[發明專利]半導體器件的制備方法

在審

• 申請號: 201710325868.2
• 申請日: 2017-05-10
• 公開（公告）號: CN108878275A
• 公開（公告）日: 2018-11-23
• 發明（設計）人: 馬琳
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L21/266
• 分類號: H01L21/266;H01L21/28
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種半導體器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供一襯底，在所述襯底上形成柵極材料層；

對所述柵極材料層進行第一次刻蝕，形成至少一個第一凹槽，暴露出所述襯底；

通過所述第一凹槽對所述襯底進行離子注入，形成深P型體區結構；

對所述柵極材料層進行第二次刻蝕，形成多個柵極。

2.如權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，形成所述第一凹槽的步驟包括：

在所述柵極材料層上形成第一光刻膠層；

圖形化所述第一光刻膠層，暴露出部分所述柵極材料層；

對暴露出的所述柵極材料層進行第一次刻蝕，形成所述第一凹槽。

3.如權利要求2所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，形成深P型體區結構之后，所述半導體器件制備方法還包括：去除所述第一光刻膠層。

4.如權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，形成柵極的步驟包括：

對所述柵極材料層進行第二次刻蝕，形成第二凹槽，暴露出所述襯底；

相鄰的所述第一凹槽與所述第二凹槽之間的柵極材料層構成柵極。

5.如權利要求4所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，形成所述第二凹槽的步驟包括：

在所述柵極材料層上形成第二光刻膠層；

圖形化所述第二光刻膠層，暴露出部分所述柵極材料層；

對暴露出的所述柵極材料層進行第二次刻蝕，形成所述第二凹槽。

6.如權利要求5所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，形成所述第二凹槽之后，所述半導體器件制備方法還包括：去除所述第二光刻膠層。

7.如權利要求1～6中任一項所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述離子注入為深P型離子注入。

8.如權利要求1～6中任一項所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述柵極材料層為多晶硅層。

9.如權利要求8所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述第一次刻蝕與所述第二次刻蝕均采用等離子體干法刻蝕。

10.如權利要求9所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述第一次刻蝕與第二次刻蝕的工藝條件相同。