[發明專利]片材、膠帶及半導體裝置的制造方法

有效

• 申請號: 201710325250.6
• 申請日: 2017-05-10
• 公開（公告）號: CN107393857B
• 公開（公告）日: 2023-05-09
• 發明（設計）人: 木村龍一;高本尚英
• 申請（專利權）人: 日東電工株式會社
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L21/67;H01L21/304
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

本發明提供片材、膠帶及半導體裝置的制造方法。本發明的一個方式提供能夠減少切割時芯片側面產生的龜裂的片材和膠帶。本發明的一個方式涉及片材。片材包含切割薄膜。切割薄膜包含基材層及位于基材層上的粘合劑層。片材進一步包含位于粘合劑層上的半導體背面保護薄膜。半導體背面保護薄膜具有1.7kgf/mmsupgt;2/supgt;以上的對硅芯片的25℃剪切粘接力。

技術領域

本發明涉及片材、膠帶和半導體裝置的制造方法。

背景技術

使用切割薄膜一體型半導體背面保護薄膜時，有時將位于切割薄膜上的半導體背面保護薄膜和半導體晶圓貼合在一起，并進行切割。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2015-222896號公報

專利文獻2：WO2014/092200

發明內容

發明要解決的問題

有時由于刀片切割時的沖擊、摩擦導致在芯片側面產生龜裂。需要減少芯片側面的龜裂(側面破片)。這是因為，龜裂有使外觀變差、使可靠性降低的擔心。

本發明的一個方式的目的在于，提供能夠減少切割時在芯片側面產生的龜裂的片材和膠帶。本發明的一個方式的目的在于，提供一種半導體裝置的制造方法。

用于解決問題的方案

本發明的一個方式涉及片材。片材包含切割薄膜。切割薄膜包含基材層及位于基材層上的粘合劑層。片材進一步包含位于粘合劑層上的半導體背面保護薄膜。半導體背面保護薄膜具有1.7kgf/mm²以上的對硅芯片的25℃剪切粘接力。由于25℃剪切粘接力為1.7kgf/mm²以上，因此，能夠減少切割時在芯片側面產生的龜裂。其原因可能是因為能夠抑制切割時半導體芯片的振動。25℃剪切粘接力可以如下來測定：在70℃下，將半導體背面保護薄膜固定于硅芯片，在120℃加熱2小時，然后在剪切速度500μm/秒、25℃下進行測定。

本發明的一個方式涉及膠帶。膠帶包含剝離襯墊和位于剝離襯墊上的片材。

本發明的一個方式涉及半導體裝置的制造方法。半導體裝置的制造方法可以包括：將片材的半導體背面保護薄膜和半導體晶圓貼合在一起的工序。半導體裝置的制造方法可以包括：使半導體背面保護薄膜固化的工序。半導體裝置的制造方法可以包括：對位于固化后的半導體背面保護薄膜上的半導體晶圓進行切割的工序。

附圖說明

圖1為膠帶的俯視示意圖。

圖2為膠帶的一部分的截面示意圖。

圖3為半導體裝置的制造工序的截面示意圖。

圖4為半導體裝置的制造工序的截面示意圖。

圖5為半導體裝置的制造工序的截面示意圖。

圖6為變形例3的片材的截面示意圖。

圖7為片材和固定于片材的晶圓的截面示意圖，示出了切割刀片的切入深度。

圖8為切割后的芯片的側面圖，示出了裂紋的深度。

附圖標記說明

1??????膠帶

11?????半導體背面保護薄膜

12?????切割薄膜

121????基材層