[發明專利]鍍膜裝置及其控制方法、襯底保持件、和存儲介質有效
| 申請號: | 201710320234.8 | 申請日: | 2017-05-09 |
| 公開(公告)號: | CN107460445B | 公開(公告)日: | 2021-02-26 |
| 發明(設計)人: | 藤方淳平 | 申請(專利權)人: | 株式會社荏原制作所 |
| 主分類號: | C23C14/54 | 分類號: | C23C14/54;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人: | 陳偉;王娟娟 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 鍍膜 裝置 及其 控制 方法 襯底 保持 存儲 介質 | ||
本發明提供鍍膜裝置及其控制方法、襯底保持件、和存儲介質。鍍膜裝置使用具有將襯底的被鍍膜面密封的彈性突出部的襯底保持件對襯底進行鍍膜,鍍膜裝置包括:測量裝置,其構成為,通過測量所述襯底與所述襯底保持件的所述彈性突出部物理性接觸時的、所述彈性突出部的擠壓量和施加于所述彈性突出部的載荷的至少一者,來測量所述彈性突出部的變形狀態;和控制裝置,其構成為,基于所述測量的變形狀態,判定所述彈性突出部進行的密封是否正常。
技術領域
本發明涉及對半導體晶片等被鍍膜體(襯底)進行鍍膜的鍍膜裝置、鍍膜裝置的控制方法、和存儲有用于使計算機執行鍍膜裝置的控制方法的程序的存儲介質。
背景技術
歷來,在設置于半導體晶片等的表面的微細的布線用槽、孔、或者抗蝕開口部形成布線,或者在半導體晶片等的表面形成與封裝的電極等電連接的凸塊(突起狀電極)。作為該形成布線和凸塊的方法,例如已知有電解鍍膜法、蒸鍍法、印刷法、球狀凸塊法等,但是伴隨半導體芯片的I/O數量的增加、細節距化,逐漸大多使用能夠微細化且性能比較穩定的電解鍍膜法。
近年,要求用鍍膜裝置對具有各種翹曲狀態的襯底進行鍍膜處理。已知在將這樣的具有各種翹曲狀態的襯底保持于襯底保持件并進行鍍膜的情況下,產生由于密封件的按壓狀況不好而發生泄漏、鍍膜的面內均勻性惡化這樣的狀況。
日本專利第5643239號公報(專利文獻1)公開了一種襯底保持件,在由第一保持部件和第二保持部件夾持地保持襯底的外周部的襯底保持件中,由支承基座和利用壓縮彈簧移動自如地支承于支承基座的可動基座構成第一保持部件。該襯底保持件中,當在可動基座上載置襯底并將襯底夾持在第一保持部件與第二保持部件之間時,將襯底向第二保持部件施力來吸收襯底的厚度的變化,由此,能夠在將設置于襯底保持件的密封部件的壓縮尺寸進一步保持在一定范圍的狀態下保持襯底。
日本專利第5782398號公報(專利文獻2)公開了一種襯底保持件,在由第一保持部件和第二保持部件夾持地保持襯底的外周部的襯底保持件中,當由襯底保持件保持襯底時用第二保持部件的第一密封部件對第一保持部件與第二保持部件之間進行密封,并且用第二保持部件的第二密封部件對襯底的外周部進行密封,由此,由第一保持部件、第二保持部件和襯底在襯底保持件內形成內部空間。在使用該襯底保持件的鍍膜方法中,實施將上述內部空間內抽真空并檢查上述內部空間在一定時間后是否達到規定真空壓力的第一階段泄漏檢查,來檢查第一和第二密封部件的密封性,對保持第一階段泄漏檢查中合格了的襯底的襯底保持件實施密封上述內部空間并檢查上述內部空間內的壓力在規定時間內是否變化成規定值以上的第二階段泄漏檢查,來進一步檢查第一和第二密封部件的密封性,使用第一和第二階段泄漏檢查中合格了的襯底保持件實施襯底的鍍膜處理。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本專利第5643239號公報
專利文獻2:日本專利第5782398號公報
發明內容
發明要解決的課題
專利文獻1記載的襯底保持件,根據襯底的翹曲,使載置了襯底的可動基座移動來吸收襯底的厚度的變化,進一步將密封部件的壓縮尺寸保持為一定,但是不是直接確認由襯底保持件夾持或者保持襯底時的密封部件的壓縮尺寸(擠壓量)。
專利文獻2記載的鍍膜裝置中,在將襯底保持于襯底保持件時,檢查由第一和第二密封部件密封的內部空間的壓力在規定時間內是否成為規定的真空壓力(第一階段泄漏檢查),檢查在規定時間內是否產生規定值以上的變化(第二階段泄漏檢查),但是沒有直接確認密封部件的壓縮尺寸(擠壓量)。此外,專利文獻2記載的鍍膜裝置中,為了第一和第二階段泄漏檢查,需要另外設置真空配管、閥、示蹤氣體源等。
因此,期望直接確認在襯底保持件保持襯底時的密封部件的變形狀態(按壓狀況),并能更可靠地進行鍍膜處理。此外,期望直接確認密封部件的變形狀態(按壓狀況),并能迅速地進行鍍膜處理。
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