[發明專利]薄膜晶體管及制造方法、陣列基板、顯示面板、顯示裝置

有效

• 申請號: 201710318516.4
• 申請日: 2017-05-08
• 公開（公告）號: CN106910780B
• 公開（公告）日: 2020-12-11
• 發明（設計）人: 李海旭;曹占鋒;姚琪;汪建國;孟凡娜
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/417;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/324;H01L27/12;G02F1/1362
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 滕一斌

本發明公開了一種薄膜晶體管及制造方法、陣列基板、顯示面板、顯示裝置，屬于顯示技術領域。所述薄膜晶體管包括漏極和源極，所述漏極和/或所述源極為摻雜有釔元素的第一金屬薄膜，且所述第一金屬薄膜的表面為退火處理形成的釔銅絡合氧化物。本發明通過將薄膜晶體管的漏極和/或源極設置為摻雜有釔元素的經過退火處理的第一金屬薄膜，可提高漏極和/或源極的導電率以及抗氧化性能，減少漏源極與其相接觸的結構之間的接觸電阻，使薄膜晶體管的性能更加穩定。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，特別涉及一種薄膜晶體管及制造方法、陣列基板、顯示面板、顯示裝置。

背景技術

在顯示技術領域，平板顯示裝置，如液晶顯示器(英語Liquid Crystal Display，簡稱LCD)，因其具有輕、薄、低功耗、高亮度，以及高畫質等優點，在平板顯示領域占據重要的地位。尤其是大尺寸、高分辨率，以及高畫質的平板顯示裝置，如液晶電視，在當前的平板顯示裝置市場已經占據了主導地位。目前，客戶對顯示面板的要求也不斷提高，隨之而來的是對顯示面板響應時間、功耗及分辨率要求的提高。其中，薄膜晶體管(英語Thin FilmTransistor，簡稱TFT)是液晶顯示裝置中的關鍵器件，對顯示裝置的工作性能起到十分重要的作用。

目前，薄膜晶體管中的金屬層材料會選擇電阻盡量小、導電性強的材料，以便減少功耗、降低壓降及提高響應速度。其中，漏源極的材料一般選用銅，銅具有較低的電阻率及良好的抗電遷移能力，可滿足顯示裝置大尺寸、高分辨率及高驅動頻率的要求。

但是，銅本身因其活潑性的原因，易與氧氣及水分接觸發生氧化，使得漏源極與像素電極之間的接觸電阻增加，進而會影響薄膜晶體管的特性。

發明內容

為了解決現有技術中漏源極易氧化，而增加漏源極與像素電極之間的接觸電阻的問題，本發明實施例提供了一種薄膜晶體管及制造方法、陣列基板、顯示面板、顯示裝置。所述技術方案如下：

第一方面，提供了一種薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括：漏極和源極，所述漏極和/或所述源極為摻雜有釔元素的含有銅的第一金屬薄膜，且所述第一金屬薄膜的表面為經過退火處理形成的釔銅氧化物。

具體地，所述第一金屬薄膜的材料為銅或者銅合金。

具體地，所述第一金屬薄膜的材料為銅，且所述釔元素的摻雜量的質量分數為小于0.06％。

具體地，所述釔元素的摻雜量的質量分數為0.02％。

在本發明實施例的一種實現方式中，所述薄膜晶體管還包括柵極，所述柵極為摻雜有釔元素的含有銅的第二金屬薄膜，且所述第二金屬薄膜的表面為經過退火處理形成的釔銅氧化物。

第二方面，提供了一種薄膜晶體管制造方法，所述方法包括：

形成漏極和源極，其中，所述漏極和/或所述源極為摻雜有釔元素的含有銅的第一金屬薄膜；

對所述第一金屬薄膜進行退火處理，使所述第一金屬薄膜的表面形成釔銅氧化物。

具體地，所述第一金屬薄膜的材料為銅或者銅合金。

具體地，所述第一金屬薄膜的材料為銅，且所述釔元素的摻雜量的質量分數為小于0.06％。

具體地，所述釔元素的摻雜量的質量分數為0.02％。

在本發明實施例的一種實現方式中，所述方法還包括：形成柵極，所述柵極為摻雜有釔元素的含有銅的第二金屬薄膜；

對所述第二金屬薄膜進行退火處理，使所述第二金屬薄膜的表面形成釔銅氧化物。

第三方面，提供一種陣列基板，所述陣列基板包括第一方面所述的薄膜晶體管。

第四方面，提供一種顯示面板，所述顯示面板包括第三方面所述的陣列基板。