[發明專利]鰭式結構的制作方法

在審

• 申請號: 201710322133.4
• 申請日: 2017-05-09
• 公開（公告）號: CN108878525A
• 公開（公告）日: 2018-11-23
• 發明（設計）人: 張海洋;紀世良
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種鰭式結構的制作方法，包括：

提供半導體襯底，所述半導體襯底上形成有多個鰭；

在所述半導體襯底上和所述多個鰭上形成氧化層；

使得所述氧化層的上表面平整；

回刻所述氧化層至暴露出所述多個鰭的部分高度。

2.如權利要求1所述的鰭式結構的制作方法，其特征在于，使得所述氧化層的上表面平整包括：

先采用化學機械研磨工藝對所述氧化層進行處理，再采用干法刻蝕對所述氧化層進行處理，以使得所述氧化層的上表面平整。

3.如權利要求1所述的鰭式結構的制作方法，其特征在于，采用干法刻蝕對所述氧化層進行處理，以使得所述氧化層的上表面平整。

4.如權利要求2或3所述的鰭式結構的制作方法，其特征在于，所述干法刻蝕為采用蜂窩狀靜電吸盤刻蝕設備進行刻蝕。

5.如權利要求4所述的鰭式結構的制作方法，其特征在于，所述干法刻蝕為采用包括氟的氣體進行刻蝕。

6.如權利要求1所述的鰭式結構的制作方法，其特征在于，在提供半導體襯底，所述半導體襯底上形成有多個鰭中，所述多個鰭上還形成有第一掩膜層。

7.如權利要求6所述的鰭式結構的制作方法，其特征在于，所述氧化層還形成在所述第一掩膜層上。

8.如權利要求7所述的鰭式結構的制作方法，其特征在于，所述使得所述氧化層的上表面平整為使得所述氧化層與所述第一掩膜層頂端齊平。

9.如權利要求6所述的鰭式結構的制作方法，其特征在于，使得所述氧化層的上表面平整之后；在回刻所述氧化層至暴露出所述多個鰭的部分高度之前，所述鰭式結構制作方法還包括：去除所述第一掩膜層。

10.如權利要求9所述的鰭式結構的制作方法，其特征在于，采用濕法刻蝕去除所述第一掩膜層。

11.如權利要求1所述的鰭式結構的制作方法，其特征在于，采用干法刻蝕回刻所述氧化層。

12.如權利要求1所述的鰭式結構的制作方法，其特征在于，回刻所述氧化層至暴露出所述多個鰭的部分高度之后，所述鰭式結構制作方法還包括：

形成第二掩膜層覆蓋所述多個鰭中的一部分，另一部分暴露出來；

對暴露出來的另一部分鰭進行原位氧化。

13.如權利要求12所述的鰭式結構的制作方法，其特征在于，所述第二掩膜層為光阻層。