[發(fā)明專利]銅系金屬膜的蝕刻液組合物及其應(yīng)用有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710333963.7 | 申請日： | 2017-05-12 |
| 公開（公告）號： | CN107365996B | 公開（公告）日： | 2021-08-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 田玹守;金相泰;林大成;崔容碩 | 申請（專利權(quán)）人： | 東友精細(xì)化工有限公司 |
| 主分類號： | C23F1/18 | 分類號： | C23F1/18;G06F3/041 |
| 代理公司： | 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243 | 代理人： | 鐘晶;鐘海勝 |
| 地址： | 韓國全*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 金屬膜 蝕刻 組合 及其 應(yīng)用 | ||
1.一種顯示裝置用陣列基板的制造方法，其特征在于，包括：
在基板上形成柵極配線的步驟；
在包含所述柵極配線的基板上形成柵極絕緣層的步驟；
在所述柵極絕緣層上形成半導(dǎo)體層的步驟；
在所述半導(dǎo)體層上形成源電極和漏電極的步驟；及
形成與所述漏電極連接的像素電極的步驟，
所述在基板上形成柵極配線的步驟包括：在基板上形成銅系金屬膜，并以銅系金屬膜的蝕刻液組合物蝕刻所述銅系金屬膜而形成柵極配線的步驟，
所述在所述半導(dǎo)體層上形成源電極和漏電極的步驟包括：形成銅系金屬膜，并以銅系金屬膜的蝕刻液組合物蝕刻所述銅系金屬膜而形成源電極和漏電極的步驟，
所述銅系金屬膜的蝕刻液組合物相對于組合物總重量包含：過氧化氫5～30重量％、含氟化合物0.01～1.0重量％、環(huán)狀胺化合物0.1～5重量％、磷酸鹽化合物0.1～5.0重量％、一個分子內(nèi)具有氮原子和羧基的水溶性化合物0.1～5重量％、多元醇型表面活性劑0.1～5.0重量％、腐蝕電位調(diào)節(jié)劑0.5～10.0重量％及余量的水，所述銅系金屬膜的蝕刻液組合物中測定的鉬或鉬合金腐蝕電位為-0.8V～-0.2V，
所述腐蝕電位調(diào)節(jié)劑為選自由乙酸銨、乙酸鈉和乙酸鉀組成的組中的一種或兩種以上，
所述銅系金屬膜為包含鉬層和在所述鉬層上形成的銅層的銅鉬膜、或者為包含鉬合金層和在所述鉬合金層上形成的銅層的銅鉬合金膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置用陣列基板的制造方法，其特征在于，所述顯示裝置用陣列基板為薄膜晶體管陣列基板。
3.一種觸摸傳感器基板的制造方法，其特征在于，包括：
在基板上形成柵極配線的步驟；
在包含所述柵極配線的基板上形成柵極絕緣層的步驟；
在所述柵極絕緣層上形成半導(dǎo)體層的步驟；
在所述半導(dǎo)體層上形成源電極和漏電極的步驟；
形成與所述漏電極連接的像素電極的步驟；及
形成觸摸傳感器配線的步驟，
所述在基板上形成柵極配線的步驟包括：在基板上形成銅系金屬膜，并以銅系金屬膜的蝕刻液組合物蝕刻所述銅系金屬膜而形成柵極配線的步驟，
所述在所述半導(dǎo)體層上形成源電極和漏電極的步驟包括：形成銅系金屬膜，并以銅系金屬膜的蝕刻液組合物蝕刻所述銅系金屬膜而形成源電極和漏電極的步驟，
所述銅系金屬膜的蝕刻液組合物相對于組合物總重量包含：過氧化氫5～30重量％、含氟化合物0.01～1.0重量％、環(huán)狀胺化合物0.1～5重量％、磷酸鹽化合物0.1～5.0重量％、一個分子內(nèi)具有氮原子和羧基的水溶性化合物0.1～5重量％、多元醇型表面活性劑0.1～5.0重量％、腐蝕電位調(diào)節(jié)劑0.5～10.0重量％及余量的水，所述銅系金屬膜的蝕刻液組合物中測定的鉬或鉬合金腐蝕電位為-0.8V～-0.2V，
所述腐蝕電位調(diào)節(jié)劑為選自由乙酸銨、乙酸鈉和乙酸鉀組成的組中的一種或兩種以上，
所述銅系金屬膜為包含鉬層和在所述鉬層上形成的銅層的銅鉬膜、或者為包含鉬合金層和在所述鉬合金層上形成的銅層的銅鉬合金膜。
4.一種銅系金屬膜的蝕刻液組合物，其特征在于，相對于組合物總重量包含：
過氧化氫5～30重量％、
含氟化合物0.01～1.0重量％、
環(huán)狀胺化合物0.1～5重量％、
磷酸鹽化合物0.1～5.0重量％、
一個分子內(nèi)具有氮原子和羧基的水溶性化合物0.1～5.0重量％、
多元醇型表面活性劑0.1～5.0重量％、
腐蝕電位調(diào)節(jié)劑0.5～10.0重量％、及
余量的水，
所述組合物中測定的鉬或鉬合金腐蝕電位為-0.8V～-0.2V，
所述腐蝕電位調(diào)節(jié)劑為選自由乙酸銨、乙酸鈉和乙酸鉀組成的組中的一種或兩種以上，
所述銅系金屬膜為包含鉬層和在所述鉬層上形成的銅層的銅鉬膜、或者為包含鉬合金層和在所述鉬合金層上形成的銅層的銅鉬合金膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的銅系金屬膜的蝕刻液組合物，其特征在于，所述含氟化合物為選自由NH4F·HF、KF·HF、NaF·HF、NH4F、KF和NaF組成的組中的一種或兩種以上。
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