[發(fā)明專(zhuān)利]改善光阻殘膜的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710331331.7
• 申請(qǐng)日: 2017-05-11
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107195539A
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-09-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳逸
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 武漢華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/027
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/027
• 代理公司: 深圳市德力知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所44265
• 代理人: 林才桂

1.一種改善光阻殘膜的方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟S1、提供待進(jìn)行離子摻雜的基板(1)；

步驟S2、在所述基板(1)上涂布液態(tài)光阻，形成光阻層(5)，光阻層(5)的上表面(51)遮蓋住光阻層(5)的下表面(52)與基板(1)的交接處；

步驟S3、對(duì)所述光阻層(5)進(jìn)行軟烤使光阻層(5)固化，保持光阻層(5)的形狀不變，使得光阻層(5)的上表面(51)仍遮蓋住光阻層(5)的下表面(52)與基板(1)的交接處；

步驟S4、以所述光阻層(5)為遮擋對(duì)基板(1)進(jìn)行離子摻雜制程；

所述光阻層(5)的上表面(51)發(fā)生變性，而光阻層(5)的下表面(52)與基板(1)的交接處不發(fā)生變性；

步驟S5、剝離所述光阻層(5)；

所述光阻層(5)的下表面(52)與基板(1)的交接處無(wú)光阻殘膜。

2.如權(quán)利要求1所述的改善光阻殘膜的方法，其特征在于，所述基板(1)包括襯底基板(11)、設(shè)在所述襯底基板(11)上的半導(dǎo)體有源層(12)、覆蓋所述半導(dǎo)體有源層(12)與襯底基板(11)的柵極絕緣層(13)、及于半導(dǎo)體有源層(12)中部的上方設(shè)在所述柵極絕緣層(13)上的柵極(14)。

3.如權(quán)利要求2所述的改善光阻殘膜的方法，其特征在于，所述步驟S2是在所述基板(1)的柵極(14)與柵極絕緣層(13)上涂布液態(tài)光阻，形成光阻層(5)；

所述光阻層(5)的下表面(52)與基板(1)的交接處即光阻層(5)的下表面(52)與柵極絕緣層(13)的交接處。

4.如權(quán)利要求2所述的改善光阻殘膜的方法，其特征在于，所述步驟S4以所述光阻層(5)為遮擋對(duì)半導(dǎo)體有源層(12)的兩側(cè)進(jìn)行離子摻雜制程。

5.如權(quán)利要求1所述的改善光阻殘膜的方法，其特征在于，所述步驟S4中的離子摻雜制程為N型離子重?fù)诫s、或N型離子輕摻雜。

6.如權(quán)利要求1所述的改善光阻殘膜的方法，其特征在于，所述軟烤在烘烤箱內(nèi)進(jìn)行。

7.如權(quán)利要求6所述的改善光阻殘膜的方法，其特征在于，軟烤的溫度為110℃。

8.如權(quán)利要求7所述的改善光阻殘膜的方法，其特征在于，軟烤的持續(xù)時(shí)間為140S～150S。

9.如權(quán)利要求1所述的改善光阻殘膜的方法，其特征在于，光阻層(5)兩側(cè)面(53)的輪廓形狀為向光阻層(5)內(nèi)彎曲的弧形。

10.如權(quán)利要求1所述的改善光阻殘膜的方法，其特征在于，光阻層(5)兩側(cè)面(53)的輪廓形狀為自上至下朝向光阻層(5)內(nèi)傾斜的斜線形。