[發(fā)明專利]分子印跡過氧化聚吡咯/聚對(duì)氨基苯磺酸修飾電極的制備有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710315123.8 | 申請(qǐng)日： | 2017-05-08 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN107219277B | 公開（公告）日： | 2019-05-31 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 孔泳;張潔;顧嘉衛(wèi) | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 常州大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | G01N27/30 | 分類號(hào)： | G01N27/30;G01N27/327;G01N27/36 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 213164 *** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 分子 印跡 過氧化 吡咯 氨基 苯磺酸 修飾 電極 制備 | ||
1.制備分子印跡過氧化聚吡咯/聚對(duì)氨基苯磺酸修飾電極，其特征在于：步驟如下：
a、制備聚對(duì)氨基苯磺酸修飾電極：采用直徑為3mm的玻碳電極為工作電極，鉑片為輔助電極，飽和甘汞電極為參比電極的三電極體系；稱取10～20mg對(duì)氨基苯磺酸溶于20mL0.1MpH為7.0的磷酸鹽緩沖溶液中，在-1.5～2.5V的電位窗口內(nèi)，以0.1V/s的掃速采用循環(huán)伏安法制備得到聚對(duì)氨基苯磺酸修飾電極；
b、制備分子印跡過氧化聚吡咯/聚對(duì)氨基苯磺酸修飾電極：將聚對(duì)氨基苯磺酸修飾電極浸入包括2mM L-色氨酸和0.1M吡咯的0.1M pH為2.5～4.5的磷酸鹽緩沖溶液中靜置10～30min，然后在-0.6～0.8V的電化學(xué)窗口范圍內(nèi)，以0.1V/s的掃速進(jìn)行循環(huán)伏安掃描10圈，得到摻雜有L-色氨酸的聚吡咯/聚對(duì)氨基苯磺酸修飾電極；再將該修飾電極浸入0.1M H2SO4溶液中，施加0.3～0.5V的電位脫摻雜1000s得到分子印跡聚吡咯/聚對(duì)氨基苯磺酸修飾電極；將分子印跡聚吡咯/聚對(duì)氨基苯磺酸修飾電極置于0.1M NaOH溶液中，在0.4～1.2V的電化學(xué)窗口內(nèi)進(jìn)行循環(huán)伏安掃描，直到出現(xiàn)穩(wěn)定的循環(huán)伏安曲線，得到最終的修飾電極，即分子印跡過氧化聚吡咯/聚對(duì)氨基苯磺酸修飾電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述制備分子印跡過氧化聚吡咯/聚對(duì)氨基苯磺酸修飾電極，其特征是：所述步驟a中對(duì)氨基苯磺酸的質(zhì)量為15mg。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述制備分子印跡過氧化聚吡咯/聚對(duì)氨基苯磺酸修飾電極，其特征是：所述步驟b中磷酸鹽緩沖液的pH值為4，靜置時(shí)間為20min，脫摻雜的恒電位為0.4V。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于常州大學(xué)，未經(jīng)常州大學(xué)許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710315123.8/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
