[發明專利]顯示基板及其制作方法、顯示裝置

在審

• 申請號: 201710329599.7
• 申請日: 2017-05-11
• 公開（公告）號: CN108878674A
• 公開（公告）日: 2018-11-23
• 發明（設計）人: 鮑里斯·克里斯塔爾
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 劉偉;張博

1.一種顯示基板，包括：陣列基板、設置在所述陣列基板上的顯示器件，所述顯示器件沿遠離所述陣列基板的方向依次包括：透明的陽極，有機發光層和陰極，其特征在于，所述顯示基板還包括：

位于所述陣列基板和所述陽極之間的折射薄膜，所述折射薄膜能夠使所述有機發光層出射的光線在所述陽極和所述折射薄膜的交界處發生折射。

2.根據權利要求1所述的顯示基板，其特征在于，所述顯示器件為OELD器件，所述陰極為金屬電極。

3.根據權利要求2所述的顯示基板，其特征在于，所述折射薄膜至少包括第一折射層和第二折射層，所述第二折射層位于所述第一折射層和所述陽極之間，所述第一折射層的折射率小于所述第二折射層的折射率。

4.根據權利要求3所述的顯示基板，其特征在于，所述第一折射層的折射率為1.6-1.7，所述第二折射層的折射率為1.7～1.9。

5.根據權利要求2所述的顯示基板，其特征在于，所述折射薄膜采用折射率大于閾值的聚合物材料制成；或由摻雜有TiO₂納米顆粒的硅制成。

6.根據權利要求2所述的顯示基板，其特征在于，所述顯示基板還包括：

位于所述陣列基板背向所述陽極一側的二氧化硅薄膜，所述二氧化硅薄膜遠離所述陣列基板的部分的折射率小于所述二氧化硅薄膜靠近所述陣列基板的部分的折射率。

7.根據權利要求6所述的顯示基板，其特征在于，所述二氧化硅薄膜至少包括第一二氧化硅層和第二二氧化硅層，所述第二二氧化硅層位于所述第一二氧化硅層和所述陣列基板之間，所述第一二氧化硅層的折射率小于所述第二二氧化硅層的折射率。

8.根據權利要求7所述的顯示基板，其特征在于，所述第一二氧化硅層的折射率為1.1～1.2，所述第二二氧化硅層的折射率為1.3～1.4。

9.根據權利要求6所述的顯示基板，其特征在于，從靠近所述陣列基板的一側到遠離所述陣列基板的一側的方向上，所述二氧化硅薄膜的折射率逐漸減低。

10.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求1-9中任一項所述的顯示基板。

11.一種顯示基板的制作方法，所述顯示基板包括：陣列基板、設置在所述陣列基板上的顯示器件，所述顯示器件沿遠離所述陣列基板的方向依次包括：透明的陽極，有機發光層和陰極，其特征在于，所述制作方法包括：

在所述陣列基板和所述陽極之間制備折射薄膜，所述折射薄膜能夠使所述有機發光層出射的光線在所述陽極和所述折射薄膜的交界處發生折射。

12.根據權利要求11所述的顯示基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法還包括：

在所述陣列基板背向所述陽極的一側沉積二氧化硅薄膜，其中，沉積所述二氧化硅薄膜遠離所述陣列基板的部分時的傾斜角度大于沉積所述二氧化硅薄膜靠近所述陣列基板的部分時的傾斜角度，所述傾斜角度為沉積方向與垂直于陣列基板的法線之間的夾角。