[發明專利]一種具有自適應高階補償的高精度帶隙基準源

有效

• 申請號: 201710315819.0
• 申請日: 2017-05-08
• 公開（公告）號: CN107121997B
• 公開（公告）日: 2018-08-10
• 發明（設計）人: 周澤坤;曹建文;張家豪;汪堯;石躍;張波
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: G05F1/567
• 分類號: G05F1/567
• 代理公司: 成都點睛專利代理事務所(普通合伙) 51232
• 代理人: 孫一峰

本發明屬于電源管理技術領域，具體的說是涉及一種具有自適應高階補償的高精度帶隙基準源。本發明的電路包括啟動與高精度偏置電路、自適應高階補償電路和帶隙基準核心電路，本發明通過電流比較方式在低溫時引入負溫特性補償電壓，高溫時引入正溫特性補償電壓；同時，該種自適應補償電路同時也采用了指數補償方式，使得該種基準電路具有更高的溫度特性以及更寬的溫度范圍，從而滿足所需求高精度溫度范圍較寬的基準源。

技術領域

本發明屬于電源管理技術領域，具體的說是涉及一種具有自適應高階補償的高精度帶隙基準源。

背景技術

在模擬集成電路中，基準電壓源是非常重要的模塊。其基本作用是提供一個基本不隨溫度和供電電壓變化的基準電壓。隨著對基準電壓精度要求越來越高，傳統一階補償帶隙基準已經不能滿足設計需求。為了得到高精度基準電壓，二階、指數等高階補償方法被提出，但是此種補償方法對于提高基準電壓精度有限。

發明內容

本發明的目的，是為了解決現有帶隙基準的精度較低，不能滿足基準電壓精度越來越高的需求，提出了一種具有自適應高階補償的高精度帶隙基準電路，本發明的自適應高階補償方法在全溫范圍內都引入高階補償電壓，使得基準電壓在很寬溫度范圍內具有很高精度的基準電壓。

本發明的技術方案是：如圖1所示，一種具有自適應高階補償的高精度帶隙基準源，包括啟動與高精度偏置電路、自適應高階補償電路和帶隙基準核心電路；其特征在于，

如圖2所示，所述啟動與高精度偏置電路包括第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4、第五PMOS管MP5、第六PMOS管MP6、第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NPN三極管Q3、第四NPN三極管Q4、第五NPN三極管Q5、第六NPN三極管Q6、第八電阻R8、第九電阻R9和第一電容C1；

第一PMOS管MP1的源極接電源VCC，其柵極接第一偏置電壓V1，其漏極通過第八電阻R8后接地；第一電容C1和第八電阻R8并聯；

第二PMOS管MP2的源極接電源VCC，其柵極接第一PMOS管MP1的漏極；

第三PMOS管MP3的源極接電源VCC，其柵極接第一偏置電壓V1；

第二PMOS管MP2的漏極與第三PMOS管MP3的漏極連接，第五NPN三極管Q5的集電極和基極接第二PMOS管MP2漏極與第三PMOS管MP3漏極的連接點；第三NPN三極管Q3的集電極和基極接第五NPN三極管Q5的發射極，第三NPN三極管Q3的發射極接地；

第四PMOS管MP4的源極接電源VCC，其柵極接第一偏置電壓V1，其漏極與柵極互連；

第六NPN三極管Q6的集電極接第四PMOS管MP4的漏極，第六NPN三極管Q6的基極與第五NPN三極管Q5的基極連接；第四NPN三極管Q4的集電極接第六NPN三極管Q6的發射極，第四NPN三極管Q4的發射極通過第九電阻R9后接地，第四NPN三極管Q4的基極接第五NPN三極管Q5的發射極；

第五PMOS管MP5的源極接電源VCC，其柵極接第一偏置電壓V1；第一NMOS管MN1的漏極接第五PMOS管MP5的漏極，第一NMOS管MN1的柵極與漏極互連，其源極接地；

第六PMOS管MP6的源極接電源VCC，其柵極和漏極接第二偏置電壓V2，第二NMOS管MN2的漏極接第六PMOS管MP6的漏極，第二NMOS管MN2的源極接地；