[發(fā)明專利]電子裝置及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710318645.3
• 申請(qǐng)日: 2017-05-08
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108878399B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-12-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 顏孝璁;簡(jiǎn)育生;葉達(dá)勛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 瑞昱半導(dǎo)體股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/528
• 分類號(hào): H01L23/528;H01L21/60
• 代理公司: 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種電子裝置，包含：

一第一半導(dǎo)體晶粒，包含一第一導(dǎo)電特征；

復(fù)數(shù)個(gè)凸塊，設(shè)置于該第一半導(dǎo)體晶粒，并連接該第一導(dǎo)電特征；以及

一基材，包含一第二導(dǎo)電特征，其中該些凸塊是電性連接于該第二導(dǎo)電特征，

所述第一導(dǎo)電特征的面向所述第二導(dǎo)電特征的表面、與所述第一半導(dǎo)體晶粒的面向所述基材的表面齊平，所述第二導(dǎo)電特征的面向所述第一導(dǎo)電特征的表面、與所述基材的面向所述第一半導(dǎo)體晶粒的表面齊平，

更包含一第三半導(dǎo)體晶粒，該第三半導(dǎo)體晶粒位于該第一半導(dǎo)體晶粒與該基材之間，該第三半導(dǎo)體晶粒包含第三導(dǎo)電特征，該第三半導(dǎo)體晶粒包含復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)電接觸，且該第一導(dǎo)電特征、該些凸塊、所述復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)電接觸以及該第二導(dǎo)電特征是配置以形成至少一環(huán)狀結(jié)構(gòu)，該第三導(dǎo)電特征與該第二導(dǎo)電特征之間通過(guò)所述復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)電接觸連接并且共同形成有位于第三半導(dǎo)體晶粒中的子空間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置，其中該些凸塊是接合該第三導(dǎo)電特征。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置，該些凸塊分別經(jīng)由該些導(dǎo)電接觸電性連接該第二導(dǎo)電特征。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置，其中該第一導(dǎo)電特征與該第三導(dǎo)電特征之間具有一空間，該些凸塊設(shè)置于該空間中以形成至少另一子空間，該另一子空間由該些凸塊中相鄰的兩者、該第一導(dǎo)電特征的一部位以及該第三導(dǎo)電特征的一部位環(huán)繞而形成。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置，其中該第一導(dǎo)電特征、該些凸塊以及該基材中的至少一者是接地。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置，更包含：

一第一電磁輻射源結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該第一半導(dǎo)體晶粒；以及

一第二電磁輻射源結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該第一半導(dǎo)體晶粒，其中該第一導(dǎo)電特征位于該第一電磁輻射源結(jié)構(gòu)與該第二電磁輻射源結(jié)構(gòu)之間。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電子裝置，其中該第一電磁輻射源結(jié)構(gòu)與該第二電磁輻射源結(jié)構(gòu)分隔于該第一導(dǎo)電特征與該些凸塊以及該第二導(dǎo)電特征的兩側(cè)。

8.一種電子裝置的制造方法，包含：

形成一第一導(dǎo)電特征以及復(fù)數(shù)個(gè)凸塊于一第一半導(dǎo)體晶粒，且該第一導(dǎo)電特征電性連接該些凸塊；以及

將該些凸塊電性連接一基材上的一第二導(dǎo)電特征，所述第一導(dǎo)電特征的面向所述第二導(dǎo)電特征的表面、與所述第一半導(dǎo)體晶粒的面向所述基材的表面齊平，所述第二導(dǎo)電特征的面向所述第一導(dǎo)電特征的表面、與所述基材的面向所述第一半導(dǎo)體晶粒的表面齊平，

更包含一第三半導(dǎo)體晶粒，該第三半導(dǎo)體晶粒位于該第一半導(dǎo)體晶粒與該基材之間，該第三半導(dǎo)體晶粒包含第三導(dǎo)電特征，該第三半導(dǎo)體晶粒包含復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)電接觸，該第一導(dǎo)電特征、該些凸塊、所述復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)電接觸以及該第二導(dǎo)電特征形成至少一環(huán)狀結(jié)構(gòu)，該第三導(dǎo)電特征與該第二導(dǎo)電特征之間通過(guò)所述復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)電接觸電性連接并且共同環(huán)繞形成有位于第三半導(dǎo)體晶粒中的空間。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電子裝置的制造方法，其中該將該些凸塊電性連接一基材上的一第二導(dǎo)電特征包含：

將該些凸塊分別電性連接該第三半導(dǎo)體晶粒上的該復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)電接觸；以及

將該些導(dǎo)電接觸電性連接至該第二導(dǎo)電特征。