[發(fā)明專利]片材、膠帶及半導(dǎo)體裝置的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710325250.6
• 申請日: 2017-05-10
• 公開（公告）號: CN107393857B
• 公開（公告）日: 2023-05-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 木村龍一;高本尚英
• 申請（專利權(quán)）人: 日東電工株式會社
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L21/67;H01L21/304
• 代理公司: 北京林達劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

1.一種片材，其包含：

切割薄膜，其包含基材層及位于所述基材層上的粘合劑層，和

半導(dǎo)體背面保護薄膜，其位于所述粘合劑層上，

所述半導(dǎo)體背面保護薄膜具有1.7kgf/mm²以上的對硅芯片的25℃剪切粘接力，

25℃剪切粘接力是如下值：在70℃下，將所述半導(dǎo)體背面保護薄膜固定于所述硅芯片，在120℃加熱2小時，然后在剪切速度500μm/秒、25℃下進行測定而得到的值。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的片材，其中，所述半導(dǎo)體背面保護薄膜包含熱塑性樹脂及熱固化性樹脂，

所述熱塑性樹脂含量相對于所述熱固化性樹脂含量的重量比為1以下。

3.一種膠帶，其包含：

剝離襯墊，和

位于所述剝離襯墊上的權(quán)利要求1或2所述的片材。

4.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其包括以下工序：

將權(quán)利要求1或2所述的片材的所述半導(dǎo)體背面保護薄膜與半導(dǎo)體晶圓貼合在一起的工序，

使所述半導(dǎo)體背面保護薄膜固化的工序，和

對位于固化后的所述半導(dǎo)體背面保護薄膜上的所述半導(dǎo)體晶圓進行切割的工序。