[發(fā)明專利]用于閃存的內(nèi)建自測試電路、系統(tǒng)及方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710322134.9 | 申請日: | 2017-05-09 |
| 公開(公告)號: | CN107068196A | 公開(公告)日: | 2017-08-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉峰;張迪宇 | 申請(專利權(quán))人: | 武漢新芯集成電路制造有限公司 |
| 主分類號: | G11C29/44 | 分類號: | G11C29/44;G11C29/18;G11C29/12;G11C29/04 |
| 代理公司: | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)31237 | 代理人: | 屈蘅,李時(shí)云 |
| 地址: | 430205 湖北*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 閃存 測試 電路 系統(tǒng) 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種用于閃存的內(nèi)建自測試電路、系統(tǒng)及方法。
背景技術(shù)
嵌入式閃存測試在整個(gè)半導(dǎo)體芯片測試中占有相當(dāng)大的比重。由于通常閃存的尺寸較大,導(dǎo)致測試時(shí)間長,測試引腳多,測試機(jī)臺的程序復(fù)雜,占用測試卡針數(shù)多,測試成本高。現(xiàn)有技術(shù)采用用于閃存的內(nèi)建自測試電路來解決上述問題,但測試時(shí)間的縮短,往往導(dǎo)致占用更多的引腳。同時(shí)在測試時(shí),測試機(jī)臺程序的復(fù)雜程度也會(huì)對閃存測試的開發(fā)和維護(hù)有比較大的影響,如果要測試比較全面,機(jī)臺程序就非常復(fù)雜,從而使機(jī)臺程序的開發(fā)和維護(hù)難度大,成本高。
因此,需要設(shè)計(jì)一種使用簡單方便的用于閃存的內(nèi)建自測試電路、系統(tǒng)及方法。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種用于閃存的內(nèi)建自測試電路、系統(tǒng)及方法,以解決現(xiàn)有的閃存測試難度大的問題。
為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明提供一種用于閃存的內(nèi)建自測試電路,所述用于閃存的內(nèi)建自測試電路連接在測試機(jī)臺和測試閃存之間,所述用于閃存的內(nèi)建自測試電路包括自讀取測試模塊、自擦除測試模塊、自編程測試模塊和命令轉(zhuǎn)換模塊,其中:
所述自讀取測試模塊用于測試所述閃存的讀取操作,并將讀取測試結(jié)果發(fā)給所述命令轉(zhuǎn)換模塊;
所述自擦除測試模塊用于測試所述閃存的擦除操作,并將擦除測試結(jié)果發(fā)給所述命令轉(zhuǎn)換模塊;
所述自編程測試模塊用于測試所述閃存的編程操作,并將編程測試結(jié)果發(fā)給所述命令轉(zhuǎn)換模塊;
所述命令轉(zhuǎn)換模塊用于將所述測試機(jī)臺輸入的測試命令發(fā)給所述自讀取測試模塊、所述自擦除測試模塊和所述自編程測試模塊,以及將所述讀取測試結(jié)果、所述擦除測試結(jié)果和所述編程測試結(jié)果發(fā)給所述測試機(jī)臺。
可選的,在所述的用于閃存的內(nèi)建自測試電路中,所述用于閃存的內(nèi)建自測試電路還包括自判斷模塊,其中:
所述自讀取測試模塊將所述讀取測試結(jié)果發(fā)給所述自判斷模塊;
所述自擦除測試模塊將所述擦除測試結(jié)果發(fā)給所述自判斷模塊;
所述自編程測試模塊將所述編程測試結(jié)果發(fā)給所述自判斷模塊;
所述自判斷模塊根據(jù)所述讀取測試結(jié)果、所述擦除測試結(jié)果和所述編程測試結(jié)果得到測試成功結(jié)果或測試失敗結(jié)果,所述自判斷模塊將所述測試成功結(jié)果或所述測試失敗結(jié)果發(fā)送給所述測試機(jī)臺。
可選的,在所述的用于閃存的內(nèi)建自測試電路中,所述用于閃存的內(nèi)建自測試電路具有第一引腳和第二引腳,所述測試機(jī)臺通過所述第一引腳向所述命令轉(zhuǎn)換模塊發(fā)送時(shí)鐘信號,所述測試機(jī)臺通過所述第二引腳向所述命令轉(zhuǎn)換模塊發(fā)送所述測試命令。
可選的,在所述的用于閃存的內(nèi)建自測試電路中,所述測試命令包括第一測試命令,其中:
所述第一測試命令包括命令段和數(shù)據(jù)段,所述用于閃存的內(nèi)建自測試電路根據(jù)所述命令段判斷對閃存進(jìn)行讀取操作、編程操作或擦除操作。
可選的,在所述的用于閃存的內(nèi)建自測試電路中,所述測試機(jī)臺發(fā)送所述第一測試命令時(shí),所述時(shí)鐘信號為第一時(shí)鐘信號,所述用于閃存的內(nèi)建自測試電路向所述測試機(jī)臺發(fā)送所述讀取測試結(jié)果、所述擦除測試結(jié)果或所述編程測試結(jié)果。
可選的,在所述的用于閃存的內(nèi)建自測試電路中,所述測試閃存包括多個(gè)閃存模塊,所述測試命令包括第二測試命令,其中:
所述第二測試命令含有多個(gè)閃存地址,所述用于閃存的內(nèi)建自測試電路根據(jù)所述閃存地址對所述測試閃存中的不同閃存模塊進(jìn)行測試操作。
可選的,在所述的用于閃存的內(nèi)建自測試電路中,所述測試機(jī)臺發(fā)送所述第二測試命令時(shí),所述時(shí)鐘信號為第二時(shí)鐘信號,所述用于閃存的內(nèi)建自測試電路向所述測試機(jī)臺發(fā)送測試成功結(jié)果或測試失敗結(jié)果。
可選的,在所述的用于閃存的內(nèi)建自測試電路中,所述測試機(jī)臺通過所述第一引腳向所述命令轉(zhuǎn)換模塊發(fā)送第三時(shí)鐘信號,其中:
所述用于閃存的內(nèi)建自測試電路中包括多個(gè)功能模塊,所述第三時(shí)鐘信號具有多個(gè)時(shí)序,不同的時(shí)序分別對應(yīng)各個(gè)所述功能模塊,所述用于閃存的內(nèi)建自測試電路根據(jù)所述第三時(shí)鐘信號的時(shí)序執(zhí)行其所對應(yīng)的各個(gè)功能模塊的命令。
本發(fā)明還提供一種用于閃存的內(nèi)建自測試系統(tǒng),所述用于閃存的內(nèi)建自測試系統(tǒng)包括測試機(jī)臺和用于閃存的內(nèi)建自測試電路,所述用于閃存的內(nèi)建自測試電路連接在所述測試機(jī)臺和測試閃存之間;
所述用于閃存的內(nèi)建自測試電路包括自讀取測試模塊、自擦除測試模塊、自編程測試模塊和命令轉(zhuǎn)換模塊,其中:
所述測試機(jī)臺用于向所述命令轉(zhuǎn)換模塊發(fā)送測試命令;
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