[發(fā)明專利]間隔物整合的方法及所產(chǎn)生的裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710331380.0
• 申請(qǐng)日: 2017-05-11
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107425058B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-01-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 喬治·羅伯特·姆芬格;R·施波雷爾;R·J·卡特;彼特·巴爾斯;H·J·特厄斯;J·亨切爾
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 格羅方德半導(dǎo)體公司
• 主分類號(hào): H01L29/423
• 分類號(hào): H01L29/423;H01L21/28
• 代理公司: 北京戈程知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽(yáng)

1.一種用于間隔物整合的方法，包含：

在襯底上提供p型場(chǎng)效應(yīng)晶體管PFET核心裝置SG與I/O裝置EG柵極結(jié)構(gòu)、n型場(chǎng)效應(yīng)晶體管NFET核心裝置SG與I/O裝置EG柵極結(jié)構(gòu)，該p型場(chǎng)效應(yīng)晶體管PFET及n型場(chǎng)效應(yīng)晶體管NFET結(jié)構(gòu)側(cè)向隔開(kāi)，并且各該p型場(chǎng)效應(yīng)晶體管PFET及該n型場(chǎng)效應(yīng)晶體管NFET結(jié)構(gòu)包括高k金屬柵極HKMG及柵極覆蓋層，其中，該高k金屬柵極HKMG裝置是由該p型場(chǎng)效應(yīng)晶體管PFET及n型場(chǎng)效應(yīng)晶體管NFET核心裝置SG與I/O裝置EG柵極結(jié)構(gòu)形成；

在該襯底上方形成第一保形氮化物層；

在該襯底上方形成氧化物襯墊；

在該p型場(chǎng)效應(yīng)晶體管PFET及n型場(chǎng)效應(yīng)晶體管NFET I/O裝置EG柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上形成第二保形氮化物層；

移除該第一保形氮化物層及該氧化物襯墊在該p型場(chǎng)效應(yīng)晶體管PFET核心裝置SG與I/O裝置EG柵極結(jié)構(gòu)及襯底上方的水平部分；

在各該p型場(chǎng)效應(yīng)晶體管PFET核心裝置SG與I/O裝置EG柵極結(jié)構(gòu)的對(duì)立側(cè)上形成隆起源極/漏極RSD結(jié)構(gòu)；

移除該第一保形氮化物層及該氧化物襯墊在該n型場(chǎng)效應(yīng)晶體管NFET核心裝置SG與I/O裝置EG柵極結(jié)構(gòu)及襯底上方的水平部分；以及

在各該n型場(chǎng)效應(yīng)晶體管NFET核心裝置SG與I/O裝置EG柵極結(jié)構(gòu)的對(duì)立側(cè)上形成隆起源極/漏極RSD結(jié)構(gòu)。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其包含在該p型場(chǎng)效應(yīng)晶體管PFET及n型場(chǎng)效應(yīng)晶體管NFET I/O裝置EG柵極結(jié)構(gòu)的該側(cè)壁上形成第二保形氮化物層是通過(guò)下列步驟：

在該襯底上方形成該第二保形氮化物層；

將該第二保形氮化物層向下平坦化至該氧化物襯墊；

在該p型場(chǎng)效應(yīng)晶體管PFET及n型場(chǎng)效應(yīng)晶體管NFET I/O裝置EG柵極結(jié)構(gòu)上方形成光阻層；

將該第二保形氮化物層從該p型場(chǎng)效應(yīng)晶體管PFET及n型場(chǎng)效應(yīng)晶體管NFET核心裝置SG柵極結(jié)構(gòu)移除；以及

移除該光阻層。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其包含移除該第一保形氮化物層及該氧化物襯墊在該p型場(chǎng)效應(yīng)晶體管PFET核心裝置SG與I/O裝置EG柵極結(jié)構(gòu)及襯底上方的該水平部分是通過(guò)下列步驟：

在該襯底上方形成硬掩模層；

在該n型場(chǎng)效應(yīng)晶體管NFET核心裝置SG與I/O裝置EG柵極結(jié)構(gòu)上方形成光阻層；

移除該p型場(chǎng)效應(yīng)晶體管PFET核心裝置SG與I/O裝置EG柵極結(jié)構(gòu)上方的該硬掩模層；

將該第一保形氮化物層及該氧化物襯墊向下蝕刻至該襯底；以及

移除該光阻層。

4.如權(quán)利要求3所述的方法，其中，該蝕刻形成位在各該p型場(chǎng)效應(yīng)晶體管PFET核心裝置SG與I/O裝置EG柵極結(jié)構(gòu)的對(duì)立側(cè)上的L形第一保形氮化物層間隔物、及位在該p型場(chǎng)效應(yīng)晶體管PFET I/O裝置EG柵極結(jié)構(gòu)的對(duì)立側(cè)上的L形氧化物襯墊間隔物。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其包含移除該第一保形氮化物層及該氧化物襯墊在該n型場(chǎng)效應(yīng)晶體管NFET核心裝置SG與I/O裝置EG柵極結(jié)構(gòu)及襯底上方的該水平部分是通過(guò)下列步驟：

在該襯底上方形成硬掩模層；

在該p型場(chǎng)效應(yīng)晶體管PFET核心裝置SG與I/O裝置EG柵極結(jié)構(gòu)上方形成光阻層；

移除該n型場(chǎng)效應(yīng)晶體管NFET核心裝置SG與I/O裝置EG柵極結(jié)構(gòu)上方的該硬掩模層；

將該第一保形氮化物層及該氧化物襯墊向下蝕刻至該襯底；

移除該光阻層；以及

移除該p型場(chǎng)效應(yīng)晶體管PFET核心裝置SG與I/O裝置EG柵極結(jié)構(gòu)上方的該硬掩模層。

6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中，該蝕刻形成位在各該n型場(chǎng)效應(yīng)晶體管NFET核心裝置SG與I/O裝置EG柵極結(jié)構(gòu)的對(duì)立側(cè)上的L形第一保形氮化物層間隔物、及位在該n型場(chǎng)效應(yīng)晶體管NFET I/O裝置EG柵極結(jié)構(gòu)的對(duì)立側(cè)上的L形氧化物襯墊間隔物。