[發(fā)明專利]晶片封裝體與其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710333092.9 | 申請日: | 2017-05-12 |
| 公開(公告)號: | CN107369695B | 公開(公告)日: | 2019-12-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 關(guān)欣;黃進(jìn)清;鄭家明 | 申請(專利權(quán))人: | 精材科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 11277 北京林達(dá)劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人: | 劉新宇 |
| 地址: | 中國臺灣桃園市中*** | 國省代碼: | 中國臺灣;TW |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 晶片 封裝 與其 制造 方法 | ||
一種晶片封裝體與其制造方法。晶片封裝體包含感測晶片、運算晶片與環(huán)狀圍繞感測晶片與運算晶片的保護(hù)層。感測晶片具有第一導(dǎo)電墊、感測元件以及相對的第一表面及第二表面,且感測元件位于第一表面上。運算晶片具有第二導(dǎo)電墊及運算元件。保護(hù)層以層壓的方式形成,且至少暴露該感測元件。晶片封裝體還包含位于該感測晶片的第二表面下的導(dǎo)電層,導(dǎo)電層延伸接觸第一導(dǎo)電墊與第二導(dǎo)電墊。本發(fā)明能降低漏電流,并提升可靠度測試時的保護(hù)效果。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明是有關(guān)一種晶片封裝體及其制造方法。
背景技術(shù)
隨著電子或光電產(chǎn)品諸如數(shù)字相機(jī)(digital camera)、數(shù)字?jǐn)z錄象機(jī)(digitalvideo recorder)、移動電話(mobile phone)、太陽能電池、屏幕以及照明設(shè)備需求的增加,半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展的相當(dāng)快速,且半導(dǎo)體晶片的尺寸有微縮化(miniaturization)的趨勢,而其功能也變得更為復(fù)雜。
上述光電產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)里,光感測元件在擷取影像的應(yīng)用中扮演著重要的角色。這些光電元件獨自封裝成晶片封裝體,再通過外部導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電性連結(jié)至具有運算元件或控制元件的晶片封裝體,以形成完整的半導(dǎo)體裝置。然而,上述的方法將使得半導(dǎo)體封裝的困難度增加而良率降低,且會增加半導(dǎo)體裝置的體積尺寸。因此,有必要尋求一種新的封裝體結(jié)構(gòu)與封裝方法,其能夠解決上述的問題。
發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述的問題,本發(fā)明提供一種晶片封裝體及其制造方法,能將感測晶片與運算晶片封裝在同一晶片封裝體內(nèi)。此外,通過本發(fā)明的新穎制造方法所形成的環(huán)狀圍繞感測晶片與運算晶片的保護(hù)層,能降低漏電流與提升可靠度測試時的保護(hù)效果。
本發(fā)明的一態(tài)樣是提供一種晶片封裝體。晶片封裝體包含感測晶片,其具有第一導(dǎo)電墊、感測元件以及相對的第一表面與第二表面,且感測元件位于第一表面上且電性連接至第一導(dǎo)電墊;運算晶片,具有第二導(dǎo)電墊和運算元件;保護(hù)層,環(huán)狀圍繞感測晶片與運算晶片,并暴露感測晶片的感測元件;以及導(dǎo)電層,位于感測晶片的第二表面上,并延伸接觸第一導(dǎo)電墊與第二導(dǎo)電墊。
根據(jù)本發(fā)明的一些實施例,晶片封裝體還包含透明基板,位于感測晶片的第一表面上,并連結(jié)至感測晶片與運算晶片。
根據(jù)本發(fā)明的一些實施例,感測晶片通過圍堰結(jié)構(gòu)連結(jié)至透明基板。
根據(jù)本發(fā)明的一些實施例,運算晶片通過第二圍堰結(jié)構(gòu)連結(jié)至透明基板。
根據(jù)本發(fā)明的一些實施例,運算晶片通過平板結(jié)構(gòu)連結(jié)至透明基板。
根據(jù)本發(fā)明的一些實施例,晶片封裝體還包含位于感測晶片與導(dǎo)電層之間和運算晶片與導(dǎo)電層之間的絕緣層。
根據(jù)本發(fā)明的一些實施例,晶片封裝體還包含位于導(dǎo)電層之上且電性連接至導(dǎo)電層的外部導(dǎo)電連結(jié)。
本發(fā)明的一態(tài)樣是提供一種晶片封裝體的制造方法。此方法先提供晶片,該晶片具有導(dǎo)電墊以及相對的第一表面和第二表面;接著層壓保護(hù)層于晶片的第二表面上,并環(huán)狀圍繞晶片;去除一部分的保護(hù)層以暴露至少一部分的第一表面、一部分的第二表面或其組合;然后于晶片的第二表面上形成導(dǎo)電層,且該導(dǎo)電層延伸接觸導(dǎo)電墊。
根據(jù)本發(fā)明的一些實施例,晶片為多個晶片。
根據(jù)本發(fā)明的一些實施例,至少一部分晶片為感測晶片,感測晶片具有感測元件于晶片的第一表面之上。
根據(jù)本發(fā)明的一些實施例,至少一部分晶片為運算晶片,運算晶片具有運算元件。
根據(jù)本發(fā)明的一些實施例,于層壓保護(hù)層之前,晶片封裝體的制造方法還包含粘結(jié)晶片的第一表面至載體基板。
根據(jù)本發(fā)明的一些實施例,于形成導(dǎo)電層之后,晶片封裝體的制造方法還包含移除載體基板。
根據(jù)本發(fā)明的一些實施例,晶片封裝體的制造方法還包含連結(jié)晶片的第一表面至透明基板。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于精材科技股份有限公司,未經(jīng)精材科技股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710333092.9/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:顯示面板及顯示裝置
- 下一篇:傳感器模塊及制造方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





