[發明專利]屏蔽連接器的制造方法

有效

• 申請號: 201710312819.5
• 申請日: 2017-05-05
• 公開（公告）號: CN107196145B
• 公開（公告）日: 2019-07-30
• 發明（設計）人: 吳永權;何鍵宏;蔡友華
• 申請（專利權）人: 番禺得意精密電子工業有限公司
• 主分類號: H01R13/6591
• 分類號: H01R13/6591;H01R43/20;H01R43/16
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種屏蔽連接器的制造方法，其特征在于，包括：

S1：提供一本體，具有相對設置的一上表面和一下表面，以及至少一信號收容孔和至少一接地收容孔分別貫穿所述上表面和所述下表面；

S2：提供一金屬層，鍍設于所述本體的上表面以及所述信號收容孔和接地收容孔的內壁；

S3：通過激光將所述上表面圍繞所述信號收容孔一圈的金屬層去除，使所述上表面形成一隔離區圍繞所述信號收容孔，所述隔離區不設有金屬層，及將所述金屬層分隔成位于所述隔離區之外的一第一金屬層和位于所述隔離區之內的一第二金屬層；

S4：將所述上表面的第一金屬層通電進行電鍍處理，以增加所述上表面的第一金屬層的厚度，所述第二金屬層由于與第一金屬層電性隔斷而不能通電使得所述第二金屬層未加厚；

S5：將所述第二金屬層去除所述第二金屬層的厚度，從而所述第二金屬層完全去除，所述第一金屬層去除一部分而厚度減??；

S6：提供至少一信號端子和至少一接地端子，分別對應裝入所述信號收容孔和接地收容孔中，用于導接一芯片模塊。

2.如權利要求1所述的屏蔽連接器的制造方法，其特征在于：所述本體還設有多個通孔圍繞在每一個信號收容孔和每一個接地收容孔的周圍，所述通孔貫穿所述上表面和所述下表面，所述隔離區與所述信號收容孔連通，所述通孔位于所述隔離區之外。

3.如權利要求2所述的屏蔽連接器的制造方法，其特征在于：在步驟S6之后，將一支撐蓋設于所述本體上，用以支撐所述芯片模塊，所述支撐蓋設有多個通槽分別供信號端子和接地端子穿過，自所述支撐蓋底面向下凸伸多個支撐塊，當所述芯片模塊與所述信號端子和接地端子抵接時，所述支撐塊支撐于所述上表面且位于相鄰兩通孔之間。

4.如權利要求1所述的屏蔽連接器的制造方法，其特征在于：多個凸塊位于所述上表面上，用以支撐所述芯片模塊；在步驟S2中，所述金屬層還鍍設于所述凸塊的表面。

5.如權利要求4所述的屏蔽連接器的制造方法，其特征在于：在步驟S3中，通過所述激光去除圍繞所述凸塊一圈的金屬層。

6.如權利要求5所述的屏蔽連接器的制造方法，其特征在于：在步驟S3中，通過所述激光去除位于所述凸塊與所述上表面的連接處的金屬層。

7.如權利要求5所述的屏蔽連接器的制造方法，其特征在于：在步驟S3中，通過所述激光去除位于所述凸塊側面上一圈的金屬層。

8.如權利要求4所述的屏蔽連接器的制造方法，其特征在于：在步驟S3中，通過所述激光去除位于所述凸塊頂面上的金屬層。

9.如權利要求8所述的屏蔽連接器的制造方法，其特征在于：所述凸塊包括自所述上表面向上延伸形成的第一凸塊及位于第一凸塊上的第二凸塊，第二凸塊的頂面小于第一凸塊的頂面，第二凸塊的頂面用于支撐所述芯片模塊，在步驟S3中，

所述激光去除位于所述第二凸塊頂面上的金屬層。

10.如權利要求1所述的屏蔽連接器的制造方法，其特征在于：自所述上表面四側緣分別向上凸伸一側墻，用以擋止所述芯片模塊水平移動。