[發明專利]一種電極制作方法及陣列基板的制作方法

在審

• 申請號: 201710336009.3
• 申請日: 2017-05-12
• 公開（公告）號: CN107104044A
• 公開（公告）日: 2017-08-29
• 發明（設計）人: 宮奎;許徐飛
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;合肥京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/3213
• 分類號: H01L21/3213;H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司11274
• 代理人: 申健

1.一種電極制作方法，其特征在于，包括：

在基板上形成銅金屬層；

在所述銅金屬層上形成第一難熔金屬隔離層；

在所述第一難熔金屬隔離層上形成與光刻膠掩膜層；

利用所述光刻膠掩膜層，對所述第一難熔金屬隔離層進行濕法刻蝕，形成第一難熔金屬電極圖形；

對所述光刻膠掩膜層進行軟化處理，得到覆蓋所述第一難熔金屬電極圖形的側壁的抗刻蝕層；

以所述抗刻蝕層作為掩膜，對所述銅金屬層進行濕法刻蝕，形成銅電極圖形；

去除所述抗刻蝕層，形成包括所述第一難熔金屬電極圖形和所述銅電極圖形的目標電極。

2.根據權利要求1所述的電極制作方法，其特征在于，所述光刻膠掩膜層的材料為正性有機樹脂。

3.根據權利要求1或2所述的電極制作方法，其特征在于，對所述光刻膠掩膜層進行軟化處理的具體步驟包括：

在所述光刻膠掩膜層上噴淋溫度為150℃～200℃的磷酸，加熱所述光刻膠掩膜層，使所述光刻膠掩膜層軟化。

4.根據權利要求1或2所述的電極制作方法，其特征在于，對所述光刻膠掩膜層進行軟化處理的具體步驟包括：

將所述基板移至真空或充滿惰性氣體的加熱腔室中，對所述基板進行加熱，使所述基板的溫度為150℃～200℃，加熱所述光刻膠掩膜層，使所述光刻膠掩膜層軟化。

5.根據權利要求1所述的電極制作方法，其特征在于，所述第一難熔金屬隔離層的材料包含鉬或鈦。

6.根據權利要求1所述的電極制作方法，其特征在于，當所述目標電極為源極、漏極、數據線、像素電極或公共電極時，在基板上形成銅金屬層之前，所述電極制作方法還包括：在所述基板上形成第二難熔金屬隔離層。

7.根據權利要求6所述的電極制作方法，其特征在于，形成銅電極圖形之后，去除所述抗刻蝕層之前，所述電極制作方法還包括：以所述抗刻蝕層作為掩膜，對所述第二難熔金屬隔離層進行濕法刻蝕，形成第二難熔金屬電極圖形。

8.根據權利要求6或7所述的電極制作方法，其特征在于，所述第二難熔金屬隔離層的材料包含鉬或鈦。

9.根據權利要求1所述的電極制作方法，其特征在于，所述目標電極為柵極或柵線。

10.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，制作所述陣列基板的薄膜晶體管中的柵極、源極、漏極、柵線、數據線、像素電極和公共電極中的一種或多種時，采用如權利要求1～9任一項所述的電極制作方法。