[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710313105.6
• 申請日: 2017-05-05
• 公開（公告）號: CN108807179B
• 公開（公告）日: 2021-07-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉艷;劉佳
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/28;H01L29/08;H01L29/423;H01L29/78
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 吳敏

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底上形成有柵極；

在所述柵極的側(cè)壁上形成第一側(cè)墻；

形成第一側(cè)墻后，于基底上形成氧化層；

在所述第一側(cè)墻的側(cè)壁上形成第二側(cè)墻，所述柵極、所述第一側(cè)墻和所述第二側(cè)墻構(gòu)成柵極結(jié)構(gòu)；

在所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的氧化層和基底中形成溝槽；

形成所述溝槽的步驟包括：對所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的氧化層和基底進(jìn)行第一刻蝕，形成初始溝槽；對所述初始溝槽進(jìn)行清洗處理，通過所述清洗處理使得所述第二側(cè)墻與所述基底之間的氧化層也同時(shí)被部分去除，位于所述第二側(cè)墻底部的剩余氧化層與基底之間具有切角；對經(jīng)過清洗處理之后的初始溝槽進(jìn)行第二刻蝕，形成所述溝槽；所述溝槽具有Σ形狀。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第一刻蝕工藝為干法刻蝕。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，對所述初始溝槽進(jìn)行清洗處理的步驟中，采用稀釋的HF清洗所述初始溝槽。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第二刻蝕工藝為濕法刻蝕。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述氧化層的材料為氧化硅。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述氧化層的厚度在20埃至30埃范圍內(nèi)。

7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，形成所述氧化層的工藝為氧化生長、化學(xué)氣相沉積或者原子層沉積。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第一側(cè)墻和所述第二側(cè)墻的材料為氮化物。

9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第二側(cè)墻的厚度在100埃至180埃范圍內(nèi)。

10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，形成所述溝槽之后，還包括：形成填充滿所述溝槽的源漏外延摻雜層。