[發明專利]電子裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201710318645.3
• 申請日: 2017-05-08
• 公開（公告）號: CN108878399B
• 公開（公告）日: 2020-12-22
• 發明（設計）人: 顏孝璁;簡育生;葉達勛
• 申請（專利權）人: 瑞昱半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L23/528
• 分類號: H01L23/528;H01L21/60
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

電子裝置包含第一半導體晶粒、多個凸塊以及基材。第一半導體晶粒包含第一導電特征。凸塊設置于第一半導體晶粒，并連接第一導電特征。基材包含第二導電特征。凸塊是電性連接于第二導電特征。第一導電特征、凸塊以及第二導電特征是配置以形成至少一環狀結構。

技術領域

本案是關于一種可抑制環境中電磁輻射的耦合現象的電子裝置及其制造方法。

背景技術

于積體電路中，耦合現象常發生于其內的電感與線路，諸如發生于電感與電感之間、線路與線路之間以及電感與線路之間。尤其在高頻領域中(如5GHz-10GHz)，或是10GHz以上，其耦合現象更加明顯，嚴重影響積體電路的效能。

對于發生在電感與電感之間的耦合現象而言，由于積體電路的制程的發展方向漸趨微型化，致使積體電路內的電感與電感之間的距離越來越近，從而導致電感與電感之間的耦合現象愈加顯著。此外，于實際應用中，前述的電感可為變壓器(transformer)、傳輸線(transmission line)或金屬走線(metal trace)。

發明內容

依據本揭露之一實施方式，一種電子裝置包含第一半導體晶粒、多個凸塊以及基材。第一半導體晶粒包含第一導電特征。凸塊設置于第一半導體晶粒，并連接第一導電特征。基材包含第二導電特征。凸塊是電性連接于第二導電特征。

依據本揭露之另一實施方式，一種電子裝置的制造方法包含形成第一導電特征以及多個凸塊于第一半導體晶粒，且第一導電特征電性連接多個凸塊；以及將多個凸塊電性連接基材上的第二導電特征。

附圖說明

圖1繪示依據本案的一實施方式的電子裝置的立體圖，其中省略繪示絕緣材料以及第二半導體晶粒。

圖2繪示沿著圖1中線段A-A的剖視圖。

圖3繪示依據本案的一實施方式的電子裝置的實驗數據圖。

圖4繪示依據本案的一實施方式的電子裝置的立體圖。

圖5繪示依據本案的一實施方式的電子裝置的立體圖，其中省略繪示絕緣材料、第二半導體晶粒以及第三半導體晶粒。

圖6繪示沿著圖5中線段B-B的剖視圖。

圖7繪示依據本案的一實施方式的電子裝置的制造方法的流程圖。

【符號說明】

1、2、3：電子裝置

10：第一半導體晶粒

12、22：凸塊

13：絕緣材料

14：第二半導體晶粒

15：環狀結構

16：第三半導體晶粒

17：空間

18：第一電磁輻射源結構

19：第二電磁輻射源結構

100、200：第一導電特征

140、240：第二導電特征

160：導電接觸

162：第三導電特征

170、370、3700、3702：子空間

1001～1006：步驟

m1、m2：曲線

A-A、B-B：線段

具體實施方式