[發(fā)明專利]顯示基板及其制作方法、顯示裝置

在審

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• 申請日: 2017-05-11
• 公開（公告）號: CN108878674A
• 公開（公告）日: 2018-11-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鮑里斯·克里斯塔爾
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52
• 代理公司: 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243
• 代理人: 劉偉;張博

本發(fā)明提供了一種顯示基板及其制作方法、顯示裝置，屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域。其中，顯示基板，包括：陣列基板、設(shè)置在所述陣列基板上的顯示器件，所述顯示器件沿遠(yuǎn)離所述陣列基板的方向依次包括：透明的陽極，有機(jī)發(fā)光層和陰極，所述顯示基板還包括：位于所述陣列基板和所述陽極之間的折射薄膜，所述折射薄膜能夠使所述有機(jī)發(fā)光層出射的光線在所述陽極和所述折射薄膜的交界處發(fā)生折射。本發(fā)明的技術(shù)方案能夠解決OLED顯示裝置的外量子效率低的問題。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是指一種顯示基板及其制作方法、顯示裝置。

背景技術(shù)

有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Device，簡稱“OLED”)顯示器件具備主動發(fā)光、溫度特性好、功耗小、響應(yīng)快、可彎曲、超輕薄和成本低等優(yōu)點(diǎn)，已廣泛應(yīng)用于顯示設(shè)備中。

OLED顯示器件按照出光方向可以分為三種：底發(fā)射OLED、頂發(fā)射OLED與雙面發(fā)射OLED。在底發(fā)射OLED中光從背板方向射出，在頂發(fā)射OLED中光從器件頂部方向射出，在雙面發(fā)射OLED中光同時從基板和器件頂部射出。

研究表明，底發(fā)射OLED的光線輸出效率低(即外量子效率低)，通常最高僅為20％，影響光取出的因素大致可以分為四種：波導(dǎo)效應(yīng)、基板效應(yīng)、表面等離子體效應(yīng)、吸收效應(yīng)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種顯示基板及其制作方法、顯示裝置，能夠解決OLED顯示裝置的外量子效率低的問題。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的實施例提供技術(shù)方案如下：

一方面，提供一種顯示基板，包括：陣列基板、設(shè)置在所述陣列基板上的顯示器件，所述顯示器件沿遠(yuǎn)離所述陣列基板的方向依次包括：透明的陽極，有機(jī)發(fā)光層和陰極，所述顯示基板還包括：

位于所述陣列基板和所述陽極之間的折射薄膜，所述折射薄膜能夠使所述有機(jī)發(fā)光層出射的光線在所述陽極和所述折射薄膜的交界處發(fā)生折射。

進(jìn)一步地，所述顯示器件為OELD器件，所述陰極為金屬電極。

進(jìn)一步地，所述折射薄膜至少包括第一折射層和第二折射層，所述第二折射層位于所述第一折射層和所述陽極之間，所述第一折射層的折射率小于所述第二折射層的折射率。

進(jìn)一步地，所述第一折射層的折射率為1.6-1.7，所述第二折射層的折射率為1.7～1.9。

進(jìn)一步地，所述折射薄膜采用折射率大于閾值的聚合物材料制成；或由摻雜有TiO₂納米顆粒的硅制成。

進(jìn)一步地，所述顯示基板還包括：

位于所述陣列基板背向所述陽極一側(cè)的二氧化硅薄膜，所述二氧化硅薄膜遠(yuǎn)離所述陣列基板的部分的折射率小于所述二氧化硅薄膜靠近所述陣列基板的部分的折射率。

進(jìn)一步地，所述二氧化硅薄膜至少包括第一二氧化硅層和第二二氧化硅層，所述第二二氧化硅層位于所述第一二氧化硅層和所述陣列基板之間，所述第一二氧化硅層的折射率小于所述第二二氧化硅層的折射率。

進(jìn)一步地，所述第一二氧化硅層的折射率為1.1～1.2，所述第二二氧化硅層的折射率為1.3～1.4。

進(jìn)一步地，從靠近所述陣列基板的一側(cè)到遠(yuǎn)離所述陣列基板的一側(cè)的方向上，所述二氧化硅薄膜的折射率逐漸減低。

本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，包括如上所述的顯示基板。

本發(fā)明實施例還提供了一種顯示基板的制作方法，所述顯示基板包括：陣列基板、設(shè)置在所述陣列基板上的顯示器件，所述顯示器件沿遠(yuǎn)離所述陣列基板的方向依次包括：透明的陽極，有機(jī)發(fā)光層和陰極，所述制作方法包括：