[發(fā)明專利]銅系金屬膜的蝕刻液組合物及其應用

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710333963.7
• 申請日: 2017-05-12
• 公開（公告）號: CN107365996B
• 公開（公告）日: 2021-08-24
• 發(fā)明（設計）人: 田玹守;金相泰;林大成;崔容碩
• 申請（專利權）人: 東友精細化工有限公司
• 主分類號: C23F1/18
• 分類號: C23F1/18;G06F3/041
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 鐘晶;鐘海勝

本發(fā)明涉及銅系金屬膜的蝕刻液組合物及其應用。上述銅系金屬膜的蝕刻液組合物的特征在于，相對于組合物總重量，包含過氧化氫5～30重量％、含氟化合物0.01～1.0重量％、環(huán)狀胺化合物0.1～5重量％、磷酸鹽化合物0.1～5.0重量％、一個分子內具有氮原子和羧基的水溶性化合物0.1～5重量％、多元醇型表面活性劑0.1～5.0重量％、腐蝕電位調節(jié)劑0.5～10.0重量％及余量的水，上述組合物中測定的鉬或鉬合金腐蝕電位為?0.8V～?0.2V。

技術領域

本發(fā)明涉及銅系金屬膜的蝕刻液組合物及使用其的顯示裝置用陣列基板的制造方法、觸摸傳感器基板的制造方法以及銅系金屬膜的蝕刻方法。

背景技術

半導體裝置中，在基板上形成金屬配線的過程通常由利用如下工序的步驟構成：利用濺射等的金屬膜形成工序；利用光致抗蝕劑涂布、曝光及顯影的在所選區(qū)域的光致抗蝕劑形成工序；及蝕刻工序，并且包括個別單元工序前后的清洗工序等。這樣的蝕刻工序是指，將光致抗蝕劑設為掩模，在所選區(qū)域留下金屬膜的工序，通常使用利用等離子體等的干式蝕刻或利用蝕刻液組合物的濕式蝕刻。

在這樣的半導體裝置中，近年來，金屬配線的電阻成為主要被關注的問題。這是因為電阻是誘發(fā)RC信號延遲的主要因素，特別是在薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD，thinfilm transistor-liquid crystal display)的情況下，成為增加面板大小及實現高分辨率的技術開發(fā)的關鍵。由此，為了實現TFT-LCD的大型化中所必需的RC信號延遲的減小，必須開發(fā)低電阻的物質。因此，實際情況是，以往主要使用的鉻(Cr，電阻率：12.7×10^-8Ωm)、鉬(Mo，電阻率：5×10^-8Ωm)、鋁(Al，電阻率：2.65×10^-8Ωm)以及它們的合金難以利用于大型TFT-LCD中使用的柵極和數據配線等。

在這樣的背景下，作為新的低電阻金屬膜，被高度關注的是銅膜和銅鉬膜等銅系金屬膜及其蝕刻液組合物。然而，在針對銅系金屬膜的蝕刻液組合物的情況下，目前雖然使用許多種類，但實際情況是，無法滿足使用者所要求的性能。

因此，對于如下蝕刻液組合物的需求增加：在蝕刻由銅系金屬膜形成的單層或多層金屬層時，一并蝕刻并形成圖案，沒有蝕刻后的銅系金屬膜的界面變形，實現直進性優(yōu)異的錐角輪廓，因不產生殘渣而不發(fā)生電短路、配線的不良或亮度的降低等問題。

現有技術問題

專利文獻

專利文獻1：韓國公開專利公報第10-2010-0090538號(公開日：2010年08月16日，名稱：液晶顯示裝置用陣列基板的制造方法)

發(fā)明內容

所要解決的課題

本發(fā)明的目的在于，提供在銅系金屬層的濕式蝕刻時，能夠根據鉬或鉬合金的腐蝕電位實現微細圖案或厚膜圖案的銅系金屬膜的蝕刻液組合物。

此外，本發(fā)明的目的在于，提供能夠實現薄膜晶體管顯示裝置的構成薄膜晶體管(TFT，Thin film transistor)的柵極電極和柵極配線以及源電極/漏電極和數據配線的一并蝕刻的銅系金屬膜的蝕刻液組合物。

此外，本發(fā)明的目的在于，提供使用與上述相同的銅系金屬膜的蝕刻液組合物的銅系金屬膜的蝕刻方法。

此外，本發(fā)明的目的在于，提供使用與上述相同的銅系金屬膜的蝕刻液組合物的顯示裝置用陣列基板的制造方法。

此外，本發(fā)明的目的在于，提供使用與上述相同的銅系金屬膜的蝕刻液組合物的觸摸傳感器基板的制造方法。

解決課題的方法