[發(fā)明專利]U形金屬氧化物半導(dǎo)體組件及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710333318.5
• 申請日: 2017-05-12
• 公開（公告）號: CN108878527B
• 公開（公告）日: 2021-09-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳柏安;許健;C·阿亞迪普;陳正龍
• 申請（專利權(quán)）人: 新唐科技股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 賈磊

1.一種U形金屬氧化物半導(dǎo)體組件的制造方法，其特征在于，包括：

在形成于一基底的第一表面上的一外延層內(nèi)形成一U形溝渠；

于所述U形溝渠內(nèi)形成一柵氧化層；

于具有所述柵氧化層的所述U形溝渠內(nèi)形成一溝渠式柵極；

至少在所述柵氧化層上覆蓋一罩幕層；

以所述罩幕層作為阻擋罩幕，進(jìn)行P型基極植入步驟，以在所述外延層中植入P型摻質(zhì)；

進(jìn)行驅(qū)入步驟，以在所述外延層中形成一P型基極區(qū)；

于所述溝渠式柵極的兩側(cè)的所述P型基極區(qū)內(nèi)形成一源極；以及

于所述基底的第二表面上形成一漏極，其中所述第二表面位在所述第一表面的相對面；

其中所述柵氧化層與所述溝渠式柵極的界面具有第一p型摻雜濃度、所述柵氧化層與所述P型基極區(qū)的界面具有第二p型摻雜濃度，且所述第二p型摻雜濃度為所述第一p型摻雜濃度的100倍至10000倍。

2.如權(quán)利要求1所述的U形金屬氧化物半導(dǎo)體組件的制造方法，其特征在于，覆蓋所述罩幕層的方法包括：

在所述外延層、所述柵氧化層與所述溝渠式柵極上涂布一第一光阻層；以及

圖案化所述第一光阻層。

3.如權(quán)利要求2所述的U形金屬氧化物半導(dǎo)體組件的制造方法，其特征在于，圖案化所述第一光阻層的步驟包括去除所述外延層的表面上的所述第一光阻層，并保留所述柵氧化層與所述溝渠式柵極上的所述第一光阻層。

4.如權(quán)利要求2所述的U形金屬氧化物半導(dǎo)體組件的制造方法，其特征在于，圖案化所述第一光阻層的步驟包括去除所述外延層的表面上以及部分所述溝渠式柵極上的所述第一光阻層，并保留所述柵氧化層上的所述第一光阻層。

5.如權(quán)利要求1所述的U形金屬氧化物半導(dǎo)體組件的制造方法，其特征在于，所述罩幕層的覆蓋區(qū)域大于或等于所述柵氧化層的頂面。

6.如權(quán)利要求1所述的U形金屬氧化物半導(dǎo)體組件的制造方法，其特征在于，形成所述源極的步驟包括：

在所述外延層上形成露出所述溝渠式柵極的兩側(cè)的所述P型基極區(qū)的一第二光阻層；以及

進(jìn)行N++植入步驟。

7.一種U形金屬氧化物半導(dǎo)體組件，其特征在于，包括：

一基底，具有相對的第一表面與第二表面；

一外延層，形成于所述基底的所述第一表面上，且所述外延層具有一U形溝渠；

一P型基極區(qū)，形成于所述外延層中，且所述U形溝渠貫穿所述P型基極區(qū)；

一溝渠式柵極，形成于所述U形溝渠內(nèi)；

一柵氧化層，位于所述溝渠式柵極與所述P型基極區(qū)之間的所述U形溝渠內(nèi)，其中所述柵氧化層與所述溝渠式柵極的界面具有第一p型摻雜濃度、所述柵氧化層與所述P型基極區(qū)的界面具有第二p型摻雜濃度，且所述第二p型摻雜濃度為所述第一p型摻雜濃度的100倍至10000倍；

一源極，位于所述溝渠式柵極的兩側(cè)的所述P型基極區(qū)內(nèi)；以及

一漏極，形成于所述基底的所述第二表面上。

8.如權(quán)利要求7所述的U形金屬氧化物半導(dǎo)體組件，其特征在于，所述第二p型摻雜濃度為1E17/cm³～1E18/cm³。

9.如權(quán)利要求7所述的U形金屬氧化物半導(dǎo)體組件，其特征在于，更包括：

一P型重?fù)诫s區(qū)，形成于所述源極的外側(cè)的所述P型基極區(qū)內(nèi)；以及

至少一接觸窗插塞，連接至所述源極與所述P型重?fù)诫s區(qū)。

10.如權(quán)利要求9所述的U形金屬氧化物半導(dǎo)體組件，其特征在于，所述P型重?fù)诫s區(qū)的頂面低于所述源極的頂面，且所述接觸窗插塞與所述源極的一側(cè)面接觸。