[發明專利]體聲波濾波器裝置

有效

• 申請號: 201710333369.8
• 申請日: 2017-05-12
• 公開（公告）號: CN107786181B
• 公開（公告）日: 2021-03-12
• 發明（設計）人: 李泰京;姜龍進;李文喆;吉宰亨;林昶賢;金泰潤
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H03H9/02
• 分類號: H03H9/02;H03H9/05;H03H9/54
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 錢海洋;金光軍

1.一種體聲波濾波器裝置，包括：

基板；

下電極層，設置在所述基板上；

鍵合部，設置在所述下電極層上并且處于所述基板的邊緣；

接地部，與所述鍵合部隔開；及

抑制流動部，設置在所述鍵合部和所述接地部之間，并相對于所述鍵合部和所述接地部偏移。

2.根據權利要求1所述的體聲波濾波器裝置，其中，所述抑制流動部相對于所述鍵合部和所述接地部垂直地形成臺階。

3.根據權利要求1所述的體聲波濾波器裝置，其中，所述抑制流動部比所述接地部和所述鍵合部薄。

4.根據權利要求3所述的體聲波濾波器裝置，其中，所述抑制流動部包括壓電層，所述壓電層設置在所述下電極層上，并位于所述接地部和所述鍵合部之間。

5.根據權利要求4所述的體聲波濾波器裝置，其中，所述抑制流動部還包括設置在所述壓電層上的保護層。

6.根據權利要求4所述的體聲波濾波器裝置，其中，所述抑制流動部還包括設置在所述壓電層上的上電極層。

7.根據權利要求6所述的體聲波濾波器裝置，其中，所述抑制流動部還包括設置在所述上電極層上的保護層。

8.根據權利要求1所述的體聲波濾波器裝置，其中，所述抑制流動部比所述接地部厚。

9.根據權利要求8所述的體聲波濾波器裝置，其中，所述抑制流動部包括壓電層和壩層，所述壓電層比所述接地部和所述鍵合部薄，所述壩層設置在所述壓電層上并且高出所述接地部。

10.根據權利要求9所述的體聲波濾波器裝置，其中，所述抑制流動部還包括設置在所述壓電層和所述壩層之間的保護層。

11.根據權利要求9所述的體聲波濾波器裝置，其中，所述抑制流動部還包括設置在所述壓電層和所述壩層之間的上電極層。

12.根據權利要求9所述的體聲波濾波器裝置，其中，所述抑制流動部還包括設置在所述壓電層上的上電極層以及設置在所述上電極層上的保護層。

13.根據權利要求1所述的體聲波濾波器裝置，其中，所述鍵合部包括基層和密封層，所述基層的厚度與所述接地部的厚度相同，所述密封層設置在所述基層的邊緣。

14.根據權利要求1所述的體聲波濾波器裝置，其中，所述接地部和所述鍵合部包含金、金-錫合金、銅和銅-錫合金中的任意一種。

15.根據權利要求9所述的體聲波濾波器裝置，其中，所述壩層包含金、金-錫合金、銅和銅-錫合金中的任意一種。

16.一種體聲波濾波器裝置，包括：

基板；

下電極層，設置在所述基板上；

鍵合部，包括設置在所述下電極層上的基層和設置在所述基層的邊緣的密封層；

接地部，與所述鍵合部隔開；及

抑制流動部，設置在所述鍵合部和所述接地部之間，并具有與所述接地部的厚度不同的厚度。

17.根據權利要求16所述的體聲波濾波器裝置，其中，

所述基層的厚度與所述接地部的厚度相同；

所述抑制流動部比所述基層和所述接地部薄，或者比所述基層和所述接地部厚。

18.根據權利要求16所述的體聲波濾波器裝置，其中，所述抑制流動部包括壓電層和壩層，所述壓電層設置在所述下電極層上，所述壩層設置在所述壓電層上并高出所述接地部。

19.根據權利要求18所述的體聲波濾波器裝置，其中，所述壩層被構造為在所述鍵合部被熔化時防止所述密封層流向所述接地部。

20.根據權利要求18所述的體聲波濾波器裝置，其中，所述壓電層包含氮化鋁、摻雜后的氮化鋁、氧化鋅或鋯鈦酸鉛中的任意一種，所述壩層包含金、金-錫合金、銅和銅-錫合金中的任意一種。