[發明專利]陣列基板及其制造方法和顯示裝置

有效

• 申請號: 201710326119.1
• 申請日: 2017-05-10
• 公開（公告）號: CN107425012B
• 公開（公告）日: 2020-05-01
• 發明（設計）人: 蔡振飛;徐攀;潘鑫;袁粲;袁志東
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 汪源;陳源

1.一種陣列基板，其特征在于，包括襯底基板和位于所述襯底基板上的間隔層、第一導電圖形層和第二導電圖形層，所述間隔層設置于所述第一導電圖形層和所述第二導電圖形層之間，且所述間隔層在所述襯底基板上的投影覆蓋所述第一導電圖形層和所述第二導電圖形層在所述襯底基板上的投影的交疊區域，所述間隔層設置于對應位于所述交疊區域上方的所述第一導電圖形層和所述第二導電圖形層之間，且所述間隔層和所述交疊區域一一對應設置。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述間隔層的材料為有機膜材料。

3.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述間隔層的厚度范圍為至

4.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一導電圖形層為柵線，所述第二導電圖形層為數據線。

5.根據權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，還包括有源層和刻蝕阻擋層；所述有源層位于所述柵線的上方，所述刻蝕阻擋層位于所述有源層之上，所述間隔層位于所述刻蝕阻擋層之上，所述數據線位于所述間隔層之上。

6.根據權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括柵極、源極、漏極和所述有源層，所述刻蝕阻擋層上設置有第一過孔和第二過孔，所述源極通過所述第一過孔與所述有源層連接，所述漏極通過所述第二過孔與所述有源層連接。

7.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，包括：

在襯底基板上形成第一導電圖形層、間隔層和第二導電圖形層，所述間隔層設置于所述第一導電圖形層和所述第二導電圖形層之間，且所述間隔層在所述襯底基板上的投影覆蓋所述第一導電圖形層和所述第二導電圖形層在所述襯底基板上的投影的交疊區域，所述間隔層設置于對應位于所述交疊區域上方的所述第一導電圖形層和所述第二導電圖形層之間，且所述間隔層和所述交疊區域一一對應設置。

8.根據權利要求7所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述第一導電圖形層為柵線，所述第二導電圖形層為數據線，所述在襯底基板上形成第一導電圖形層、間隔層和第二導電圖形層包括：

在襯底基板上形成柵線；

在所述柵線上形成絕緣層；

在所述絕緣層上形成有源層；

在所述有源層上形成刻蝕阻擋層；

在所述刻蝕阻擋層上形成間隔層、第一過孔和第二過孔，所述第一過孔和所述第二過孔形成于所述刻蝕阻擋層中；

在所述間隔層上形成數據線、源極和漏極，所述源極位于所述第一過孔中以與所述有源層連接，所述漏極位于所述第二過孔中以與所述有源層連接。

9.根據權利要求8所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，

所述在所述刻蝕阻擋層上形成間隔層、第一過孔和第二過孔包括：在所述刻蝕阻擋層上沉積間隔材料層；對所述間隔材料層和所述刻蝕阻擋層進行構圖工藝，形成間隔層、第一過孔和第二過孔。

10.一種顯示裝置，其特征在于，包括相對設置的對置基板和上述權利要求1至6任一所述的陣列基板。