[發明專利]改進型導熱LED基板及其加工工藝

在審

• 申請號: 201710336755.2
• 申請日: 2017-05-14
• 公開（公告）號: CN108878632A
• 公開（公告）日: 2018-11-23
• 發明（設計）人: 唐伏生
• 申請（專利權）人: 唐伏生
• 主分類號: H01L33/64
• 分類號: H01L33/64;H01L33/62
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明涉及LED燈的基板技術領域，尤其是指一種改進型導熱LED基板，包括基板本體及設置于基板本體的導熱塊，所述基板本體由阻焊層、導電層、絕緣層及金屬基層組成，所述基板本體開設有容置孔，所述導熱塊嵌設于容置孔內。只含有一個絕緣層，不僅簡化了基板的結構，還降低了改進型導熱LED基板的生產成本。其加工工藝步驟：通過熱壓得到基板本體；在基板本體上銑出容置孔，在容置孔的內壁采用電鍍的方式鍍上鎳層或采用噴涂的方式噴上錫層；在導熱塊的底部采用絲網印刷的方式涂印錫膏，并將導熱塊嵌設于容置孔內，最后進行回流焊加工處理。結構更加緊湊穩固，大大提高了基板本體與導熱塊之間熱傳導速率。

技術領域

本發明涉及LED 燈的散熱技術領域，尤其是指一種改進型導熱LED 基板及其加工工藝。

背景技術

由于目前對LED 燈的功率要求越來越大，而LED 燈的體積越來越小，現有的用于LED 燈中的封裝基板的導熱性能己經不能滿足大功率LED 燈的需要，導致大功率LED 燈的品質較差，大大降低了大功率LED 燈的使用壽命，從而阻礙了大功率LED 燈的發展。

現有技術為求承載高功率元件所需的熱傳導能力及電路功能需求，需先將金屬基板、絕緣層及電路層利用熱壓的方式成型，再于此二成型的基板上制作電路，以形成一高功率元件承載基板，該承載基板包括阻焊層、導電層、第一絕緣層、金屬基層和第二絕緣層，由于銅的導熱系數約401W/M.K，鋁的導熱系數約207W/M.K，而絕緣層的導熱系數約為1-3W/M.K，因此LED 基板的導熱障礙是絕緣層，但前述的基板垂直熱傳導能力卻局限于其絕緣層，而使得其使用功率難以進一步提高。

發明內容

本發明要解決的技術問題是提供一種高導熱性能的改進型導熱LED 基板。

本發明還要解決的技術問題是提供一種工藝更加簡單、并有效提高改進型導熱

LED 基板導熱性能的加工工藝。

為了解決上述技術問題，本發明采用如下技術方案：一種改進型導熱LED 基板，包括基板本體及設置于基板本體上的導熱塊，所述基板本體由阻焊層、導電層、絕緣層及金屬基層組成，該阻焊層、導電層、絕緣層及金屬基層從上到下依次層疊；所述基板本體開設有容置孔，該容置孔延伸至金屬基層，所述導熱塊嵌設于容置孔內。

其中，所述導熱塊的底面與容置孔的底部之間涂裝有錫膏。

其中，所述導熱塊的外壁與容置孔的內壁之間設有鎳層或錫層。

其中，所述導熱塊由紫銅材料制成。

其中，所述導電層為由銅制成的銅箔。

一種加工改進型導熱LED 基板的工藝，包括如下工藝步驟：

A、將阻焊層、導電層、絕緣層及金屬基層從上到下依次層疊熱壓得到基板本體；

B、在基板本體上采用銑削的方式銑出容置孔，制作與容置孔大小相適應的導熱塊備用；

C、在容置孔的內壁采用電鍍的方式鍍上鎳層或采用噴涂的方式噴上錫層；

在本發明中，所述喇叭形透鏡的長度為28~35 毫米，寬度為14~18 毫米，厚度為

9~13 毫米。

在本發明中，所述喇叭形透鏡采用XY 貝塞爾曲面，X 面對應水平面，Y 面對應鉛垂面；X 面的曲面參數為：權重（W）:0.4~0.6、 位置（P):0.3~0.6、大小（S）:8~12、后面大小（R）：15~20、前面大小（F）：2~5，Y 面的曲面參數為：權重（W）:0.2~0.4、 位置（P):0.4~0.8、大小（S）:7~11、后面大小（R）：6~9、前面大小（F）：1.5~4。

在本發明中，透鏡材料采用PC 光學塑料注塑成形，其光學面的表面粗糙度Ra0.025。