[發(fā)明專利]陣列基板及其制造方法和顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710326119.1
• 申請(qǐng)日: 2017-05-10
• 公開（公告）號(hào): CN107425012B
• 公開（公告）日: 2020-05-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蔡振飛;徐攀;潘鑫;袁粲;袁志東
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 汪源;陳源

本發(fā)明提供一種陣列基板及其制造方法和顯示裝置。該陣列基板包括襯底基板和位于所述襯底基板上的間隔層、第一導(dǎo)電圖形層和第二導(dǎo)電圖形層，所述間隔層設(shè)置于所述第一導(dǎo)電圖形層和所述第二導(dǎo)電圖形層之間，且所述間隔層在所述襯底基板上的投影覆蓋所述第一導(dǎo)電圖形層和所述第二導(dǎo)電圖形層在所述襯底基板上的投影的交疊區(qū)域。本發(fā)明避免了小丘產(chǎn)生在交疊區(qū)域處的第一導(dǎo)電圖形層和第二導(dǎo)電圖形層之間時(shí)容易造成的導(dǎo)電圖形層之間的短接，降低了線缺陷發(fā)生的概率，從而提高了顯示面板的良率，保證了產(chǎn)品的顯示效果。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種陣列基板及其制造方法和顯示裝置。

背景技術(shù)

在傳統(tǒng)的有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode，簡(jiǎn)稱：OLED)背板的制作工藝中，常采用厚鋁工藝進(jìn)行柵線的制作。

由于鋁自身熱膨脹系數(shù)較大，因此鋁在高溫(約300℃左右)的情況下容易產(chǎn)生小丘。而在背板工藝中的絕緣層的制作及退火工藝中產(chǎn)生的溫度均遠(yuǎn)高于300℃，又因?yàn)椴捎昧撕皲X工藝制作柵線，因此在背板工藝中，小丘產(chǎn)生的幾率大大提高。由于柵線和數(shù)據(jù)線在襯底基板上投影的交疊區(qū)域處的柵線和數(shù)據(jù)線之間間隔的距離較小，如果小丘產(chǎn)生在交疊區(qū)域處的柵線和數(shù)據(jù)線之間，則將容易造成交疊區(qū)域處的柵線和數(shù)據(jù)線的短接，形成線缺陷，而且小丘的大小通常小于1微米，即使在顯微鏡下也很難觀察出，造成線缺陷的檢出非常困難。

因此在現(xiàn)有技術(shù)中，柵線與數(shù)據(jù)線在襯底基板上投影的交疊區(qū)域處的柵線和數(shù)據(jù)線之間產(chǎn)生的小丘容易造成交疊區(qū)域處的柵線與數(shù)據(jù)線的短接，形成線缺陷，導(dǎo)致產(chǎn)品的良率下降，影響了產(chǎn)品的顯示效果。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種陣列基板及其制造方法和顯示裝置，用于避免小丘產(chǎn)生時(shí)造成的第一導(dǎo)電圖形層和第二導(dǎo)電圖形層之間的短接，提高顯示面板的良率，從而保證產(chǎn)品的顯示效果。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種陣列基板，該陣列基板包括襯底基板和位于所述襯底基板上的間隔層、第一導(dǎo)電圖形層和第二導(dǎo)電圖形層，所述間隔層設(shè)置于所述第一導(dǎo)電圖形層和所述第二導(dǎo)電圖形層之間，且所述間隔層在所述襯底基板上的投影覆蓋所述第一導(dǎo)電圖形層和所述第二導(dǎo)電圖形層在所述襯底基板上的投影的交疊區(qū)域。

可選地，所述間隔層的材料為有機(jī)膜材料。

可選地，所述間隔層的厚度范圍為至

可選地，所述第一導(dǎo)電圖形層為柵線，所述第二導(dǎo)電圖形層為數(shù)據(jù)線。

可選地，該陣列基板還包括有源層和刻蝕阻擋層；所述有源層位于所述柵線的上方，所述刻蝕阻擋層位于所述有源層之上，所述間隔層位于所述刻蝕阻擋層之上，所述數(shù)據(jù)線位于所述間隔層之上。

可選地，所述刻蝕阻擋層上設(shè)置有第一過孔和第二過孔，所述數(shù)據(jù)線還通過第一過孔和第二過孔與所述有源層連接。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種陣列基板的制造方法，包括：

在襯底基板上形成第一導(dǎo)電圖形層、間隔層和第二導(dǎo)電圖形層，所述間隔層設(shè)置于所述第一導(dǎo)電圖形層和所述第二導(dǎo)電圖形層之間，且所述間隔層在所述襯底基板上的投影覆蓋所述第一導(dǎo)電圖形層和所述第二導(dǎo)電圖形層在所述襯底基板上的投影的交疊區(qū)域。

可選地，所述第一導(dǎo)電圖形層為柵線，所述第二導(dǎo)電圖形層為數(shù)據(jù)線，所述在襯底基板上形成第一導(dǎo)電圖形層、間隔層和第二導(dǎo)電圖形層包括：

在襯底基板上形成柵線；

在所述柵線上形成絕緣層；

在所述絕緣層上形成有源層；

在所述有源層上形成刻蝕阻擋層；

在所述刻蝕阻擋層上形成間隔層、第一過孔和第二過孔；