[發明專利]芯片切割系統及其控制電路有效
| 申請號: | 201710334858.5 | 申請日: | 2017-05-12 |
| 公開(公告)號: | CN108878310B | 公開(公告)日: | 2022-01-25 |
| 發明(設計)人: | 范杰;段亦鋒 | 申請(專利權)人: | 無錫華潤安盛科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京博思佳知識產權代理有限公司 11415 | 代理人: | 林祥 |
| 地址: | 214028 *** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 芯片 切割 系統 及其 控制電路 | ||
本申請提供一種芯片切割系統及其控制電路。本申請中,所述芯片切割系統的控制電路,包括依次串聯形成控制回路的第一繼電器、第二繼電器、監測裝置以及控制主板,還包括與第二繼電器電連接的第三繼電器;第一繼電器閉合時發泡機通電,在發泡機輸出的水的電阻率處于預設范圍內時,第三繼電器斷開,第二繼電器閉合,控制回路閉合,監測裝置將監測的劃片機工作所需參數輸出至控制主板,控制主板控制劃片機進行切割工作;在電阻率超出預設范圍時,第三繼電器閉合,第二繼電器斷開,控制回路斷開,控制主板控制劃片機停止切割工作。本申請可以及時有效地預防在芯片切割過程中對芯片造成的靜電污染,降低芯片失效的風險并極大的提高產品良率和生產效率。
技術領域
本申請涉及芯片制造加工技術領域,特別涉及一種芯片切割系統及其控制電路。
背景技術
在芯片的劃片過程中,使用高品質的超純水有助于產品良率的提高。然而超純水具有很高的電阻率,幾乎沒有導電性,因此很容易在產品表面產生靜電,對產品造成靜電污染。
相關技術中,可以利用CO2(二氧化碳)發泡機向超純水里注入CO2來調節純水電阻值,以避免在劃片過程中產品表面產生靜電,對產品造成靜電污染。目前,在芯片的劃片過程中,是將CO2發泡機的出水口連接至劃片機切割水的進水口來實現互聯,CO2發泡機可以時時監測電阻率,并在電阻率超出預設范圍時進行報警。
然而,這種方案只能起到監測功能,即使在電阻率超出預設范圍時進行報警,員工也無法及時的發現并處理,也就是說當檢測到電阻率超標時發泡機報警,可是劃片機不會自動停止切割,此時極有可能造成產品的靜電污染或電性能失效。
發明內容
本申請實施例提供一種芯片切割系統及其控制電路,可以及時有效地預防在芯片切割過程中對芯片造成的靜電污染,降低芯片失效的風險并極大的提高產品良率和生產效率。
本申請部分實施例提供了一種芯片切割系統的控制電路,所述芯片切割系統包括發泡機以及與所述發泡機連接的劃片機,所述控制電路與所述芯片切割系統連接;其中,所述控制電路包括:第一繼電器、第二繼電器、第三繼電器、監測裝置以及控制主板;其中,
所述第一繼電器、所述第二繼電器、所述控制主板以及所述監測裝置依次串聯形成控制回路;所述第三繼電器與所述第二繼電器電連接;
所述第一繼電器閉合時所述發泡機通電工作,在所述發泡機輸出的水溶劑的電阻率處于預設范圍內時,所述第三繼電器失電斷開,所述第二繼電器失電閉合,所述控制回路閉合,所述監測裝置將監測的所述劃片機工作所需參數輸出至所述控制主板,所述控制主板在接收到所述工作所需參數時控制所述劃片機進行切割工作;
在所述電阻率超出所述預設范圍時,所述第三繼電器得電閉合,所述第二繼電器得電斷開,所述控制回路斷開,所述控制主板控制所述劃片機停止切割工作。
本申請部分實施例所達到的主要技術效果是:通過第一繼電器、所述第二繼電器、所述控制主板以及所述監測裝置依次串聯形成控制回路,且將第三繼電器與所述第二繼電器電連接,可以在所述電阻率超出所述預設范圍時,斷開控制回路,進而,控制所述劃片機停止切割工作。這樣,可以在發泡機提供的切割水的電阻率異常時及時使得劃片機停止切割芯片,及時有效地預防在芯片切割過程中對芯片造成的靜電污染,降低芯片失效的風險并極大的提高產品良率和生產效率。
在一個實施例中,所述監測裝置可為流量計,所述工作所需參數可為所述劃片機的主軸冷卻水流量。由于主軸冷卻水信號是直接連接劃片機的主軸的,如果出現主軸冷卻水信號異常,比如無信號,主軸會在控制主板的控制下立即停止動作,進而停止切割芯片,而在消除信號異常后又可直接恢復切割,無需復位等處理,可以減少處理系統異常的時間,有利于提高生產效率。
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H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





