[發明專利]薄膜晶體管、顯示基板及其制作方法、顯示裝置

在審

• 申請號: 201710317056.3
• 申請日: 2017-05-08
• 公開（公告）號: CN107424935A
• 公開（公告）日: 2017-12-01
• 發明（設計）人: 劉威
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/786;H01L29/417
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司11243
• 代理人: 劉偉,張博

1.一種薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，包括：

在襯底基板上形成遮光金屬圖形和源漏金屬層圖形；

形成覆蓋所述遮光金屬圖形和所述源漏金屬層圖形的緩沖層，對所述緩沖層進行構圖，形成暴露出部分所述遮光金屬圖形的第一過孔和暴露出部分所述源漏金屬層圖形的第二過孔；

在所述緩沖層上形成半導體層的圖形，所述半導體層的圖形包括源極區、漏極區、位于所述源極區和所述漏極區之間的有源層，所述遮光金屬圖形在所述襯底基板上的正投影覆蓋所述有源層在所述襯底基板上的正投影，且所述遮光金屬圖形在所述襯底基板上的正投影至少覆蓋部分所述源極區和部分所述漏極區在所述襯底基板上的正投影，所述源極區通過所述第一過孔與所述遮光金屬圖形連接，所述漏極區通過所述第二過孔與所述源漏金屬層圖形連接；

在所述半導體層的圖形上形成柵絕緣層的圖形和柵極，所述柵絕緣層的圖形在所述襯底基板上的正投影與所述柵極在所述襯底基板上的正投影重合；

以所述柵極為掩膜，對所述源極區和所述漏極區進行導體化處理，形成薄膜晶體管的源極和漏極。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述在襯底基板上形成遮光金屬圖形和源漏金屬層圖形包括：

在襯底基板上通過一次構圖工藝同時形成所述遮光金屬圖形和所述源漏金屬層圖形。

3.根據權利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，形成柵絕緣層的圖形和柵極包括：

通過一次構圖工藝同時形成所述柵絕緣層的圖形和柵極。

4.根據權利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述半導體層的圖形為采用金屬氧化物半導體材料。

5.一種薄膜晶體管，其特征在于，采用如權利要求1-4中任一項所述的制作方法制作得到，包括：

位于襯底基板上的同層的遮光金屬圖形和源漏金屬層圖形；

覆蓋所述遮光金屬圖形和所述源漏金屬層圖形的緩沖層，所述緩沖層包括對應所述遮光金屬圖形的第一過孔和對應所述源漏金屬層圖形的第二過孔；

位于所述緩沖層上的源極、漏極和有源層，所述遮光金屬圖形在所述襯底基板上的正投影覆蓋所述有源層在所述襯底基板上的正投影，且所述遮光金屬圖形在所述襯底基板上的正投影至少覆蓋部分所述源極區和部分所述漏極區在所述襯底基板上的正投影，所述源極通過所述第一過孔與所述遮光金屬圖形連接，所述漏極通過所述第二過孔與所述源漏金屬層圖形連接；

位于所述有源層上的柵絕緣層的圖形；

位于所述柵絕緣層上的柵極，所述柵極在所述襯底基板上的正投影與所述柵絕緣層的圖形在所述襯底基板上的正投影重合。

6.一種顯示基板的制作方法，其特征在于，包括采用如權利要求1-4中任一項所述的方法在襯底基板上制作薄膜晶體管。

7.根據權利要求6所述的顯示基板的制作方法，其特征在于，在制作所述薄膜晶體管之后，所述制作方法還包括：

形成鈍化層，對所述鈍化層進行構圖形成暴露出部分所述薄膜晶體管的漏極的第三過孔；

在所述鈍化層上形成像素電極的圖形，所述像素電極通過所述第三過孔與所述漏極連接。

8.一種顯示基板，其特征在于，包括位于襯底基板上的如權利要求5所述的薄膜晶體管。

9.根據權利要求8所述的顯示基板，其特征在于，所述顯示基板還包括：

覆蓋所述薄膜晶體管的鈍化層；

通過貫穿所述鈍化層的第三過孔與所述薄膜晶體管的漏極連接的像素電極。

10.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求8或9所述的顯示基板。