[發(fā)明專利]一種修調(diào)電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710326324.8
• 申請日: 2017-05-10
• 公開（公告）號: CN107195619B
• 公開（公告）日: 2019-06-28
• 發(fā)明（設計）人: 王釗
• 申請（專利權）人: 南京中感微電子有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544
• 代理公司: 北京新知遠方知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 11397
• 代理人: 艾鳳英;張艷

1.一種修調(diào)電路，其特征在于，包括：多個修調(diào)壓點和一個或多個熔絲，其中，多個修調(diào)壓點中至少存在一個第一修調(diào)壓點，所述第一修調(diào)壓點的部分電路與部分保護環(huán)的頂層金屬層重合；所述保護環(huán)位于芯片和劃片槽之間，包括從底層到頂層的所有金屬層；所述劃片槽為兩個芯片之間保留的空隙；

其他所述修調(diào)壓點通過所述熔絲連接至保護環(huán)，所述熔絲位于所述保護環(huán)內(nèi)部，所述第一修調(diào)壓點通過所述保護環(huán)和所述熔絲與其他所述修調(diào)壓點電連接。

2.如權利要求1所述的修調(diào)電路，其特征在于，所述第一修調(diào)壓點的另一部分電路位于劃片槽的上表面。

3.如權利要求1所述的修調(diào)電路，其特征在于，所述修調(diào)壓點的數(shù)量為M，所述熔絲的數(shù)量為N，M＝N+Δ，其中，M和N均為自然數(shù)，Δ為不小于1的自然數(shù)。

4.如權利要求3所述的修調(diào)電路，其特征在于，M＝4，N＝3，Δ＝1。

5.如權利要求4所述的修調(diào)電路，其特征在于，所述修調(diào)電路包括：一個所述第一修調(diào)壓點和三個其他修調(diào)壓點；所述其他修調(diào)壓點位于所述保護環(huán)內(nèi)，包括：第二修調(diào)壓點、第三修調(diào)壓點和第四修調(diào)壓點，所述第二修調(diào)壓點位于所述第一修調(diào)壓點的右側，所述第三修調(diào)壓點位于所述第二修調(diào)壓點的上方，所述第四修調(diào)壓點位于所述第二修調(diào)壓點的右側；所述熔絲包括：第一熔絲、第二熔絲和第三熔絲；

其中，所述第二修調(diào)壓點與所述第一修調(diào)壓點通過所述第一熔絲連接，所述第三修調(diào)壓點通過所述第二熔絲連接至所述保護環(huán)，所述第四修調(diào)壓點通過所述第三熔絲連接至所述保護環(huán)。

6.如權利要求1所述的修調(diào)電路，其特征在于，所述熔絲的阻值小于預設值。

7.如權利要求1所述的修調(diào)電路，其特征在于，所述修調(diào)壓點的面積不小于50微米*50微米。

8.如權利要求1所述的修調(diào)電路，其特征在于，所述熔絲的形狀為兩端寬中間窄。