[發明專利]陣列基板、顯示面板、顯示裝置以及陣列基板的制作方法有效
| 申請號: | 201710312403.3 | 申請日: | 2017-05-05 |
| 公開(公告)號: | CN107093584B | 公開(公告)日: | 2019-11-19 |
| 發明(設計)人: | 金慧俊;朱雪婧;曹兆鏗 | 申請(專利權)人: | 上海中航光電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/84 | 分類號: | H01L21/84;H01L27/12;G02F1/1362;G06F3/041 |
| 代理公司: | 11444 北京匯思誠業知識產權代理有限公司 | 代理人: | 王剛;龔敏<國際申請>=<國際公布>=< |
| 地址: | 201108 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 顯示 面板 顯示裝置 以及 制作方法 | ||
1.一種陣列基板的制作方法,其特征在于,包括:
使用第一掩膜版在襯底基板的一側形成柵極線和像素電極;
在所述柵極線和所述像素電極遠離所述襯底基板的外側形成第一絕緣層,所述第一絕緣層覆蓋所述柵極線和所述像素電極;
使用第二掩膜版在所述第一絕緣層遠離所述襯底基板的一側形成有源層和源漏層,所述源漏層包括源極、漏極、數據信號線和觸控信號線,所述源極和所述漏極均與所述有源層電連接;
在所述有源層和所述源漏層遠離所述襯底基板的外側形成第二絕緣層,所述第二絕緣層覆蓋所述有源層和所述源漏層;
使用第三掩膜版形成第一過孔和第二過孔,所述第一過孔貫通所述第一絕緣層和所述第二絕緣層,所述第二過孔貫通所述第二絕緣層,且所述像素電極的至少一部分、所述漏極的至少一部分裸露于所述第二過孔,所述觸控信號線的至少一部分裸露于所述第一過孔;
使用第四掩膜版形成具有多個公共電極單元的公共電極層,所述公共電極層還包括第一連接結構,各所述公共電極單元包括第二連接結構,所述第一連接結構、所述第二連接結構相互絕緣,所述第一連接結構通過所述第一過孔與所述漏極、所述像素電極均接觸;所述第二連接結構通過所述第二過孔與所述觸控信號線接觸;
還包括:
使用所述第四掩膜版使所述公共電極層形成多條縱橫交錯的橫向刻縫和縱向刻縫,以形成多個所述公共電極單元;
所述橫向刻縫的延伸方向與所述觸控信號線的延伸方向垂直,所述縱向刻縫的延伸方向與所述觸控信號線的延伸方向平行;
沿垂直于所述襯底基板的方向,所述橫向刻縫在所述襯底基板的投影位于所述觸控信號線延伸方向上兩個相鄰的所述像素電極之間;
沿垂直于所述襯底基板的方向,所述觸控信號線在所述襯底基板的投影位于所述柵極線延伸方向上兩個相鄰的所述像素電極之間。
2.根據權利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述第一掩膜版為半調色掩膜版;所述使用第一掩膜版在襯底基板的一側形成柵極線和像素電極包括:
在所述襯底基板的一側依次形成第一導體層和第二導體層,且所述第一導體層較所述第二導體層靠近所述襯底基板;
使用所述第一掩膜版使所述第一導體層形成所述像素電極,使所述第一導體層和所述第二導體層形成所述柵極線;
其中,在形成所述柵極線的同時形成柵極,所述柵極線沿其延伸方向與多個所述柵極連接。
3.根據權利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述使用第二掩膜版在所述第一絕緣層遠離所述襯底基板的一側形成有源層和源漏層中包括:
使用所述第二掩膜版使所述源漏層形成相互連接的延伸部和凸起部,以形成所述觸控信號線;所述延伸部為條狀結構,在所述柵極線的延伸方向上,所述凸起部從所述延伸部的一側凸出;所述第二連接結構通過所述凸起部與所述觸控信號線接觸。
4.根據權利要求1所述的制作方法,其特征在于,沿垂直于所述襯底基板的方向,所述柵極線在所述襯底基板的投影與多個所述公共電極單元在所述襯底基板的投影交疊;所述觸控信號線在所述襯底基板的投影與多個所述公共電極單元在所述襯底基板的投影交疊。
5.根據權利要求4所述的制作方法,其特征在于,沿垂直于所述襯底基板的方向,所述橫向刻縫在所述襯底基板的投影具有在所述觸控信號線的延伸方向上相對的第一橫向刻縫邊緣和第二橫向刻縫邊緣,所述柵極線在所述襯底基板的投影具有在所述觸控信號線的延伸方向上相對的第一柵極線邊緣和第二柵極線邊緣;
所述第一橫向刻縫邊緣與所述第一柵極線邊緣重疊,且所述第二橫向刻縫邊緣與所述第二柵極線邊緣分別位于所述第一橫向刻縫邊緣的兩側。
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





