[發明專利]體聲波濾波器裝置

有效

• 申請號: 201710333369.8
• 申請日: 2017-05-12
• 公開（公告）號: CN107786181B
• 公開（公告）日: 2021-03-12
• 發明（設計）人: 李泰京;姜龍進;李文喆;吉宰亨;林昶賢;金泰潤
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H03H9/02
• 分類號: H03H9/02;H03H9/05;H03H9/54
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 錢海洋;金光軍

本申請要求于2016年8月26日在韓國知識產權局提交的第10-2016-0108974號韓國專利申請的優先權和權益，所述韓國專利申請的全部公開內容出于所有目的通過引用被包含于此。

技術領域

本公開涉及一種體聲波濾波器裝置。

背景技術

近來，在無線通信系統領域，使用體聲波(BAW)濾波器裝置的裝置作為用于獲得小型化、多功能和高性能的必要部件已經起到了重要作用。同時，為了提供體聲波濾波器裝置的期望特性，可能會需求能夠在真空狀態下保持可靠密封以阻止水分和其它外部元素滲入的全密封。

也就是說，在制造體聲波濾波器裝置時，已經采用晶圓級鍵合(bonding)技術以保持全密封。為此，可在基板晶圓和蓋晶圓的邊緣設置用于全密封的鍵合部。

體聲波濾波器裝置可設置有接地部，接地部可被設置在基板晶圓上，并被設置為與鍵合部相鄰。然而，可能存在以下問題：在通過熔化工藝鍵合鍵合部時，鍵合部的熔化部分會流入接地部。

發明內容

提供本發明內容以簡化形式介紹以下在具體實施方式中進一步描述的選擇的發明構思。本發明內容不意圖限定所要求保護的主題的關鍵特征或基本特征，本發明內容也不意圖用于幫助確定所要求保護的主題的范圍。

在一個總體方面，一種體聲波濾波器裝置包括：基板；下電極層，設置在所述基板上；鍵合部，設置在所述下電極層上并且處于所述基板的邊緣；接地部，與所述鍵合部隔開；抑制流動部，設置在所述鍵合部和所述接地部之間，并相對于所述鍵合部和所述接地部偏移。

所述抑制流動部可以相對于所述鍵合部和所述接地部垂直地形成臺階。

所述抑制流動部可以比所述接地部和所述鍵合部薄。

所述抑制流動部可包括壓電層，所述壓電層設置在所述下電極層上，并位于所述接地部和所述鍵合部之間。

所述抑制流動部還可包括設置在所述壓電層上的保護層。

所述抑制流動部還可包括設置在所述壓電層上的上電極層。

所述抑制流動部還可包括設置在所述上電極層上的保護層。

所述抑制流動部可以比所述接地部厚。

所述抑制流動部可包括壓電層和壩層，所述壓電層比所述接地部和所述鍵合部薄，所述壩層設置在所述壓電層上并且高出所述接地部。

所述抑制流動部還可包括設置在所述壓電層和所述壩層之間的保護層。

所述抑制流動部還可包括設置在所述壓電層和所述壩層之間的上電極層。

所述抑制流動部還可包括設置在所述壓電層上的上電極層以及設置在所述上電極層上的保護層。

所述鍵合部可包括基層和密封層，所述基層的厚度與所述接地部的厚度相同，所述密封層設置在所述基層的邊緣。

所述接地部和所述鍵合部可包含金(Au)、金-錫(Au-Sn)合金、銅(Cu)和銅-錫(Cu-Sn)合金中的任意一種。

所述壩層可包含金(Au)、金-錫(Au-Sn)合金、銅(Cu)和銅-錫(Cu-Sn)合金中的任意一種。

在另一總體方面，一種體聲波濾波器裝置包括：基板；下電極層，設置在所述基板上；鍵合部，包括設置在所述下電極層上的基層和設置在所述基層的邊緣的密封層；接地部，與所述鍵合部隔開；抑制流動部，設置在所述鍵合部和所述接地部之間，并具有與所述接地部的厚度不同的厚度。

所述基層的厚度可以與所述接地部的厚度相同，所述抑制流動部可以比所述基層和所述接地部薄，或者比所述基層和所述接地部厚。

所述抑制流動部可包括壓電層和壩層，所述壓電層設置在所述下電極層上，所述壩層設置在所述壓電層上。

所述壩層可高出所述接地部，并可被構造為在鍵合部被熔化時防止所述密封層流向所述接地部。

所述壓電層包含氮化鋁、摻雜后的氮化鋁、氧化鋅或鋯鈦酸鉛中的任意一種，所述壩層包含金、金-錫合金、銅和銅-錫合金中的任意一種。

其它特征和方面將通過下面的具體實施方式、附圖和權利要求而顯而易見。

附圖說明

圖1是示出根據實施例的體聲波濾波器裝置的構造的平面圖。

圖2是圖1的A部分的示意性截面圖。

圖3是圖1的A部分的變型示例的示意性截面圖。

圖4是圖1的A部分的另一變型示例的示意性截面圖。

圖5是圖1的A部分的另一變型示例的示意性截面圖。

圖6是圖1的A部分的另一變型示例的示意性截面圖。

圖7是圖1的A部分的另一變型示例的示意性截面圖。