[發明專利]晶圓吸盤、晶圓吸附裝置以及晶圓劃片機在審
| 申請號： | 201710319291.4 | 申請日： | 2017-05-08 |
| 公開（公告）號： | CN107134426A | 公開（公告）日： | 2017-09-05 |
| 發明（設計）人： | 秦江;岳蕓;孫彬;呂超 | 申請（專利權）人： | 北京中電科電子裝備有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京銀龍知識產權代理有限公司11243 | 代理人： | 許靜,劉偉 |
| 地址： | 100176 北京市經*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 吸盤 吸附 裝置 以及 劃片 | ||
1.一種晶圓吸盤，其特征在于，包括吸盤主體，所述吸盤主體包括用于吸持晶圓的吸持面，所述吸持面上設有多個吸附槽，所述多個吸附槽與氣路連通，所述氣路貫穿所述吸盤主體且被設置為與真空源相連接，其中，所述多個吸附槽形成為橫截面為V字形的槽。
2.根據權利要求1所述的晶圓吸盤，其特征在于，所述V字形的槽位于所述吸持面上的槽寬為0.2mm～0.5mm。
3.根據權利要求1所述的晶圓吸盤，其特征在于，所述V字形的槽的兩側壁之間的夾角為45°～90°。
4.根據權利要求1至3任一項所述的晶圓吸盤，其特征在于，所述多個吸附槽在所述吸持面上沿著所述吸盤主體的徑向延伸，且在所述吸盤主體的圓周方向上均勻分布。
5.根據權利要求4所述的晶圓吸盤，其特征在于，所述晶圓為4寸晶圓，所述吸持面上設有15-21條所述吸附槽。
6.根據權利要求1至3任一項所述的晶圓吸盤，其特征在于，所述多個吸附槽在所述吸持面上沿著所述吸盤主體的周向延伸。
7.根據權利要求6所述的晶圓吸盤，其特征在于，所述晶圓為4寸晶圓，所述吸持面上設有15-21列所述吸附槽，且該15-21列吸附槽在所述吸盤主體的徑向上均勻分布。
8.根據權利要求6所述的晶圓吸盤，其特征在于，在同一圓周上均勻地形成有多個所述吸附槽。
9.一種晶圓吸附裝置，其特征在于，包括：
工作臺；
根據權利要求1至8中任一項所述的晶圓吸盤，所述晶圓吸盤設置在所述工作臺上；和真空源，所述真空源與所述晶圓吸盤的氣路相連。
10.一種晶圓劃片機，其特征在于，包括：
如權利要求9所述的晶圓吸附裝置；和
晶圓切割裝置，所述晶圓切割裝置用于對吸附在所述晶圓吸附裝置上的晶圓進行劃片加工。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
