[發明專利]薄膜晶體管、顯示基板及其制作方法、顯示裝置

在審

• 申請號: 201710317056.3
• 申請日: 2017-05-08
• 公開（公告）號: CN107424935A
• 公開（公告）日: 2017-12-01
• 發明（設計）人: 劉威
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/786;H01L29/417
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司11243
• 代理人: 劉偉,張博

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，特別是指一種薄膜晶體管、顯示基板及其制作方法、顯示裝置。

背景技術

由于頂柵型的氧化物TFT(薄膜晶體管)具有較低的寄生電容，較優良的電學特性，因此被視為是大尺寸高分辨率的AMOLED(有源矩陣有機發光二極體)顯示器的首選技術方案。頂柵型TFT常采用共面結構的自對準工藝技術來制作，在頂柵自對準共面結構的TFT中，氧化物有源層位于源漏金屬層和柵金屬層下方，靠近襯底基板，很容易受到外界光源或者環境光的照射，而氧化物有源層的光照穩定性較差，因此頂柵型的氧化物TFT常常需要在氧化物有源層下方制作金屬圖形用來遮光。

由于現有技術需要利用專門的一次構圖工藝來制作用來遮光的金屬圖形，因此會增加頂柵型的氧化物TFT的構圖工藝次數，導致頂柵型的氧化物TFT的構圖工藝次數較多，生產成本較高；并且現有技術中為了提高頂柵型TFT的電學特性，一般將用來遮光的金屬圖形與源漏金屬層進行電連接，連接金屬圖形與源漏金屬層的過孔需要同時貫穿層間絕緣層和緩沖層，過孔的深度較大，提高了打孔工藝的難度，并且容易產生工藝上的不良，例如搭接斷線。同時，頂柵自對準共面結構的TFT中，經常將導體化后的氧化物有源層作為源電極、漏電極和數據線使用，這樣在大尺寸面板上，由于導電性的不佳會造成嚴重的IR Drop(壓降)現象，影響顯示效果。

發明內容

本發明要解決的技術問題是提供一種薄膜晶體管、顯示基板及其制作方法、顯示裝置，能夠保證薄膜晶體管的產品良率和顯示基板的顯示效果。

為解決上述技術問題，本發明的實施例提供技術方案如下：

一方面，提供一種薄膜晶體管的制作方法，包括：

在襯底基板上形成遮光金屬圖形和源漏金屬層圖形；

形成覆蓋所述遮光金屬圖形和所述源漏金屬層圖形的緩沖層，對所述緩沖層進行構圖，形成暴露出部分所述遮光金屬圖形的第一過孔和暴露出部分所述源漏金屬層圖形的第二過孔；

在所述緩沖層上形成半導體層的圖形，所述半導體層的圖形包括源極區、漏極區、位于所述源極區和所述漏極區之間的有源層，所述遮光金屬圖形在所述襯底基板上的正投影覆蓋所述有源層在所述襯底基板上的正投影，且所述遮光金屬圖形在所述襯底基板上的正投影至少覆蓋部分所述源極區和部分所述漏極區在所述襯底基板上的正投影，所述源極區通過所述第一過孔與所述遮光金屬圖形連接，所述漏極區通過所述第二過孔與所述源漏金屬層圖形連接；

在所述半導體層的圖形上形成柵絕緣層的圖形和柵極，所述柵絕緣層的圖形在所述襯底基板上的正投影與所述柵極在所述襯底基板上的正投影重合；

以所述柵極為掩膜，對所述源極區和所述漏極區進行導體化處理，形成薄膜晶體管的源極和漏極。

進一步地，所述在襯底基板上形成遮光金屬圖形和源漏金屬層圖形包括：

在襯底基板上通過一次構圖工藝同時形成所述遮光金屬圖形和所述源漏金屬層圖形。

進一步地，形成柵絕緣層的圖形和柵極包括：

通過一次構圖工藝同時形成所述柵絕緣層的圖形和柵極。

進一步地，所述半導體層的圖形為采用金屬氧化物半導體材料。

本發明實施例還提供了一種薄膜晶體管，采用如上所述的制作方法制作得到，包括：

位于襯底基板上的同層的遮光金屬圖形和源漏金屬層圖形；

覆蓋所述遮光金屬圖形和所述源漏金屬層圖形的緩沖層，所述緩沖層包括對應所述遮光金屬圖形的第一過孔和對應所述源漏金屬層圖形的第二過孔；

位于所述緩沖層上的源極、漏極和有源層，所述遮光金屬圖形在所述襯底基板上的正投影覆蓋所述有源層在所述襯底基板上的正投影，且所述遮光金屬圖形在所述襯底基板上的正投影至少覆蓋部分所述源極區和部分所述漏極區在所述襯底基板上的正投影，所述源極通過所述第一過孔與所述遮光金屬圖形連接，所述漏極通過所述第二過孔與所述源漏金屬層圖形連接；

位于所述有源層上的柵絕緣層的圖形；

位于所述柵絕緣層上的柵極，所述柵極在所述襯底基板上的正投影與所述柵絕緣層的圖形在所述襯底基板上的正投影重合。

本發明實施例還提供了一種顯示基板的制作方法，包括采用如上所述的方法在襯底基板上制作薄膜晶體管。

進一步地，在制作所述薄膜晶體管之后，所述制作方法還包括：

形成鈍化層，對所述鈍化層進行構圖形成暴露出部分所述薄膜晶體管的漏極的第三過孔；

在所述鈍化層上形成像素電極的圖形，所述像素電極通過所述第三過孔與所述漏極連接。