[發明專利]薄膜晶體管及制造方法、陣列基板、顯示面板、顯示裝置

有效

• 申請號: 201710318516.4
• 申請日: 2017-05-08
• 公開（公告）號: CN106910780B
• 公開（公告）日: 2020-12-11
• 發明（設計）人: 李海旭;曹占鋒;姚琪;汪建國;孟凡娜
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/417;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/324;H01L27/12;G02F1/1362
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 滕一斌

1.一種薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管包括漏極和源極，所述漏極和/或所述源極為摻雜有釔元素的含有銅的第一金屬薄膜，且所述第一金屬薄膜的表面為經過退火處理形成的釔銅氧化物，其中，所述釔元素的摻雜量的質量分數為小于0.06％，所述退火處理的退火溫度為210-250度，退火氣氛為空氣，退火時間為0.5-1小時，所述釔銅氧化物為Y₂Cu₈的致密氧化層。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一金屬薄膜的材料為銅或者銅合金。

3.根據權利要求1或2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述釔元素的摻雜量的質量分數為0.02％。

4.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括柵極，所述柵極為摻雜有釔元素的含有銅的第二金屬薄膜，且所述第二金屬薄膜的表面為經過退火處理形成的釔銅氧化物。

5.一種薄膜晶體管制造方法，其特征在于，所述方法包括：

形成漏極和源極，其中，所述漏極和/或所述源極為摻雜有釔元素的含有銅的第一金屬薄膜，所述釔元素的摻雜量的質量分數為小于0.06％；

對所述第一金屬薄膜進行退火處理，使所述第一金屬薄膜的表面形成釔銅氧化物，所述退火處理的退火溫度為210-250度，退火氣氛為空氣，退火時間為0.5-1小時，所述釔銅氧化物為Y₂Cu₈的致密氧化層。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一金屬薄膜的材料為銅或者銅合金。

7.根據權利要求5或6所述的方法，其特征在于，所述釔元素的摻雜量的質量分數為0.02％。

8.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：形成柵極，所述柵極為摻雜有釔元素的含有銅的第二金屬薄膜；

對所述第二金屬薄膜進行退火處理，使所述第二金屬薄膜的表面形成釔銅氧化物。

9.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括權利要求1-4任一項所述的薄膜晶體管。

10.一種顯示面板，其特征在于，所述顯示面板包括權利要求9所述的陣列基板。

11.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括權利要求10所述的顯示面板。