[發(fā)明專利]一種高溫型電阻元件及其制備方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201710320623.0
• 申請日: 2017-05-09
• 公開（公告）號: CN107141665A
• 公開（公告）日: 2017-09-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉剛;王梅鳳;湯成平;高進;唐敏;薛云峰
• 申請（專利權(quán)）人: 句容市博遠電子有限公司
• 主分類號: C08L27/16
• 分類號: C08L27/16;C08K13/02;C08K3/04;C08K3/22;C08K3/26;C08K5/13;C08K5/54;H01C7/02;H01C17/00
• 代理公司: 江蘇圣典律師事務(wù)所32237
• 代理人: 吳庭祥

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及耐高溫電阻技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種高溫型電阻元件及其制備方法。

背景技術(shù)

以高分子導(dǎo)電復(fù)合材料為基材的正溫度系數(shù)熱敏電阻，在臨界轉(zhuǎn)變溫度的前后，使電阻率發(fā)生幾個數(shù)量級的變化，即PTC 的電阻可隨其使用的環(huán)境溫度的升高而增加，從而可以在較高溫度下減小或切斷電流，起到過流、過溫保護，目前，這類器件已經(jīng)在各種電路保護裝置中大量使用，如鋰離子電池、汽車馬達等。一般的，填充導(dǎo)電粒子的結(jié)晶高分子復(fù)合材料可表現(xiàn)出正溫系數(shù)PTC 現(xiàn)象，也就是說在較低的溫度時，這類導(dǎo)體呈現(xiàn)較低的電阻率，而當溫度升高到達高分子聚合物熔點以上，電阻率會急速升高。目前常規(guī)的聚合物材料包括聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、EVA、EAA、EBA，導(dǎo)電填料包括炭黑、石墨、碳纖維、鎳粉、銅粉、鋁粉等。

目前一般生產(chǎn)企業(yè)制造熱敏電阻粉體使用的工藝為：稱料、加入施主雜質(zhì)球磨混料、烘干、壓塊1150℃預(yù)合成、粉碎、稱料、加入受主雜質(zhì)和燒結(jié)助劑球磨混料、加入余料量為8% 的濃度為10% 的PVA、噴霧造粒。按此工藝生產(chǎn)的電阻組份分散不均勻、晶粒大小不勻、α 系數(shù)低、耐電壓性能差，使用時容易出現(xiàn)熱擊穿等致命缺陷。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的實施例提供一種高溫型電阻元件及其制備方法，原料簡單，制備的得到的所述高溫型電阻元件元件，組分分散均勻，較高的耐電壓能力，可在汽車電機等高溫環(huán)境下工作，具有較好的耐壓等級，提升了器件在高溫高壓下的可靠性。

為達到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術(shù)方案：

本發(fā)明的實施例提供一種高溫型電阻元件，包括以下的重量份數(shù)的原料制備而成：高分子聚合物40-65份，導(dǎo)電填料25-50份，無機填料1-10份，偶聯(lián)劑1-5份，抗氧劑0.1-2份，分散助劑0.01-0.1份。

進一步的，所述的一種高溫型電阻元件是以下重量份數(shù)的原料制備而成：高分子聚合物50-60份，導(dǎo)電填料30-40份，無機填料5-8份，偶聯(lián)劑1-3份，抗氧劑0.5-1份，分散助劑0.03-0.08份。

進一步的，所述高分子聚合物是聚偏氟乙烯，高密度聚乙烯，乙烯-四氟乙烯共聚物，乙烯-醋酸乙烯共聚物中的一種或多種混合物。

進一步的，所述導(dǎo)電填料是炭黑、石墨、碳纖維、金屬粉末、金屬纖維、無氧導(dǎo)電陶瓷粉中的一種或多種的混合物。

進一步的，所述無機填料是氫氧化銀或氫氧化鎂。

進一步的，所述偶聯(lián)劑是鈦酸偶聯(lián)劑或硅烷偶聯(lián)劑。

進一步的，所述抗氧劑是對苯二酚、硫代雙酚、萘胺、二苯胺、對苯二胺中的一種或多種混合物。

進一步的，所述分散助劑是二氧化錳，三氧化二銻，碳酸鋰的混合物。

進一步的，所述分散助劑是由以下重量份數(shù)的原料組成：二氧化錳40-60份，三氧化二銻40-60份，碳酸鋰10-30份。

本發(fā)明還提供了一種高溫型電阻元件的制備方法，包括：

S1、將所有粉料混合均勻，在乙醇中研磨成納米粉末；

S2、將步驟1得到的納米粉末加入密煉機進行混煉，混煉溫度200℃-250℃，混煉30-60分鐘，壓成薄片；

S3、將步驟2得到的薄片按不同規(guī)格沖程各種尺寸的芯片，得到所述高溫型電阻元件。

本發(fā)明實施例提供的一種高溫型電阻及其制備方法，具有以下優(yōu)點：

（1）制備工藝簡單可行，生產(chǎn)成本低廉；（2）組分分散均勻，晶粒大小勻稱、α 系數(shù)高；（3）耐壓耐高溫，衰減性能較好。

具體實施方式

為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合具體實施方式對本發(fā)明作進一步詳細描述。

實施例1

一種高溫型電阻元件，由下列重量份數(shù)的原料制備而成：聚偏氟乙烯40-50份，炭黑25-30份，氫氧化銀1-5份，硅烷偶聯(lián)劑1-2份，對苯二酚0.1-0.5份，二氧化錳0.01-0.04份，三氧化二銻0.01-0.04份，碳酸鋰0.01-0.02份。

一種高溫型電阻元件制備方法，包括：

S1、將所有粉料混合均勻，在乙醇中研磨成納米粉末；

S2、將步驟1得到的納米粉末加入密煉機進行混煉，混煉溫度200℃，混煉60分鐘，壓成薄片；

S3、將步驟2得到的薄片按不同規(guī)格沖程各種尺寸的芯片，得到所述高溫型電阻元件。

實施例2