[發明專利]一種電源反向保護電路有效
| 申請號： | 201710322418.8 | 申請日： | 2017-05-09 |
| 公開（公告）號： | CN107039964B | 公開（公告）日： | 2019-05-07 |
| 發明（設計）人： | 逯建武;李兆桂 | 申請（專利權）人： | 普冉半導體（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H02H11/00 | 分類號： | H02H11/00;H02M1/36 |
| 代理公司： | 上海信好專利代理事務所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 潘朱慧 |
| 地址： | 201210 上海市浦東新區*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 電源 反向 保護 電路 | ||
1.一種電源反向保護電路，其特征在于，該電源反向保護電路的輸出端連接一需要被反向保護的內部電路的輸入端，該內部電路的輸出端接地GND，所述的電源反向保護電路包含：
高壓NMOS管，其源端與襯底端分別連接外部電源VDD，其漏端作為所述電源反向保護電路的輸出端連接所述內部電路的輸入端，該漏端電壓為VDDI；
電荷泵電路，其輸入端連接VDDI，其地端接地GND；
柵端控制電路，其輸入端連接所述電荷泵電路的輸出端，其輸出端連接所述高壓NMOS管的柵端，其第一參考端連接外部電源VDD，其第二參考端連接VDDI；
當外部電源VDD電位低于地GND電位，電荷泵電路不工作，柵端控制電路將高壓NMOS管的柵端與源端短接使高壓NMOS管關斷，實現電源反向保護；
當外部電源VDD電位高于地GND電位，電荷泵電路工作，電荷泵電路的輸出端輸出一個較其輸入端VDDI高的電位VPP，柵端控制電路將高壓NMOS管的柵端與VPP短接使高壓NMOS管開啟，此時VDD=Vdson+VDDI，其中，Vdson為高壓NMOS管的導通后源漏壓差，實現較低的工作啟動電壓。
2.如權利要求1所述的電源反向保護電路，其特征在于，所述的柵端控制電路包含：
第一高壓PMOS管，其漏端連接高壓NMOS管的柵端，其源端與襯底端分別連接所述電荷泵電路的輸出端，其柵端連接VDDI；
第一電阻，其一端連接高壓NMOS管的柵端，其另一端連接外部電源VDD。
3.如權利要求1所述的電源反向保護電路，其特征在于，所述的柵端控制電路包含：
第二高壓PMOS管，其柵端連接VDDI，其源端與襯底端分別連接電荷泵電路的輸出端，其漏端連接高壓NMOS管的柵端；
電流鏡，由第一NMOS管和第二NMOS管構成；所述第一NMOS管的源端與襯底端分別連接外部電源VDD，第一NMOS管的柵極和漏極短接；所述第二NMOS管的源端與襯底端分別連接外部電源VDD，第二NMOS管的柵端連接第一NMOS關的柵端，第二NMOS管的漏端連接高壓NMOS管的柵端；
第二電阻，一端連接VDDI，另一端連接第一NMOS管的漏端。
4.如權利要求2所述的電源反向保護電路，其特征在于：
所述的第一電阻采用poly電阻。
5.如權利要求3所述的電源反向保護電路，其特征在于：
所述的第二電阻采用poly電阻。
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