[發(fā)明專利]一種電源反向保護(hù)電路有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710322418.8 | 申請(qǐng)日： | 2017-05-09 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN107039964B | 公開（公告）日： | 2019-05-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 逯建武;李兆桂 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 普冉半導(dǎo)體（上海）有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H02H11/00 | 分類號(hào)： | H02H11/00;H02M1/36 |
| 代理公司： | 上海信好專利代理事務(wù)所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 潘朱慧 |
| 地址： | 201210 上海市浦東新區(qū)*** | 國(guó)省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 電源 反向 保護(hù) 電路 | ||
本發(fā)明公開了一種電源反向保護(hù)電路，其包含：高壓NMOS管，其源端與襯底端分別連接外部電源VDD，其漏端作為所述電壓反向保護(hù)電路的輸出端連接所述內(nèi)部電路的輸入端，該漏端電壓為VDDI；電荷泵電路，其輸入端連接VDDI，其地端接地GND；柵端控制電路，其輸入端連接所述電荷泵電路的輸出端，其輸出端連接所述高壓NMOS管的柵端，其第一參考端連接外部電源VDD，其第二參考端連接VDDI。其優(yōu)點(diǎn)是：該電源反向保護(hù)電路在實(shí)現(xiàn)反向保護(hù)功能的同時(shí)具備較低的啟動(dòng)工作電壓以降低反向保護(hù)管的功率損耗。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及模擬電源技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種電源反向保護(hù)電路。
背景技術(shù)
如圖1，傳統(tǒng)反向保護(hù)電路采用NMOS管作為反向保護(hù)電路，源端、襯底端、柵端都接VDD，漏端為反向保護(hù)電路輸出電壓VDDI。其中，VDD=VDDI+Vthn（Vthn為NMOS管開啟閾值電壓，一般在0.7V左右），或者VDD=VDDI+VBE（VBE為NMOS管襯底端到漏端的寄生二極管導(dǎo)通壓降，一般在0.7V左右）。上述0.7V左右的電壓導(dǎo)致電路啟動(dòng)電壓偏高，以及功耗偏大等。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種電源反向保護(hù)電路，連接需要被反向保護(hù)的內(nèi)部電路，其采用高壓NMOD管作為反向保護(hù)管，通過增加電荷泵電路和柵端控制電路，使得該電源反向保護(hù)電路在實(shí)現(xiàn)反向保護(hù)功能的同時(shí)具備較低的啟動(dòng)工作電壓。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：
一種電源反向保護(hù)電路，其特征是，該電源反向保護(hù)電路的輸出端連接一需要被反向保護(hù)的內(nèi)部電路的輸入端，該內(nèi)部電路的輸出端接地GND，所述的電源反向保護(hù)電路包含：
高壓NMOS管，其源端與襯底端分別連接外部電源VDD，其漏端作為所述電壓反向保護(hù)電路的輸出端連接所述內(nèi)部電路的輸入端，該漏端電壓為VDDI；
電荷泵電路，其輸入端連接VDDI，其地端接地GND；
柵端控制電路，其輸入端連接所述電荷泵電路的輸出端，其輸出端連接所述高壓NMOS管的柵端，其第一參考端連接外部電源VDD，其第二參考端連接VDDI；
當(dāng)外部電源VDD電位低于地GND電位，電荷泵電路不工作，柵端控制電路將高壓NMOS管的柵端與源端短接使高壓NMOS管關(guān)斷，實(shí)現(xiàn)電源反向保護(hù)；
當(dāng)外部電源VDD電位高于地GND電位，電荷泵電路工作，電荷泵電路的輸出端輸出一個(gè)較其輸入端VDDI高的電位VPP，柵端控制電路將高壓NMOS管的柵端與VPP短接使高壓NMOS管開啟，此時(shí)VDD=Vdson+VDDI，其中，Vdson為高壓NMOS管的導(dǎo)通后源漏壓差，實(shí)現(xiàn)較低的工作啟動(dòng)電壓。
上述的電源反向保護(hù)電路，其中，所述的柵端控制電路包含：
第一高壓PMOS管，其漏端連接高壓NMOS管的柵端，其源端與襯底端分別連接所述電荷泵電路的輸出端，其柵端連接VDDI；
第一電阻，其一端連接高壓NMOS管的柵端，其另一端連接外部電源VDD。
上述的電源反向保護(hù)電路，其中，所述的柵端控制電路包含：
第二高壓PMOS管，其柵端連接VDDI，其源端與襯底端分別連接電荷泵電路的輸出端，其漏端連接高壓NMOS管的柵端；
電流鏡，由第一NMOS管和第二NMOS管構(gòu)成；所述第一NMOS管的源端與襯底端分別連接外部電源VDD，第一NMOS管的柵極和漏極短接；所述第二NMOS管的源端與襯底端分別連接外部電源VDD，第二NMOS管的柵端連接第一NMOS關(guān)的柵端，第二NMOS管的漏端連接高壓NMOS管的柵端；
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于普冉半導(dǎo)體（上海）有限公司，未經(jīng)普冉半導(dǎo)體（上海）有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710322418.8/2.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
