[發(fā)明專利]改善光阻殘膜的方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710331331.7
• 申請日: 2017-05-11
• 公開（公告）號: CN107195539A
• 公開（公告）日: 2017-09-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳逸
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027
• 代理公司: 深圳市德力知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所44265
• 代理人: 林才桂

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示器件制程技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種改善光阻殘膜的方法。

背景技術(shù)

平面顯示裝置具有機(jī)身薄、省電、無輻射等眾多優(yōu)點，得到了廣泛地應(yīng)用。現(xiàn)有的平面顯示裝置主要包括液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)及有機(jī)電致發(fā)光顯示器(Organic Light Emitting Display，OLED)。

現(xiàn)有市場上的液晶顯示器大部分為背光型液晶顯示器，其包括殼體、設(shè)于殼體內(nèi)的液晶面板及設(shè)于殼體內(nèi)的背光模組(Backlight Module)。液晶面板通常是由一彩色濾光片(Color Filter，CF)基板、一薄膜晶體管陣列基板(Thin Film Transistor Array Substrate，TFT Array Substrate)以及一配置于兩基板間的液晶層(Liquid Crystal Layer)所構(gòu)成，其中TFT陣列基板上制備有呈陣列式排布的TFT，用于驅(qū)動液晶的旋轉(zhuǎn)，控制每個像素的顯示，而CF基板上設(shè)置有彩色濾光層，用于形成每個像素的色彩。

有機(jī)電致發(fā)光顯示器同樣需要TFT基板，以TFT作為開關(guān)部件和驅(qū)動部件，并在TFT基板上制作出呈陣列式排布的像素結(jié)構(gòu)。

TFT一般包括柵極、半導(dǎo)體有源層、及分別接觸所述半導(dǎo)體有源層兩側(cè)的源極(Source)、與漏極(Drain)。根據(jù)半導(dǎo)體有源層在對應(yīng)于源極及漏極的部位所摻雜(Doping)物質(zhì)的不同，TFT可分為NMOS、PMOS、及CMOS，其中NMOS使用磷(Phosphorus)離子進(jìn)行N型摻雜，PMOS使用硼(Boron)離子進(jìn)行P型摻雜，CMOS則可以使用磷、硼這兩種離子進(jìn)行摻雜。

N型摻雜對半導(dǎo)體有源層的摻雜區(qū)域有選擇性，不需要摻雜的區(qū)域會以光阻(Photoresist，PR)層進(jìn)行遮擋。如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)在進(jìn)行離子摻雜之前會在柵極絕緣層300、及柵極400上涂布光阻層500，然后對光阻層500進(jìn)行烘烤(Bake)以固化光阻，最終使得光阻層500遮蓋半導(dǎo)體有源層200的中部，而暴露出半導(dǎo)體有源層200的兩側(cè)。值得注意的是，現(xiàn)有的烘烤制程按時間先后依次進(jìn)行軟烤(Soft Bake)、與硬烤(Hard Bake)；其中，軟烤又稱為前烘烤，用來將大部分的光阻層溶劑從光阻中去除；硬烤又稱為后烘烤，是在對光阻做顯影處理后所做的再次烘烤，用來進(jìn)一步將光阻內(nèi)殘留的溶劑含量降到最低。

經(jīng)現(xiàn)有的烘烤制程固化后的光阻層500的外輪廓類似橢球狀，光阻層500的橫剖面自上至下越來越大，且在光阻層500與柵極絕緣層300的接觸界面處達(dá)到最大。在離子摻雜進(jìn)行過程中，由于光阻層500自身外輪廓的形狀，光阻層500的全部表面都會發(fā)生變性，形成一層變性層501；后續(xù)剝離光阻層500時，如圖2所示，光阻層500與柵極絕緣層300的接觸界面處所形成的變性層501無法去除而成為光阻殘膜，造成界面不清潔，并由此引發(fā)相關(guān)的產(chǎn)品不良。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種改善光阻殘膜的方法，能夠使得光阻層在其與柵極絕緣層的界面處不會因離子摻雜而變性，避免在光阻層與柵極絕緣層的界面處發(fā)生光阻殘膜問題，易于對界面處的光阻層進(jìn)行清除，保證界面清潔，有助于提高產(chǎn)品良率。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種改善光阻殘膜的方法，包括以下步驟：

步驟S1、提供待進(jìn)行離子摻雜的基板；

步驟S2、在所述基板上涂布液態(tài)光阻，形成光阻層，光阻層的上表面遮蓋住光阻層的下表面與基板的交接處；

步驟S3、對所述光阻層進(jìn)行軟烤使光阻層固化，保持光阻層的形狀不變，使得光阻層的上表面仍遮蓋住光阻層的下表面與基板的交接處；

步驟S4、以所述光阻層為遮擋對基板進(jìn)行離子摻雜制程；

所述光阻層的上表面發(fā)生變性，而光阻層的下表面與基板的交接處不發(fā)生變性；

步驟S5、剝離所述光阻層；

所述光阻層的下表面與基板的交接處無光阻殘膜。

所述基板包括襯底基板、設(shè)在所述襯底基板上的半導(dǎo)體有源層、覆蓋所述半導(dǎo)體有源層與襯底基板的柵極絕緣層、及于半導(dǎo)體有源層中部的上方設(shè)在所述柵極絕緣層上的柵極；

所述步驟S2是在所述基板的柵極與柵極絕緣層上涂布液態(tài)光阻，形成光阻層；

所述光阻層的下表面與基板的交接處即光阻層的下表面與柵極絕緣層的交接處；

所述步驟S4以所述光阻層為遮擋對半導(dǎo)體有源層的兩側(cè)進(jìn)行離子摻雜制程。

所述步驟S4中的離子摻雜制程為N型離子重?fù)诫s、或N型離子輕摻雜。