[發明專利]一種電極制作方法及陣列基板的制作方法

在審

• 申請號: 201710336009.3
• 申請日: 2017-05-12
• 公開（公告）號: CN107104044A
• 公開（公告）日: 2017-08-29
• 發明（設計）人: 宮奎;許徐飛
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;合肥京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/3213
• 分類號: H01L21/3213;H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司11274
• 代理人: 申健

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種電極制作方法及陣列基板的制作方法。

背景技術

目前，大尺寸、高分辨率以及高畫質要求的顯示終端已經成為平板顯示技術領域的發展趨勢，而圖像信號的延遲成為制約大尺寸、高分辨率以及高畫質要求的顯示終端的關鍵因素之一?，F有技術中，通常通過選用電阻較小的金屬銅作為陣列基板中薄膜晶體管的各種電極和電極線，從而減小各種電極和電極線的電阻，進而減小陣列基板的圖像信號延遲。

但是，在200℃以下，銅金屬層和薄膜晶體管的有源層中的硅易于通過互擴散作用發生反應，生成具有三硅化銅的化合物，產生很高的接觸電阻，因此在選用銅作為電極和電極線的材料時，需要在銅金屬層上設置其他難熔金屬層作為難熔金屬隔離層，對銅金屬層和有源層進行隔離。

目前，通常使用濕法刻蝕工藝對銅金屬層以及難熔金屬層進行刻蝕，具體地，在難熔金屬隔離層上涂覆光刻膠，通過構圖工藝，形成光刻膠掩膜層，通過該光刻膠掩膜層對難熔金屬隔離層和銅金屬層進行刻蝕，然而實際刻蝕過程中，在對難熔金屬隔離層刻蝕之后，對銅金屬層進行刻蝕時，由于銅與難熔金屬隔離層中金屬的金屬活性不同，因而刻蝕液會與難熔金屬隔離層中的金屬繼續反應，使得難熔金屬隔離層被嚴重的側蝕，導致難熔金屬隔離層上的光刻膠掩膜層部分懸空，進而脫落，這就使得利用剩余的光刻膠掩膜層刻蝕形成的銅電極或銅電極線部分區域變細甚至斷開，導致制作形成的薄膜晶體管的性能較差。

發明內容

本發明的目的在于提供一種電極制作方法、電極及陣列基板，用于防止刻蝕銅金屬層過程中光刻膠掩膜層脫落，提高制作形成的薄膜晶體管的性能。

為達到上述目的，本發明提供一種電極制作方法，采用如下技術方案：

該電極制作方法包括：

在基板上形成銅金屬層；

在所述銅金屬層上形成第一難熔金屬隔離層；

在所述第一難熔金屬隔離層上形成光刻膠掩膜層；

利用所述光刻膠掩膜層，對所述第一難熔金屬隔離層進行濕法刻蝕，形成第一難熔金屬電極圖形；

對所述光刻膠掩膜層進行軟化處理，得到覆蓋所述第一難熔金屬電極圖形的側壁的抗刻蝕層；

以所述抗刻蝕層作為掩膜，對所述銅金屬層進行濕法刻蝕，形成銅電極圖形；

去除所述抗刻蝕層，形成包括所述第一難熔金屬電極圖形和所述銅電極圖形的所述目標電極。

與現有技術相比，本發明提供的電極制作方法具有以下有益效果：

在本發明提供的電極制作方法中，通過在第一難熔金屬隔離層上形成光刻膠掩膜層，并利用光刻膠掩膜層，對第一難熔金屬隔離層進行濕法刻蝕，以形成第一難熔金屬電極圖形，而在對銅金屬層進行濕法刻蝕前，本發明先對該光刻膠掩膜層進行軟化處理，得到能夠覆蓋第一難熔金屬電極圖形的側壁的抗刻蝕層，使得該抗刻蝕層作為掩膜，對銅金屬層進行濕法刻蝕，形成銅電極圖形，這樣在對銅金屬層進行濕法刻蝕的過程中，抗刻蝕層就能夠有效地保護第一難熔金屬電極圖形，隔絕第一難熔金屬電極圖形與刻蝕液接觸，避免了刻蝕液與第一難熔金屬電極圖形中的金屬繼續反應，導致第一難熔金屬電極圖形的側壁被侵蝕的情況發生，進而能夠有效地避免光刻膠掩膜層部分懸空，防止刻蝕銅金屬層過程中的光刻膠掩膜層脫落，使得制作形成的銅電極圖形與目標電極的圖案相同，從而提高了使用該目標電極制作形成的薄膜晶體管的性能。

此外，本發明還提供一種陣列基板的制作方法，采用如下技術方案：

制作所述陣列基板的薄膜晶體管中的柵極、源極、漏極、柵線、數據線、像素電極和公共電極中的一種或多種時，采用上述電極制作方法。

與現有技術相比，本發明提供的陣列基板的制作方法的有益效果與上述電極制作方法的有益效果相同，故此處不再進行贅述。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發明實施例提供的電極制作方法的流程圖；

圖2為本發明實施例中步驟S3結束后形成的第一種結構的示意圖；

圖3為本發明實施例中步驟S4結束后形成的第一種結構的示意圖；

圖4為本發明實施例中步驟S5結束后形成的第一種結構的示意圖；

圖5為本發明實施例中步驟S6結束后形成的第一種結構的示意圖；