[發明專利]半導體器件及其制造方法

在審

• 申請號: 201710315963.4
• 申請日: 2017-05-08
• 公開（公告）號: CN108878461A
• 公開（公告）日: 2018-11-23
• 發明（設計）人: 戚德奎;陳福成
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 王莉莉

本申請公開了一種半導體器件及其制造方法，涉及半導體技術領域。該器件包括：設置在器件晶片的電介質層中的金屬連線；位于金屬連線上方的第一開口，第一開口的深度與金屬連線齊平；位于器件兩端的第二開口，第二開口的深度與第一開口的深度相同；覆蓋在第一開口和第二開口的側壁上的隔離層，隔離層由濾色材料構成。該器件和方法能夠簡化焊盤引出和隔離的工藝步驟，滿足背面密封環的技術需求。

技術領域

本申請涉及半導體技術領域，特別涉及一種半導體器件及其制造方法。

背景技術

現有的BSI(Back-side illuminated，背照式)器件需要多道光刻層次及蝕刻工藝(如背面硅光刻或蝕刻、層間電介質沉積、布線沉積等)來實現焊盤引出和隔離，這種工藝的步驟繁瑣且實現成本高。另外，缺乏針對于BSI器件的背面密封環的設計和工藝。

發明內容

本申請的發明人發現上述現有技術中存在的問題，并因此針對所述問題中的至少一個問題提出了一種新的技術方案。

本申請的一個目的是提供一種半導體器件的技術方案，能夠簡化焊盤引出和隔離的工藝步驟，并能夠滿足背面密封環的技術需求。

根據本申請的第一方面，提供了一種半導體器件，包括：設置在器件晶片的電介質層中的金屬連線；位于所述金屬連線上方的第一開口，所述第一開口的深度與所述金屬連線齊平；覆蓋在所述第一開口的側壁上的第一隔離層，所述第一隔離層由第一濾色材料構成。

可選地，該器件還包括：位于所述器件兩端的第二開口，所述第二開口的深度與所述第一開口的深度相同；覆蓋在所述第二開口的側壁上的第二隔離層，所述第二隔離層由第二濾色材料構成。

可選地，該器件還包括：位于所述器件晶片上的像素區，所述像素區包括由金屬柵格隔開的填充有第三濾色材料的多個單元；位于所述多個單元上的微透鏡。

可選地，所述第一濾色材料與所述第二濾色材料由一種或多種顏色的濾色材料構成。

可選地，所述第一開口和所述第二開口的開口深度小于或等于3μm；所述第一開口的寬度大于或等于40μm。

可選地，該器件還包括：用于承載所述器件晶片的載體晶片。

根據本申請的另一個方面，提供一種半導體器件的制造方法，包括：提供器件晶片，所述器件晶片的電介質層中形成有金屬連線；在所述金屬連線的上方形成第一開口，開口深度與所述金屬連線平齊；在所述第一開口的側壁上覆蓋第一濾色材料以形成第一隔離層。

可選地，該方法還包括：在所述器件兩端分別形成第二開口，其開口深度與所述第一開口的開口深度相同；在所述第二開口的側壁上覆蓋第二濾色材料分別形成第二隔離層。

可選地，該方法還包括：在所述器件晶片上形成圖案化的金屬柵格；在所述金屬柵格之間的每個間隙中分別填充第三濾色材料；在每個所述間隙上方分別形成微透鏡。

可選地，所述第一隔離層和所述第二隔離層均通過曝光顯影一種或多種濾色材料來形成。

可選地，所述金屬柵格由鋁或者鎢構成。

可選地，所述第一開口和所述第二開口的深度小于或等于3μm；所述第一開口的寬度大于或等于40μm。

可選地，該方法還包括：提供用于承載所述器件晶片的載體晶片。

本申請的一個優點在于，通過對濾色材料曝光顯影來形成隔離層簡化了焊盤引出和隔離的工藝步驟；通過在器件兩端的開口形成劃片道滿足了背面密封環的技術需求。

附圖說明

構成說明書的一部分的附圖描述了本申請的實施例，并且連同說明書一起用于解釋本申請的原理。