[發明專利]半導體器件及其制造方法

在審

• 申請號: 201710315963.4
• 申請日: 2017-05-08
• 公開（公告）號: CN108878461A
• 公開（公告）日: 2018-11-23
• 發明（設計）人: 戚德奎;陳福成
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 王莉莉

1.一種半導體器件，包括：

設置在器件晶片的電介質層中的金屬連線；

位于所述金屬連線上方的第一開口，所述第一開口的深度與所述金屬連線齊平；

覆蓋在所述第一開口的側壁上的第一隔離層，所述第一隔離層由第一濾色材料構成。

2.根據權利要求1所述的器件，還包括：

位于所述器件兩端的第二開口，所述第二開口的深度與所述第一開口的深度相同；

覆蓋在所述第二開口的側壁上的第二隔離層，所述第二隔離層由第二濾色材料構成。

3.根據權利要求2所述的器件，還包括：

位于所述器件晶片上的像素區，所述像素區包括由金屬柵格隔開的填充有第三濾色材料的多個單元；

位于所述多個單元上的微透鏡。

4.根據權利要求2所述的器件，其中，

所述第一濾色材料與所述第二濾色材料由一種或多種顏色的濾色材料構成。

5.根據權利要求2所述的器件，其中，

所述第一開口和所述第二開口的開口深度小于或等于3μm；

所述第一開口的寬度大于或等于40μm。

6.根據權利要求1-5中任一項所述的器件，還包括：

用于承載所述器件晶片的載體晶片。

7.一種半導體器件的制造方法，包括：

提供器件晶片，所述器件晶片的電介質層中形成有金屬連線；

在所述金屬連線的上方形成第一開口，開口深度與所述金屬連線平齊；

在所述第一開口的側壁上覆蓋第一濾色材料以形成第一隔離層。

8.根據權利要求7所述的方法，還包括：

在所述器件兩端分別形成第二開口，其開口深度與所述第一開口的開口深度相同；

在所述第二開口的側壁上覆蓋第二濾色材料分別形成第二隔離層。

9.根據權利要求8所述的方法，還包括：

在所述器件晶片上形成圖案化的金屬柵格；

在所述金屬柵格之間的間隙中填充第三濾色材料；

在所述間隙上方形成微透鏡。

10.根據權利要求8所述的方法，其中，

所述第一隔離層和所述第二隔離層均通過曝光顯影一種或多種濾色材料來形成。

11.根據權利要求9所述的方法，其中，

所述金屬柵格由鋁或者鎢構成。

12.根據權利要求10所述的方法，其中，

所述第一開口和所述第二開口的深度小于或等于3μm；

所述第一開口的寬度大于或等于40μm。

13.據權利要求7-12任一項所述的方法，還包括：

提供用于承載所述器件晶片的載體晶片。