[發(fā)明專利]一種高溫型電阻元件及其制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710320623.0 | 申請(qǐng)日： | 2017-05-09 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN107141665A | 公開(kāi)（公告）日： | 2017-09-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 劉剛;王梅鳳;湯成平;高進(jìn);唐敏;薛云峰 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 句容市博遠(yuǎn)電子有限公司 |
| 主分類號(hào)： | C08L27/16 | 分類號(hào)： | C08L27/16;C08K13/02;C08K3/04;C08K3/22;C08K3/26;C08K5/13;C08K5/54;H01C7/02;H01C17/00 |
| 代理公司： | 江蘇圣典律師事務(wù)所32237 | 代理人： | 吳庭祥 |
| 地址： | 212400 *** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 高溫 電阻 元件 及其 制備 方法 | ||
1.一種高溫型電阻元件，其特征在于，包括以下的重量份數(shù)的原料制備而成：高分子聚合物40-65份，導(dǎo)電填料25-50份，無(wú)機(jī)填料1-10份，偶聯(lián)劑1-5份，抗氧劑0.1-2份，分散助劑0.01-0.1份。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高溫型電阻元件，其特征在于，包括以下重量份數(shù)的原料制備而成：高分子聚合物50-60份，導(dǎo)電填料30-40份，無(wú)機(jī)填料5-8份，偶聯(lián)劑1-3份，抗氧劑0.5-1份，分散助劑0.03-0.08份。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高溫型電阻元件，其特征在于，所述高分子聚合物是聚偏氟乙烯，高密度聚乙烯，乙烯-四氟乙烯共聚物，乙烯-醋酸乙烯共聚物中的一種或多種混合物。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高溫型電阻元件，其特征在于，所述導(dǎo)電填料是炭黑、石墨、碳纖維、金屬粉末、金屬纖維、無(wú)氧導(dǎo)電陶瓷粉中的一種或多種的混合物。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高溫型電阻元件，其特征在于，所述無(wú)機(jī)填料是氫氧化銀或氫氧化鎂。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高溫型電阻元件，其特征在于，所述偶聯(lián)劑是鈦酸偶聯(lián)劑或硅烷偶聯(lián)劑。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高溫型電阻元件，其特征在于，所述抗氧劑是對(duì)苯二酚、硫代雙酚、萘胺、二苯胺、對(duì)苯二胺中的一種或多種混合物。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高溫型電阻元件，其特征在于，所述分散助劑是二氧化錳，三氧化二銻，碳酸鋰的混合物。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高溫型電阻元件，其特征在于，所述分散助劑是由以下重量份數(shù)的原料組成：二氧化錳40-60份，三氧化二銻40-60份，碳酸鋰10-30份。
10.一種高溫型電阻元件制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1、將所有粉料混合均勻，在乙醇中研磨成納米粉末；
S2、將步驟1得到的納米粉末加入密煉機(jī)進(jìn)行混煉， 混煉溫度200-250℃，混煉30-60分鐘，壓成薄片；
S3、將步驟2得到的薄片按不同規(guī)格沖程各種尺寸的芯片，得到所述高溫型電阻元件。
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