由在所述第一突出物的頂面之上順次形成第七氧化硅膜、第二電荷存儲膜和第八氧化硅膜的第五多層膜形成所述第三絕緣膜。

5.根據權利要求4所述的半導體器件，

其中由第九氧化硅膜形成所述第二絕緣膜，

其中由在所述第一突出物的側壁之上順次形成第十氧化硅膜、所述第二電荷存儲膜和所述第八氧化硅膜的第六多層膜形成所述第四絕緣膜，并且

其中所述第十氧化硅膜的厚度薄于所述第七氧化硅膜的厚度。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中由第十一氧化硅膜形成所述第一絕緣膜，并且

其中由在所述第一突出物的頂面之上順次形成第十二氧化硅膜、第三電荷存儲膜和第十三氧化硅膜的第七多層膜形成所述第三絕緣膜。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，

其中由第十四氧化硅膜形成所述第二絕緣膜，

其中由在所述第一突出物的側壁之上順次形成第十五氧化硅膜、所述第三電荷存儲膜和所述第十三氧化硅膜的第八多層膜形成所述第四絕緣膜，并且

其中所述第十五氧化硅膜的厚度薄于所述第十二氧化硅膜的厚度。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中所述第二絕緣膜用作所述第一晶體管的第一柵極絕緣膜，

其中所述第四絕緣膜用作所述第二晶體管的第二柵極絕緣膜，并且

其中所述第五絕緣膜用作所述第三晶體管的第三柵極絕緣膜。

9.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中經由所述第四絕緣膜布置所述第一柵電極和所述第二柵電極。

10.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中所述第一晶體管和所述第二晶體管形成非易失性存儲單元。