[發(fā)明專(zhuān)利]屏蔽連接器的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710312819.5
• 申請(qǐng)日: 2017-05-05
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107196145B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-07-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳永權(quán);何鍵宏;蔡友華
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 番禺得意精密電子工業(yè)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01R13/6591
• 分類(lèi)號(hào): H01R13/6591;H01R43/20;H01R43/16
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

本發(fā)明公開(kāi)了一種屏蔽連接器的制造方法，包括：S1：提供一本體，具有上表面、下表面、信號(hào)收容孔和接地收容孔；S2：提供一金屬層，鍍?cè)O(shè)于本體的上表面以及信號(hào)收容孔和接地收容孔的內(nèi)壁；S3：通過(guò)激光將所上表面圍繞信號(hào)收容孔一圈的金屬層去除，形成一隔離區(qū)圍繞信號(hào)收容孔，及將金屬層分隔成第一金屬層和第二金屬層；S4：將上表面的第一金屬層通電進(jìn)行電鍍處理，以增加上表面的第一金屬層的厚度，第二金屬層由于與第一金屬層電性隔斷而不能通電使得第二金屬層未加厚；S5：將金屬層去除第二金屬層的厚度，從而第二金屬層完全去除，第一金屬層的厚度減?。籗6：提供信號(hào)端子和接地端子，分別對(duì)應(yīng)裝入信號(hào)收容孔和接地收容孔中。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種屏蔽連接器的制造方法，尤其是指一種可保證屏蔽連接器良好屏蔽效果的制造方法。

背景技術(shù)

專(zhuān)利號(hào)為CN201310691784.2的中國(guó)專(zhuān)利揭示了一種屏蔽連接器，包括至少一本體，每一所述本體具有一上表面和一下表面，自所述上表面向所述下表面貫設(shè)多個(gè)信號(hào)收容槽和多個(gè)接地收容槽，制造時(shí)，先將所述本體整體鍍?cè)O(shè)一導(dǎo)電層，使所述上表面、所述下表面、所述信號(hào)收容槽內(nèi)和所述接地收容槽內(nèi)均具有所述導(dǎo)電層，然后利用蝕刻治具將所述上表面和所述下表面在臨近每個(gè)所述信號(hào)收容槽外圍的所述導(dǎo)電層蝕刻掉，使所述上表面在臨近每個(gè)所述信號(hào)收容槽外圍形成一隔離區(qū)，所述下表面在臨近每個(gè)所述信號(hào)收容槽外圍形成一絕緣部，所述信號(hào)收容槽內(nèi)的所述導(dǎo)電層也被蝕刻掉，形成一絕緣表面，而接地收容槽內(nèi)的所述導(dǎo)電層被保留，故僅所述接地端子與所述導(dǎo)電層接觸，從而保證了所述屏蔽連接器良好的的屏蔽效果。

然而，上述蝕刻工藝的實(shí)現(xiàn)必須保證所述上表面和下表面必須為平整的平面，當(dāng)所述上表面和下表面不是一個(gè)平整的面時(shí)，在進(jìn)行蝕刻工藝時(shí)，由于所述上表面和下表面不平整，使得蝕刻治具與所述上表面和下表面之間仍存在一間隙，在蝕刻加工過(guò)程中，蝕刻溶液容易通過(guò)所述間隙進(jìn)入我們?cè)拘枰Ａ舻乃鼋饘賹觾?nèi)，進(jìn)而將我們?cè)拘枰Ａ舻乃鼋饘賹右参g刻掉，影響了所述本體的加工制造，從而影響了所述屏蔽連接器良好的屏蔽效果。

因此，有必要設(shè)計(jì)一種新的屏蔽連接器的制造方法，以克服上述問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的創(chuàng)作目的在于提供一種屏蔽連接器的制造方法，尤其是指一種可保證屏蔽連接器良好屏蔽效果的制造方法。

為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：

一種屏蔽連接器的制造方法，其特征在于，包括：S1：提供一本體，具有相對(duì)設(shè)置的一上表面和一下表面，以及至少一信號(hào)收容孔和至少一接地收容孔分別貫穿所述上表面和所述下表面；S2：提供一金屬層，鍍?cè)O(shè)于所述本體的上表面以及所述信號(hào)收容孔和接地收容孔的內(nèi)壁；S3：通過(guò)激光將所述上表面圍繞所述信號(hào)收容孔一圈的金屬層去除，使所述上表面形成一隔離區(qū)圍繞所述信號(hào)收容孔，所述隔離區(qū)不設(shè)有金屬層，及將所述金屬層分隔成位于所述隔離區(qū)之外的一第一金屬層和位于所述隔離區(qū)之內(nèi)的一第二金屬層；S4：將所述上表面的第一金屬層通電進(jìn)行電鍍處理，以增加所述上表面的第一金屬層的厚度，所述第二金屬層由于與第一金屬層電性隔斷而不能通電使得所述第二金屬層未加厚；S5：將所述第二金屬層去除所述第二金屬層的厚度，從而所述第二金屬層完全去除，所述第一金屬層去除一部分而厚度減小；S6：提供至少一信號(hào)端子和至少一接地端子，分別對(duì)應(yīng)裝入所述信號(hào)收容孔和接地收容孔中，用于導(dǎo)接一芯片模塊。

進(jìn)一步，所述本體還設(shè)有多個(gè)通孔圍繞在每一個(gè)信號(hào)收容孔和每一個(gè)接地收容孔的周?chē)?，所述通孔貫穿所述上表面和所述下表面，所述隔離區(qū)與所述信號(hào)收容孔連通，所述通孔位于所述隔離區(qū)之外。

進(jìn)一步，在步驟S6之后，將一支撐蓋設(shè)于所述本體上，用以支撐所述芯片模塊，所述支撐蓋設(shè)有多個(gè)通槽分別供信號(hào)端子和接地端子穿過(guò)，自所述支撐蓋底面向下凸伸多個(gè)支撐塊，當(dāng)所述芯片模塊與所述信號(hào)端子和接地端子抵接時(shí)，所述支撐塊支撐于所述上表面且位于相鄰兩通孔之間。